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小試階段/n氮化硅陶瓷作為一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，具有強(qiáng)度高、硬度大、高溫蠕變小、抗熱震穩(wěn)定性好、耐磨、耐腐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)異特性，被廣泛應(yīng)用于機(jī)械、化工、熱工及航空航天等領(lǐng)域。氮化硅粉體是制備高性能氮化硅陶瓷的基礎(chǔ)， 氮化硅粉體的制備及性能對(duì)氮化硅陶瓷的制備具有舉足輕重的作用。目前，氮化硅粉體的制備方法主要有：碳熱還原二氧化硅法、自蔓延法、熱分解法、氣相反應(yīng)法和硅粉直接氮化法等。現(xiàn)有的氮化硅粉體制備技術(shù)都存在一些不足：成本高，反應(yīng)溫度高，氮化周期長(zhǎng)，純度低，工藝過程復(fù)雜，不易控制，粉體不呈晶須狀等，

本實(shí)用新型公開了一種光伏全覆蓋式漁光互補(bǔ)高密度魚類養(yǎng)殖系統(tǒng)，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)和魚類集約養(yǎng)殖系統(tǒng)，光伏發(fā)電系統(tǒng)包括太陽能電池組件、光伏支架、防雷匯流箱、逆變器集成工作箱、升壓變壓器、電網(wǎng)、充放電控制器、蓄電池組和逆變器；魚類集約養(yǎng)殖系統(tǒng)包括提水增氧推水機(jī)、底增氧設(shè)備、吸污設(shè)備、增氧推水區(qū)、養(yǎng)殖區(qū)、糞便收集區(qū)、水質(zhì)凈化區(qū)、攔魚柵網(wǎng)片、養(yǎng)殖設(shè)施墻體、水流導(dǎo)向設(shè)施，太陽能電池組件安裝在整個(gè)魚塘上部，太陽能電池組件的光伏板以陣列方式安裝，陣列之間設(shè)4~12米的間距。本實(shí)用新型的光伏發(fā)電與魚類露天式集約養(yǎng)殖一體化復(fù)合生產(chǎn)系統(tǒng)，能有效提高水面利用效率，大幅提高單位水面面積的經(jīng)濟(jì)效益，為河網(wǎng)地區(qū)水域資源利用提供一種重要途徑。

本實(shí)用新型公開了一種基于偏振光相位調(diào)制的結(jié)構(gòu)光生成裝置。激光器發(fā)出線偏振光的光束入射到半波片上，經(jīng)過半波片偏振方向旋轉(zhuǎn)角度，再到電光相位調(diào)制器中分解成兩個(gè)偏振分量，被電光相位調(diào)制器調(diào)制產(chǎn)生相位差，接著經(jīng)擴(kuò)束鏡擴(kuò)束后入射到左、右偏振分光鏡拼接后形成的端面中間讓調(diào)制后的光束透過，然后兩路光束入射到偏振片上僅透過沿其光軸方向的分量形成一路光束，最終聚焦在聚焦鏡的焦點(diǎn)處發(fā)生干涉。本實(shí)用新型能應(yīng)用到熒光顯微成像上，能獲得更好的熒光信號(hào)信噪比和更強(qiáng)的組織內(nèi)部大深度成像能力。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹照度傳感器產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品介紹  GZD系統(tǒng)光照度變送器采用對(duì)弱光也有較高靈敏度的硅蘭光伏探測(cè)器作為傳感器；具有測(cè)量范圍寬、線形度好、防水性能好、使用方便、便于安裝、傳輸距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，適用于各種場(chǎng)所,尤其適用于農(nóng)業(yè)大棚、城市照明等場(chǎng)所。根據(jù)不同的測(cè)量場(chǎng)所，配合不同的量程，線性度好、  防水性能好 、可靠性高、  結(jié)構(gòu)美觀、安裝使用方便、抗干擾能力強(qiáng)。 使用標(biāo)準(zhǔn) 1個(gè)單位的照度大約為1個(gè)燭光在1米距離的光亮度。 夏日晴天強(qiáng)光下照度為10萬 Lux（3～30萬Lux）； 陰天光照度為1萬 Lux； 日出、日落光照強(qiáng)度為    300～400Lux； 室內(nèi)日光燈照度為         30～50Lux； 夜里                    0.3～0.03 Lux（明亮月光下）； 0.003～0.0007 Lux（陰暗的夜晚） 以上參數(shù)公供參考   技術(shù)參數(shù):   供電電壓：          12VDC～30VDC 感光體：         帶濾光片的硅藍(lán)光伏探測(cè)器； 波長(zhǎng)測(cè)量范圍：         380nm～730nm；   準(zhǔn) 確 度：                   ±7％ 重復(fù)測(cè)試：                  ±5%； 溫度特性：                 ±0.5%/℃；   測(cè)量范圍：                0～200000Lux   輸出形式：           二線制4～20mA電流輸出 三線制0～5V電壓輸出 液晶顯示輸出 232/485網(wǎng)絡(luò)輸出   使用環(huán)境：           0℃～40℃、0%RH～70%RH（帶液晶）； 0℃～70℃、0%RH～70%RH(不帶液晶) 大氣壓力： 80～110kPa 聯(lián)系我們： 電話： （010）57167501/7502 網(wǎng)址：   www.diysensor.com 手機(jī):  13488682012 Q Q:     335363231 地址：北京市朝陽區(qū)奧運(yùn)9#院  

天津大學(xué)地科院全自動(dòng)熱釋光/光釋光測(cè)年儀采購項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

1. 痛點(diǎn)問題 隨著能源危機(jī)和節(jié)能減排的驅(qū)使，大力發(fā)展電動(dòng)汽車成為緩解能源危機(jī)和環(huán)境污染的有效途徑，汽車燃油是石油消耗的主體。汽車尾氣占全世界總二氧化碳排放量的10%至15%。電動(dòng)汽車可以減小二氧化碳的排放量，改善大氣環(huán)境。以光伏電池作為新能源輸入的電動(dòng)汽車充放電站也將具有更大的優(yōu)勢(shì)。推動(dòng)光伏供電的電動(dòng)汽車充放電站的建設(shè)，不僅發(fā)展了電動(dòng)汽車行業(yè)，也推動(dòng)了光伏產(chǎn)業(yè)及新能源的發(fā)展，同時(shí)對(duì)于節(jié)能減排，改善環(huán)境具有雙重推動(dòng)作用。 現(xiàn)有的光伏電動(dòng)汽車充電站仍以交流母線或直流母線進(jìn)行光伏電池、電動(dòng)汽車蓄電池和電網(wǎng)之間的能量變換。現(xiàn)有的能量變換需要通過多級(jí)電力電子變換器實(shí)現(xiàn)，即需要多級(jí)直流-直流變換器，直流交流變換器等，這使得能量變換的效率很低。多級(jí)電力電子變換的現(xiàn)有方案效率低，成本高，無法對(duì)產(chǎn)業(yè)瓶頸形成有效突破。 2. 解決方案 本項(xiàng)目提出了一種高效的新型光伏充電系統(tǒng)，和用于此系統(tǒng)的充電控制方法。 新型光伏充電系統(tǒng)包括：一個(gè)或多個(gè)高頻逆變器，與一個(gè)或多個(gè)光伏電池組件一一對(duì)應(yīng)連接，以及多端口變換器。高頻交流逆變器之間通過高頻交流母線連接。多端口變換器包括分別與高頻交流母線和直流母線連接的兩個(gè)端口以及與蓄電池連接的一個(gè)端口。多端口變換器用于實(shí)現(xiàn)高頻交流母線、直流母線與蓄電池之間的能量變換。 用于光伏充電系統(tǒng)的充電控制方法包括：對(duì)于一個(gè)或多個(gè)光伏電池組件中的每一個(gè)，采集該光伏電池組件的輸出電流和輸出電壓，對(duì)該光伏電池組件進(jìn)行最大功率跟蹤，并輸出電壓給定值。將電壓給定值與該光伏電池組件的輸出電壓進(jìn)行比較，并輸出光伏電池比較結(jié)果；根據(jù)比較結(jié)果控制與該光伏電池組件相對(duì)應(yīng)的高頻逆變器中的開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)相對(duì)于多端口變換器中開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的移相角；將多端口變換器輸入蓄電池的輸入電流與蓄電池的充電電流曲線進(jìn)行比較，并輸出蓄電池的比較結(jié)果，根據(jù)此結(jié)果利用脈寬調(diào)制方式控制多端口變換器中的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 合作需求 與新能源乘用車/商用車整車廠、房地產(chǎn)企業(yè)，充電運(yùn)營(yíng)商等企業(yè)合作，開展知識(shí)成果落地和工程化的工作。

研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī)，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長(zhǎng)的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級(jí)，帶來的結(jié)果就是對(duì)計(jì)算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計(jì)算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)計(jì)算力與功耗的需求，因此提高運(yùn)算速度同時(shí)降低運(yùn)算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。 如當(dāng)年集成電路開創(chuàng)信息時(shí)代一樣，當(dāng)下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時(shí)，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進(jìn)，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)已是必然。相對(duì)于電子驅(qū)動(dòng)的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點(diǎn)，利用光信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計(jì)算、存儲(chǔ)和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項(xiàng)目功能 本項(xiàng)目瞄準(zhǔn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象，探索關(guān)鍵微納制造技術(shù)，研制出可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術(shù)路線 一、技術(shù)原理及可行性 本項(xiàng)目主要負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注，化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點(diǎn)。香港大學(xué)的蔡凱威小組和申請(qǐng)人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù)，在藍(lán)寶石氮化物晶圓上實(shí)現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Ooi教授和美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍(lán)寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實(shí)現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測(cè)速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實(shí)現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝流程 本項(xiàng)目提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍(lán)寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進(jìn)行設(shè)計(jì)，無需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍(lán)光LED外延片為例，其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示，從下至上依次為藍(lán)寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長(zhǎng)的光源器件。   圖3為本項(xiàng)目所提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍(lán)寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級(jí)微納加工技術(shù)，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連，光線從透明的藍(lán)寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡(jiǎn)化了其后期的封裝工藝。 三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì) 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強(qiáng)PD對(duì)藍(lán)寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢(shì)； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡(jiǎn)化了封裝形式和工藝，不再需要對(duì)LED和PD進(jìn)行單獨(dú)的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡(jiǎn)化了生長(zhǎng)異質(zhì)材料的復(fù)雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進(jìn)行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測(cè)試與電學(xué)性能測(cè)試平臺(tái)，并且項(xiàng)目成員積累了豐富的測(cè)試技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)，能夠滿足本項(xiàng)目的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片測(cè)試同時(shí)表征光電參數(shù)與電學(xué)參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項(xiàng)目利用單個(gè)多功能集成器件成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)人體脈搏的監(jiān)測(cè)功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實(shí)現(xiàn)了照明、成像和探測(cè)功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點(diǎn)亮照明的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)外界光信號(hào)的探測(cè)與感知，通過后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實(shí)現(xiàn)多種功能的集成。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授是國(guó)家自然基金委優(yōu)秀青年項(xiàng)目、國(guó)家973項(xiàng)目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學(xué)術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利23項(xiàng)，美國(guó)發(fā)明專利2項(xiàng)，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報(bào)道，榮獲2019年中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)（自然科學(xué)）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎(jiǎng)等。

在大尺寸寬禁帶/半導(dǎo)體單晶襯底外延設(shè)備、材料生長(zhǎng)等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國(guó)內(nèi)第一臺(tái)用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統(tǒng)，研究發(fā)展了獲得高質(zhì)量GaN襯底所需的所有關(guān)鍵技術(shù)并擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在氮化鎵單晶襯底設(shè)備和材料技術(shù)領(lǐng)域已獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)、申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)最早研制出2英寸毫米級(jí)GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統(tǒng)并實(shí)現(xiàn)7片2吋及4-6吋GaN均勻生長(zhǎng)；研究出創(chuàng)新性的GaN襯底批量制備技術(shù)，即將進(jìn)行高質(zhì)量、低成本GaN襯底的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為第三代半導(dǎo)體應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種激光輔助低溫生長(zhǎng)氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反 應(yīng)腔室內(nèi)溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長(zhǎng)與活性氮源分 子鍵共振波長(zhǎng)相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個(gè)襯底