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東莞市惠和永晟納米科技有限公司
東莞市惠和永晟納米科技有限公司是是一家專注于納米功能材料及相關產品研發(fā)、銷售的高新技術企業(yè)，公司總部位于廣東省東莞市松山湖園區(qū)晨夕路1號1棟1203室。作為廣東惠和-惠爾特集團的連鎖銷售公司，公司專注于硅溶膠的研發(fā)、生產與銷售，致力于向全球合作伙伴提供高品質硅溶膠及延伸產品的定制化解決方案。截至目前，東莞市惠和永晟納米科技有限公司已經開發(fā)出有40多個硅溶膠品類產品作為日常產銷。此外還還包含拋光材料等拋光用原料，廣泛應用于半導體、光學器件等領域的加工制造。??公司將繼續(xù)秉承“創(chuàng)新、務實、誠信、共贏”的經營理念，為客戶提供更優(yōu)質的產品和服務。
東莞市惠和永晟納米科技有限公司
2025-03-26
一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜
本發(fā)明公開了一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜。它包括柔性表面層、粘性液體、貼膜基體。柔性表面層與貼膜基體上均具有凹坑、凸包或溝槽的非光滑結構或者柔性表面層與貼膜基體均呈波浪狀，柔性表面層的邊壁與貼膜基體的邊緣粘結為一體，二者之間形成密閉腔體，粘性液體填充在柔性表面層與貼膜基體之間。該貼膜通過設置仿生非光滑柔性表面，將該貼膜粘貼在汽車、高速列車以及城市地鐵車身表面可以有效降低其氣動阻力。
浙江大學
2021-04-11
一種基于憶阻器的帶寬可調的濾波電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構成。本發(fā)明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過改變憶阻器的阻值 改變?yōu)V波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個 NMOS 管以及四個 PMOS 管構成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運算放大器 構成。本發(fā)明還公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據(jù)事件本身及其相關 特征對事件進行編碼并存儲于電路中，通過擦除信號對已存信息進行 擦除，并將產生的記憶痕跡信號作為下級電路的輸入信號；檢索電路 能夠將記憶痕跡信號和檢索信號相互匹配進而產生相應的情景記憶行 為；本發(fā)明可以根據(jù)施加的相關脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網(wǎng)絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網(wǎng)絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現(xiàn)計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計算機系統(tǒng)中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現(xiàn) 計算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現(xiàn)計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計算機系統(tǒng)中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現(xiàn) 計算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變元件、第一電阻、第二電阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變元件的一端與第一電阻的另一端連接，阻變元件的另一端作為可編 程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變元件的另一端，N 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學
2021-04-14
2023年遼寧省科技成果轉化和技術轉移獎勵性后補助計劃擬立項項目公示
根據(jù)《遼寧省科技計劃項目管理辦法》《遼寧省技術創(chuàng)新引導專項計劃項目與資金管理辦法（暫行）》《遼寧省科技成果轉化和技術轉移獎勵性后補助實施細則》等有關規(guī)定，經有關單位申報、初審推薦、復審核查、專家評審論證和省科技廳黨組會審定等程序，現(xiàn)將2023年遼寧省科技成果轉化和技術轉移獎勵性后補助計劃擬立項項目公示如下
成果轉化與獎勵處
2023-06-21
去耦合機制將表面浸潤性和機械穩(wěn)定性拆分至兩種不同的結構尺度
通常，減少固-液接觸是增強表面超疏水性的常用手段，根據(jù)Cassie-Baxter方程，固-液接觸面積的減小，有利于提高表觀接觸角和降低滾動角。但由于接觸面積的降低，必然導致微/納結構承受更高的局部壓強，從而更易磨損，這就意味著超疏水性和機械穩(wěn)定性在提高一種性能時必然導致另一種性能下降。該論文基于全新思路，首次通過去耦合機制將超疏水性和機械穩(wěn)定性拆分至兩種不同的結構尺度，并提出微結構“鎧甲”保護超疏水納米材料免遭摩擦磨損的概念。結合浸潤性理論和機械力學原理分析得出微結構設計原則，利用光刻、冷/熱壓等微細加工技術將裝甲結構制備于硅片、陶瓷、金屬、玻璃等普適性基材表面，與超疏水納米材料復合構建出具有優(yōu)良機械穩(wěn)定性的鎧甲化超疏水表面。該工作在集成高強度機械穩(wěn)定性、耐化學腐蝕和熱降解、抗高速射流沖擊和抗冷凝失效等綜合性能的同時，還實現(xiàn)了玻璃鎧甲化表面的高透光率，為該表面應用于自清潔車用玻璃、太陽能電池蓋板、建筑玻璃幕墻創(chuàng)造了必要條件。研究人員將該表面應用于太陽能電池蓋板，實現(xiàn)了表面依靠冷凝液滴清除塵埃顆粒的自清潔方式，為少雨地區(qū)提供自清潔太陽能電池的解決方案。基于玻璃裝甲化表面的自清潔技術可巧妙地利用雨或霧滴消除粉塵、鳥類糞便等污染，長期維持太陽能電池高效的能量轉換，并節(jié)省傳統(tǒng)清潔過程中必需的淡水資源和勞動力成本。該論文創(chuàng)新的設計思路和通用的制造策略展示了鎧甲化超疏表面非凡的應用潛力，必將進一步推動超疏水表面進入廣泛的實際應用。
電子科技大學
2021-04-11