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本發(fā)明公開了一種平面度誤差測量裝置其包括激光器、柔性鉸 鏈、靜光柵、動光柵、測量頭、壓縮彈簧、底板以及光電探測器，測 量頭固定在柔性鉸鏈的第一端部處并伸出，動光柵設(shè)置在柔性鉸鏈的 第一端部內(nèi)，壓縮彈簧一端與底板連接且另一端與柔性鉸鏈的第一端部連接，壓縮彈簧位于測量頭的下方，柔性鉸鏈的第二端部與底板固 定，靜光柵固定在底板上，其與動光柵平行相對且相鄰設(shè)置，激光器 也設(shè)置在底板上，光電探測器設(shè)置在靜光柵出光端。本發(fā)明還提供一 種二維掃描工作臺。

本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種面向手勢識別的稀疏二值網(wǎng)絡(luò)激活圖像編解碼硬件加速器。本發(fā)明的硬件加速器包括：激活圖像編碼單元，編碼圖像存儲單元，編碼圖像解碼單元。該加速器針對稀疏二值網(wǎng)絡(luò)的激活圖像中存在大量相同向量進行壓縮，這些相同的向量是由于二值化的手勢邊緣作為輸入所產(chǎn)生的，壓縮激活圖像可以有效地降低片上存儲容量，降低數(shù)據(jù)搬運功耗，進而降低芯片功耗；該加速器能夠?qū)嚎s后的激活圖進行譯碼，在譯碼過程中跳過重復(fù)的計算，從而減少計算次數(shù)，提升計算速度，有效地提升硬件性能。本發(fā)明具有低功耗，低延時的特性，有效地降低硬件資源，提升硬件的能效比。

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于二維半導(dǎo)體材料的電荷超注入存儲器及其制備方法。本發(fā)明通過存儲疊層能帶設(shè)計，在實現(xiàn)閃存的非易失性存儲特性；通過橫向電場設(shè)計以及器件的仿真模擬設(shè)計，利用二維半導(dǎo)體材料的原子級薄層特性，顯著增強最大橫向電場從而提升電荷的注入效率，實現(xiàn)存儲器中電荷的超注入機制，進而實現(xiàn)閃存的亞納秒編程。本發(fā)明存儲器在維持十年數(shù)據(jù)保持能力的同時，大幅提升了電荷注入效率，將編程速度提升至亞納秒，為解決電荷存儲領(lǐng)域超快編程和長保持時間無法共存的重大挑戰(zhàn)提供新的解決方案。

手性二芳基甲醇是重要的手性藥物合成前體，比如(R)-新苯海拉明、(R)-鄰甲苯海明，(S)-卡比沙明、(R,R)-氯馬斯汀等手性藥物就是由光學(xué)活性二芳基甲醇合成得到，尚有一些具有明顯抗腫瘤前景的化合物也是由手性二芳基甲醇合成的。 本技術(shù)使用容易合成且價格低廉的格氏試劑在不對稱催化的條件下與芳香醛加成，使用四異丙醇鈦和N,N,N′,N′-四甲基二氨基乙醚為添加劑，使用10mol%光學(xué)活性H8-BINOL為手性配體，產(chǎn)物產(chǎn)率為90~97%，光學(xué)活性在90~>99%，放大到實驗室規(guī)模，產(chǎn)率和ee值均無變化。其特點是：產(chǎn)率和光學(xué)活性都非常高，反應(yīng)中使用的材料均價廉、易得，操作簡便，反應(yīng)條件溫和，反應(yīng)快（3小時），容易實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，具有良好的工業(yè)化前景。

本發(fā)明涉及甲磺酸二氫麥角堿在制備抗流感病毒的藥物中的應(yīng)用，屬于醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了甲磺酸二氫麥角堿在制備抗流感病毒的藥物中的應(yīng)用。本發(fā)明的甲磺酸二氫麥角堿能夠在流感病毒進入宿主細胞后的早期復(fù)制階段發(fā)揮作用，可以抑制流感病毒核酸的合成，能夠顯著改善甲型流感引起的肺部癥狀，降低肺組織內(nèi)的病毒滴度，具有良好的細胞安全性、生物安全性和有效性，以及很好的抗病毒應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種吩噻嗪基二維共價有機框架材料及其制備方法和應(yīng)用。所述二維共價有機框架材料具有如下式(I)或式(II)所示的結(jié)構(gòu)：本發(fā)明的二維共價有機框架材料具有高的結(jié)晶性和比表面積，孔徑分布均一并且熱穩(wěn)定性良好，同時還有著良好的光敏基團、適合的光學(xué)帶隙，在光催化氧化偶聯(lián)方向有著良好的應(yīng)用。

采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監(jiān)控距離30米 支持防閃爍，寬動態(tài)，3D降噪，強光抑制，背光補償，數(shù)字水印，電子防抖，適用不同監(jiān)控環(huán)境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環(huán)境 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡(luò)異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計,熱度圖 支持報警2進2出，音頻1進1出，RS485，BNC，128G SD卡，內(nèi)置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護等級 類別 參數(shù) 參數(shù)值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動或自動調(diào)節(jié) 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補光距離 30米 補光燈數(shù)量 雙燈 強光抑制 支持 外調(diào)焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡(luò)異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢 測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計，熱度圖,并且可以與報警聯(lián)動;支持多種觸發(fā)規(guī)則聯(lián)動動作;支持目標過濾

本設(shè)備適用于高等院校及要求較高的中專、技校、職業(yè)學(xué)校，可完成電工學(xué)、電工原理、電路分析、模擬電子技術(shù)、教字電路,電氣控制設(shè)備等課程實驗。該設(shè)備是現(xiàn)有實驗室設(shè)備的更新?lián)Q代或新建、擴建實驗室的理想產(chǎn)品,它的配備是學(xué)校上水平、上等級的重要標志。 ? 一、用途、特點: ?　　目前，國內(nèi)各類學(xué)校電工、模擬、數(shù)字電路、電氣控制實驗大多是分體的，也有部分學(xué)校根據(jù)教學(xué)要求自制各種形式的實驗設(shè)備，由于工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實驗要求，也容易發(fā)生人身及設(shè)備事故，且實驗元器件繁多難購置、難以管理，很難開出實驗大綱規(guī)定的實驗?；?，我廠吸取德國及國內(nèi)同類產(chǎn)品的優(yōu)點，結(jié)合我國高教，職教教學(xué)大綱要求而研制本系列產(chǎn)品。 　　實驗臺具有較完善的安全保護措施，較齊全的功能。實驗操作桌中央配有通用電路插扳，電路插板注塑而成，表面均布有九孔成一組相互聯(lián)通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實驗電路；元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學(xué)的壓卡式結(jié)構(gòu)，維修、更換元件拆裝方便。元器件放置在實驗操作桌下邊左右柜內(nèi)，實驗時取存方便，大大提高了管理水平，規(guī)劃化程度，大大減輕了教師實驗準備工作。 　?二、結(jié)構(gòu)與配備 1、實驗臺桌:見彩圖，一臺二座，臺桌外形尺寸:160X70X8Ocm。臺桌中央配置通用電路板。每張臺桌配一粒膠皮板，以保護通用電路板及桌面(如需要在其上放置電機、焊接等)。臺桌下都是元件儲存柜，放置元器件。 2、實驗臺:共12臺，每張學(xué)生實驗操作桌上配置l臺 3、示教臺:1臺示教臺，分別控制12臺學(xué)生的電源，通用電路板演示屏立在實驗臺上，尺寸150X7Ocm，用于講解、演示。 4、器材配備: 39只指針式1.5級直流電流表、13只MF500萬用表，13只數(shù)字萬用表.25套電烙鐵和烙鐵架、13套剝線鉗、尖嘴鉗、螺絲刀等工具，13套實驗所需的電阻.電位器.電感、電容.集成電路.變壓器.條形磁鐵.邏輯電平開關(guān)、邏輯電平顯示 .91只集成座等元件單元盒(元件已裝在單元盒內(nèi))，25張塑料凳。 5·用戶自備器材:雙蹤示波器(型號不限)，功率表、滑線變阻器、毫伏表 三、實驗項目: ? 實驗內(nèi)容1、模擬部分實驗 1·二極管的正、反相特性　　　　 2·晶體三極管的輸入、輸出特性　 3·晶體管共射極單管放大器　　　 4·兩級阻客搞合放大電路　　　　 5·負反饋對放大器性能的影響　　 6·場效應(yīng)管放大器　　　　　　　 7·差動放大電路　　　　　　　　 8·運算放大器指標測試　　　　　 9·集成運算放大器的基本應(yīng)用(多種模擬運算電路)　 10·集成運算放大器非線性應(yīng)用（多種波形發(fā)生器）　 11· 變壓器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·單相橋式整流電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設(shè)計性實驗) 16·集成直流穗壓電源 17·單結(jié)晶體管特性 18·單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 19·晶閘管簡單測試 20·晶閘管可控整流電路 利用上述20項實驗元器件還可完成下面實驗項目 l·電壓負反饋偏置電路　　　　　　 2·分壓式電流負反債偏置電路　　　 3·用二極管穗定工作點　　　　　　 4·共基極放大電路　　　　　　　? 5·共集電極放大電路　　　　　　? 6·共源極基本放大電路? 7·場效應(yīng)管共漏極電路 8·場效應(yīng)管共柵極電路 9·單管阻客放大電路 10·變壓器耦合放大電路 11·甲類功率放大電路 12·串聯(lián)電流負反饋電路 13·串聯(lián)電壓負反饋電路 14·并聯(lián)電壓負反饋電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設(shè)計性實驗) 16·共基共射極放大電路 17·自舉射極輸出電路? 18·NPN一PNP直接耦合放大電路 19·用負反饋消除自激根箔 20·晶體管開關(guān)作用 21·變壓器反饋式振蕩電路 22·電容三點式振蕩電路 23·電感三點式振蕩電路 24·差動放大電路的基本形式 25·長尾式差動放大電路 26·雙電源長尾式差動放大電路 27·運放用作交流比例放大 28·反相輸入保護措施 29·同相輸入保護措施 30·電源極性錯接的保護 31·RC高通電路 32·利用三極管來保護器件 33·差動輸入運算電路 34·快速積分電路 35·模擬一階微分方程電路 36·模擬二階微分方程電路 37·基本對數(shù)運算電路 38·實用微分電路 39·反對數(shù)放大基本電路 40·簡單的過零比較電路 ? 41·利用二級管作為上限檢測幅度選擇電路 42·下限幅度選擇電路 43·RC無源網(wǎng)絡(luò)的低通濾波電路 44·同相輸入一階低通濾波電路 45·反相輸入一階低通濾波電路 46·簡單的二階RC濾波電路 47·典型二階RC有源低通濾波電路 48.典型二階高通有源濾波電路 49·基本帶通濾波電路 50·典型帶通濾波電路 51·矩型波振蕩電路 52·寬度可調(diào)的矩形波發(fā)生器 53·幅頻可調(diào)的鋸齒波發(fā)生器 54·單相半波整流電路 55·單相全波整流電路 56·電容濾波電路 57·電容濾波帶電阻負載 58·RC濾波電路 59·基本LC濾波電路 60·二倍壓整流電路 61·三倍壓整流電路 62·基本穩(wěn)壓電路 63．基本調(diào)整管穩(wěn)壓電路 64·具有放大環(huán)節(jié)的穩(wěn)壓電路 65·單相半波可控硅整流 66·電子調(diào)壓電路 67·電子催眠器一一趣味性實驗一 68·電子門鈴電路一一趣味性實驗二 69·電子報警電路一一趣味性實驗三 15·并聯(lián)電流負反饋電路 2、數(shù)字部分實驗 l·TTL集成邁林門的參數(shù)測試 2．CMOS邏輯門的參數(shù)測試 3．TTL集成電極開路門與三態(tài)輸出門的應(yīng)用 4·與、非·或、與非門電路實驗 5·半加器電路實驗 6·全加器電路實驗 7．RS觸發(fā)器實驗 8．D觸發(fā)器實驗 9．JK觸發(fā)器實驗 IO·T觸發(fā)器實驗 11．JK型觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成D觸發(fā)器 12·D型觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器 l3。計數(shù)器實驗 14·MSI移位寄存器及其應(yīng)用 15·譯碼器及其變換方式 16·MSI數(shù)據(jù)選擇器及邏輯設(shè)計 17·微分型單穩(wěn)態(tài)電路? 18·環(huán)形多諧振薄器? 19·利用門電路構(gòu)成編碼器，分配器、選擇器 20·組合電路的設(shè)計之一一一編碼轉(zhuǎn)換? 21．組合電路的設(shè)計之二一一顯示電路 22·同步時序電路的設(shè)計 23·計算機時序電路的設(shè)計 24·集成定時器測試及應(yīng)用 25·CMOS集成A/D、D/A轉(zhuǎn)換電路實驗 26·二極管非門·或非門電路 27·三極管非門、與非門、或非門電路 28·異步十進制減法計數(shù)器 29·異步十進制加法計數(shù)器 30·綜合能力培訓(xùn)實驗一一電子秒表

產(chǎn)品詳細介紹小型節(jié)能回流焊530上三下二/五溫區(qū)回流焊QS-F530  http://www.qinsidianzi.com/

本發(fā)明涉及一種納米結(jié)構(gòu)的氧化亞銅基PIN結(jié)太陽能電池及其制備方法。該太陽能電池結(jié)構(gòu)包括：襯底；P型氧化亞銅納米線陣列，該P型氧化亞銅納米線陣列生長在襯底上；絕緣層，該絕緣層沉積在P型氧化亞銅納米線陣列表面；N型層，該N型層填充在絕緣層外并且形成一層薄膜；N型歐姆電極，該N型歐姆電極制作在N型層上；P型歐姆電極，該P型歐姆電極制作在P型氧化亞銅納米線陣列層上。本發(fā)明中納米線陣列結(jié)構(gòu)可提高電池的結(jié)面積，減小載流子的擴散距離，PIN結(jié)構(gòu)可有效增大耗盡層寬度，大大提高載流子的分離和收集效率，從而提高太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明采用的原料豐富、廉價、無污染，采用的制備方法有電化學(xué)沉積法、磁控濺射法及電子束蒸發(fā)法，都可以大規(guī)模應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，有廣闊的發(fā)展前景。