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① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發(fā)的方法，得到一維的酞菁納米線；② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對(duì) 808 nm光敏感，可以迅速產(chǎn)生響應(yīng)，恢復(fù)時(shí)間短，課重復(fù)響應(yīng)。

在利用太陽(yáng)能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進(jìn)展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個(gè)光敏中心多個(gè)催化中心產(chǎn)氫器件構(gòu)筑的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步將其植入到金屬有機(jī)框架材料中，模擬自然界酶催化環(huán)境中質(zhì)子和電子的傳輸與轉(zhuǎn)移，在有效規(guī)避分子基催化劑穩(wěn)定性差的同時(shí)，極大地提高了光催化產(chǎn)氫性能，為人工模擬光催化劑的設(shè)計(jì)和構(gòu)筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽(yáng)能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實(shí)現(xiàn)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為清潔的化學(xué)能，解決人類(lèi)社會(huì)面臨的能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題的理想途徑。在早期，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了空間上相互獨(dú)立、功能上相互等價(jià)，集合8個(gè)光敏金屬有機(jī)釕中心和6個(gè)催化Pd2+中心于一體的金屬-有機(jī)分子籠產(chǎn)氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內(nèi)構(gòu)筑出多個(gè)相互獨(dú)立的能量傳遞和電子轉(zhuǎn)移通道，獲得了高達(dá)380 μmol h-1的初始產(chǎn)氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機(jī)分子籠提高了分子基催化劑的產(chǎn)氫性能，但光照條件下的穩(wěn)定性仍然是制約其進(jìn)一步應(yīng)用的決定因素。       最近，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)又基于配位組裝策略實(shí)現(xiàn)了Au25(SG)18納米簇在金屬有機(jī)ZIF-8主體框架內(nèi)部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內(nèi)，進(jìn)一步將ZIF-8轉(zhuǎn)化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過(guò)采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無(wú)損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測(cè)試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開(kāi)啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場(chǎng)提供了一種新選擇。

已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介本成果提出新型微結(jié)構(gòu)光纖器件，提出基于非對(duì)稱(chēng)耦合理論的實(shí)現(xiàn)模式轉(zhuǎn)換、波分 復(fù)用等功能器件。已申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利 6 項(xiàng)，其中已授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利 3 項(xiàng)（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標(biāo) （1）模式轉(zhuǎn)換效率可達(dá) 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實(shí)現(xiàn) 1310、1550 nm 波長(zhǎng)復(fù)用、解復(fù)用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場(chǎng)前景 適用范圍：高速光通信關(guān)鍵器件，組成高速、大容量光 通信

徐永兵課題組于2014年啟動(dòng)了國(guó)家重大儀器研究計(jì)劃（飛秒級(jí)時(shí)間分辨并自旋分辨電子能譜探測(cè)系統(tǒng)，項(xiàng)目編號(hào)61427812）。此項(xiàng)目就是旨在建立國(guó)內(nèi)第一套極深紫外的光源系統(tǒng)。目前已經(jīng)成功地在實(shí)驗(yàn)室中，實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復(fù)頻率為1kHz，單個(gè)脈沖為30fs。單個(gè)光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光

本發(fā)明公開(kāi)了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時(shí)，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對(duì)擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開(kāi)關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)

高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利12項(xiàng)（5項(xiàng)授權(quán)）。項(xiàng)目中所制備的銥配合物磷光電致發(fā)光材料在四川虹視顯示技術(shù)有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項(xiàng)目研究成果，填補(bǔ)了我國(guó)在新型平板顯示器件---高效有機(jī)磷光電致發(fā)光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。 

成果介紹超材料(Metamaterial),或其二維形式—超表面(Metasurface)由具有亞波長(zhǎng)尺寸的人工原子周期或者非周期地排列而成,其描述方式可分為等效媒質(zhì)和空間編碼兩種形式。由等效媒質(zhì)描述的超材料(或超表面)我們稱(chēng)之為新型人工電磁媒質(zhì),由空間編碼描述的超材料(超表面)我們稱(chēng)之為編碼超材料(超表面)和數(shù)字超材料(超表面)。對(duì)于新型人工電磁媒質(zhì),人們通過(guò)自由設(shè)計(jì)單元結(jié)構(gòu)、單元排列方式、以及單元各向異性,可以根據(jù)意愿控制等效媒質(zhì)的媒質(zhì)參數(shù),實(shí)現(xiàn)自然界中不存在或者很難實(shí)現(xiàn)的介電常數(shù)和/或磁導(dǎo)率,進(jìn)而控制電磁波。本成果對(duì)于新型人工電磁媒質(zhì)對(duì)電磁波的調(diào)控作用,例如隱身衣、電磁黑洞、雷達(dá)幻覺(jué)器件、遠(yuǎn)場(chǎng)超分辨率成像透鏡、新型透鏡天線、隱身表面、極化轉(zhuǎn)換器、人工表面等離激元器件及混合集成電路等。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)對(duì)于編碼和數(shù)字超材料(超表面),我們提出基于空間編碼調(diào)控電磁波的新思路。其中,一比特編碼超材料選用相位差接近180度的兩種基本單元(記為0單元和1單元),按照一定規(guī)律排列0和1單元構(gòu)成超材料,以實(shí)現(xiàn)所需的設(shè)計(jì)功能。當(dāng)電磁編碼采用FPGA控制時(shí),可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)可編程超材料,即單一的超材料在FPGA的實(shí)時(shí)控制下可實(shí)現(xiàn)多種功能(例如單波束、多波束、波束掃描、隱身功能等)。市場(chǎng)前景本成果獲得國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目突破傳統(tǒng)模擬超材料的等效媒質(zhì)表征方法，創(chuàng)造性地提出用 0 和 1 表征的數(shù)字超材料，建了數(shù)字編碼和現(xiàn)場(chǎng)可編程超材料新體系；在國(guó)際上率先從微波傳輸線的角度研究人工 SPP 超材料，提出一種性能優(yōu)越的超薄、可共形 SPP 傳輸線，開(kāi)辟了基于 SPP 模式的微波領(lǐng)域新分支，實(shí)現(xiàn)了超材料研究從跟跑、并跑變成走在世界前列的跨越。