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產品詳細介紹

產品詳細介紹光具座

360mm×220mm×240mm，包括暗箱、彎曲的光道。普通光能“穿過”障礙物，不可開啟觀看。

產品詳細介紹X射線探測箱超薄便攜，厚度不到7cm；◆國家專利產品；（專利號：200620115934.0）◆成像面積超大，達到200cm * Xcm，只需X射線透視一次就可檢測完一個中型旅行箱的每個角落；◆探測效率超強，可以大大降低輻射劑量； 穿透能力強，能檢測很厚的箱包；◆X射線探測箱可根據被檢測物的形狀位置任意調整，正放、側放、翻轉、仰放、俯放都可以使用； 配備大功率高性能鋰離子電池，充電一次，可檢測600百余件嫌疑箱包，無需外接電源，可在野外工作；◆采用進口X光管，使用壽命長，能提供多種能量的X射線。有利于毒品、炸藥等有機物檢測；◆16位圖像灰度級（即65536種灰度層次），圖像動態范圍高達20000:1，比普通X射線透視圖像層次多數十倍。◆16bit數字X射線透視圖像實時采集、數字降噪、任意進行數字快照；◆多圖像管理界面，多比例縮放，局部放大，支持插值精顯，自適應顯示，微縮圖快速瀏覽；◆存儲/讀取gif、jpeg、bmp、tiff等常見圖像文件，便于執行任務的取證和報告；◆感興趣區域選擇，長度、角度、面積、周長測量；數據統計；◆調整圖像大小、旋轉平移、對比明暗調節、濾波增強、邊緣檢測、窗寬窗位調整；◆恢復/取消、銳化、平滑、邊緣、翻轉/鏡像、反片、偽彩色；◆灰度分布直方圖/灰度分布曲線顯示； 

光分路器又稱分光器，是光網絡系統將光信號進行耦合、分支、分配的重要無源器件之一，具有多個輸入端和多個輸出端的光纖匯接器件，常用M*N來表示一個分路器有M個輸入端和N個輸出端。

晶盛機電以技術創新作為持續發展的動力源泉。相繼開發出具有完全自主知識產權的全自動單晶生長爐、多晶鑄錠爐、區熔硅單晶爐、藍寶石爐等晶體生長設備，同時開發并銷售晶體加工、光伏電池和組件等裝備，致力于打造光伏產業鏈裝備技術和規模雙領先的裝備龍頭企業；在半導體產業實現8-12英寸大硅片制造用晶體生長及加工裝備的國產化，并取得半導體材料裝備的領先地位；成功掌握國際領先的450kg級超大尺寸泡生法藍寶石晶體生長技術，藍寶石材料業務具備較強的成本競爭力并逐步形成規模優勢；在工業4.0方向，公司為半導體產業、光伏產業和LED產業提供智能化工廠解決方案，滿足了客戶對“機器換人+智能制造”的生產模式需求。

超大帶寬 高性能100G/200G/400G，單纖容量20T+；光電共平臺，大小卡靈活配置，1T/2T平滑演進 極簡運維 網絡多層次全方位實時監控及智能診斷，覆蓋業務，光波道，光纖故障距離達160km 智能運營 業務自助快速發放、帶寬/時延隨需，提升TTM60%

最近以來，LED照明以其節能環保等優點，獲得了大規模的應用。以氮化物結構陶瓷相關材料（如AlN，Si3N4）為寄出的氧氮化物熒光粉在保持了高溫、化學和力學穩定性的基礎上，還具有較為優異的光轉換性能，贏得了越來越廣泛的關注。其中， 有潛力應用在紫外激發的白光LED上的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉不僅具有較高的光量子效率，而且與常用的熱淬滅嚴重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比，具有很高的熱穩定性。但是，目前報道的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉的制備方法（如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等， J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275；Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等，Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101）都是采用高純度氮化物粉體在高溫下通過固相反應合成，要求2050℃的高溫下，10個大氣壓的氮氣壓力，保溫4個小時以上獲得，粉體還要在保護環境中球磨粉碎由于高溫產生的團聚，成本及其高昂，且顆粒尺寸控制困難。探索能夠得到高純度、粒徑均勻可控、發光性能好的熒光粉且成本低的合成方法，對于這類新型材料的研究、應用都具有重要意義。 目前， AlN的合成方法主要有以下幾種: 鋁粉直接氮化法、碳熱還原法、氣相還原氮化法、裂解法、等離子體法、電弧熔煉法、自蔓延高溫合成法、微波合成法，其中前兩種方法已經應用于工業化大規模生產。比較而言，鋁粉直接氮化法為強放熱反應,反應不易控制，反應過程中放出的大量熱易使鋁形成融塊，造成反應不完全，難以制備高純度、細粒度的產品；碳熱還原法制備的氮化鋁粉末純度高、性能穩定、粉末粒度細小均勻、成形和燒結性能良好，但是因為反應物中必須加入稍過量的碳以保證反應完全，這種方法難以避免碳的殘留；而氣相還原氮化法制得的AlN純度高、粉末粒度細小均勻并且大大減少了碳的殘留。而在制備氮化鋁前驅體時溶膠-凝膠法又以成分易分布均勻、顆粒細小勝過固相混合法。我們首次利用檸檬酸做絡合劑，通過溶膠凝膠法制備Eu2O3和Al2O3均勻混合的反應前驅體，結合氣相還原氮化法的方法來合成AlN：Eu2+熒光粉，如下圖。這種制備方法成本低，且具有很強的普適性，可應用于合成其他高純氮化物應該材料。 該方法解決了生產氮化物熒光材料中需要高純氮化物作為起始粉料成本高等劣勢，利用價格低廉，原料易得的氧化物作為原料，合成出所需的氮化物熒光材料。而且此方法反應活性高，低溫下得到顆粒大小均勻，發光穩定可控的發光材料，節約后處理成本。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

最近以來，LED照明以其節能環保等優點，獲得了大規模的應用。以氮化物結構陶瓷相關材料（如AlN，Si3N4）為寄出的氧氮化物熒光粉在保持了高溫、化學和力學穩定性的基礎上，還具有較為優異的光轉換性能，贏得了越來越廣泛的關注。其中， 有潛力應用在紫外激發的白光LED上的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉不僅具有較高的光量子效率，而且與常用的熱淬滅嚴重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比，具有很高的熱穩定性。但是，目前報道的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉的制備方法（如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等， J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275；Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等，Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101）都是采用高純度氮化物粉體在高溫下通過固相反應合成，要求2050℃的高溫下，10個大氣壓的氮氣壓力，保溫4個小時以上獲得，粉體還要在保護環境中球磨粉碎由于高溫產生的團聚，成本及其高昂，且顆粒尺寸控制困難。探索能夠得到高純度、粒徑均勻可控、發光性能