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本技術(shù)成果涉及集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng) 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測(cè)系 統(tǒng)及方法

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測(cè)量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測(cè)量光路，以及單光子探測(cè)器等），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長(zhǎng)與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對(duì)光子態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對(duì)于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動(dòng)量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測(cè)量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對(duì)上述問(wèn)題，英國(guó)布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國(guó)馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過(guò)可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過(guò)單片集成通用型線性光路，可對(duì)高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測(cè)量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過(guò)硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對(duì)4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過(guò)普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測(cè)和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對(duì)3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測(cè)保真度約為76%，對(duì)14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。

一、創(chuàng)新點(diǎn)： 1.創(chuàng)新1-高低壓兼容工藝技術(shù)：世界首個(gè)P-sub/P-Epi高低壓兼容浮置沉底工藝平臺(tái) 2.創(chuàng)新2-抗瞬時(shí)電沖擊電路技術(shù)：國(guó)際最高品質(zhì)因子600V等級(jí)浮柵控制芯片 3.創(chuàng)新3-低損耗功率器件技術(shù)：超低開關(guān)損耗階梯柵氧600V超結(jié)功率器件 4.創(chuàng)新4-高功率密度互聯(lián)技術(shù)：國(guó)內(nèi)首款微型智能功率驅(qū)動(dòng)芯片及600V單片智能功率驅(qū)動(dòng)芯片。 二、產(chǎn)出情況： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家國(guó)內(nèi)外公司采用，項(xiàng)目新增銷售27.2億元，新增利潤(rùn)4.9億元，新增創(chuàng)匯3115.5萬(wàn)美元，解決了我國(guó)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片的“卡脖子”問(wèn)題。 1.智能生活家電領(lǐng)域累計(jì)銷售超16億顆，市場(chǎng)占有率全國(guó)第一（超過(guò)40%） 2.首次實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用于高鐵空調(diào)控制器 3.唯一一款應(yīng)用于智能電表的國(guó)產(chǎn)功率芯片，解決了我國(guó)智能電表系統(tǒng)的戰(zhàn)略安全問(wèn)題 4.在新能源交通工具領(lǐng)域出貨量超30億顆 成功應(yīng)用于亞馬遜無(wú)人倉(cāng)儲(chǔ)機(jī)器人，首批供貨超過(guò)1萬(wàn)套。

本項(xiàng)目是用 28 納米 FPGA 器件實(shí)現(xiàn)了一枚《萬(wàn)兆網(wǎng)絡(luò)多核處理器》SOC 芯 片。該芯片目標(biāo)客戶是路由器、交換機(jī)、防火墻網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機(jī)廠商和網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 科研、監(jiān)管機(jī)構(gòu)。該芯片用于拓展網(wǎng)絡(luò)帶寬到 10Gbps，支持 Open Flow 協(xié)議， 兼容 IPV4/IPV6 協(xié)議，是 SDN 控制器的基礎(chǔ)載體，NFV 的運(yùn)行平臺(tái)。該芯片是 互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的核心器件、重要的戰(zhàn)略物資，國(guó)內(nèi)空白，國(guó)家急需。該項(xiàng)目的產(chǎn) 業(yè)化包含 SOC 芯片推廣，F(xiàn)PGA→ASIC 轉(zhuǎn)化、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機(jī)生產(chǎn) 3 部分。適合 創(chuàng)辦的企業(yè)為 Fabless 模式集成電路芯片設(shè)計(jì)為主和網(wǎng)絡(luò)裝備整機(jī)生產(chǎn)為輔的電 43 子信息類股份制高科技企業(yè)。

已有樣品/n針對(duì)各種生物醫(yī)用儀器對(duì)心電、腦電、肌電、神經(jīng)電等電生理信號(hào)采集與分析的需求，研制出了一系列專用集成電路芯片。其中包括：1、一款適合大多數(shù)生理信號(hào)的通用前端集成電路，完成從電生理傳感器輸出市場(chǎng)預(yù)期：市場(chǎng)需求量：芯片300萬(wàn)顆/年，傳感器3000萬(wàn)-5000萬(wàn)顆/年；可應(yīng)用系統(tǒng)：小型化便攜式電生理檢測(cè)設(shè)備、移動(dòng)健康產(chǎn)品、穿戴式健康產(chǎn)品。的原始信號(hào)到CMOS或TTL等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電平信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，這款前端電路的功能包括跟隨、前放、A/D、濾波等基本功能。2、多款專用的信號(hào)處理后端集

組織芯片技術(shù)可廣泛應(yīng)用于腫瘤生物學(xué)、分子流行病學(xué)、生物試研制、生物工程制藥、中藥有效成分篩選等領(lǐng)域。因此，各科研院校、醫(yī)院、生物制藥企業(yè)等都將會(huì)是成為其潛在的市場(chǎng)，有很大的需求量。按照保守估計(jì)，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)組織芯片制備器具的年需求量在500-1000套之間；對(duì)組織芯片分析系統(tǒng)的年需求量在50-100套；對(duì)病理實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程控制會(huì)診系統(tǒng)的年需求量在50-100套

成果簡(jiǎn)介本項(xiàng)目在國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃等研究成果基礎(chǔ)上，跟蹤國(guó)際趨勢(shì)，形成9**nm 大功率單發(fā)光條半導(dǎo)體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬(wàn)小時(shí)。主要優(yōu)勢(shì)：（1 ）填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長(zhǎng)可選。應(yīng)用簡(jiǎn)介所處研發(fā)階段：中試階段適合應(yīng)用領(lǐng)域：直接光加工、

本發(fā)明提出這樣一種陽(yáng)極鍵合工藝方法：將 MEMS 陀螺儀器件層沉積到臨時(shí)高分子襯底上，完成金屬電極沉積和 MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕之后，將臨時(shí)高分子襯底用化學(xué)機(jī)械拋光的方法去除。去除之后，將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼 MEMS 結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，加電加熱后一次完成雙面陽(yáng)極鍵合。這種工藝方法與傳統(tǒng)的兩次陽(yáng)極鍵合分兩步進(jìn)行相比，更加節(jié)省成本，而且避免了第二次陽(yáng)極鍵合對(duì)第一次陽(yáng)極鍵合強(qiáng)度削弱這個(gè)固有缺點(diǎn)，使得產(chǎn)品可靠性提高。

本發(fā)明公開了一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片。芯片包括面陣電控液晶平面微透鏡，其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印D形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)?、公共電極層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由 m×n 元陣列分布的子電極構(gòu)成，每個(gè)子電極均由繞圓周呈十字叉型均勻分布的四個(gè)條狀導(dǎo)電膜構(gòu)成，單個(gè)