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本發明公開了一種微米實心硫化銅球的制備方法，采用如下的步驟：在盛水的容器底部放入導電玻璃片，導電面向上；在容器中配制30ml濃度為1.0~1.3mol/L的硫代硫酸鈉溶液；加入10ml濃度為1.0~1.3mol/L的氯化銅溶液；再把氯化銅溶液與相應摩爾濃度硫代硫酸鈉溶液按照1:3的比例混合，然后把混合溶液倒入放有導電玻璃片的容器中；再經靜止放置、烘干得到干燥的尺寸為0.3~3.0um的實心硫化銅微球目標產物。本發明方法設備簡單，能耗低，合成步驟少，操作簡單，室溫下(25℃左右)即可反應，適合大規模生產，而且制得硫化物的性能優良。

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已有樣品/n目前，在波紋管生產過程中由于管壁薄，總是由于各種原因出現管 口形變損壞的情況。通常這種管口受損的波紋管只能直接報廢，造成材 料和人工損失。此外，在加工過程由于原料儲備不可能各種尺寸型號都 齊備，當要求的產品規格比原料略小的情況時就需要通過縮管生產出符 合標準規格的產品，因此，亟需一種可解決上述問題的波紋管縮管模具。 薄壁波紋管的縮管模有效的解決了現有技術在波紋管生產過程中由 于管壁薄，總是由于各種原因出現管口形變損壞的情況。 該技術能廣泛應用于各類需要改變管件直徑尺寸的領域。極大方便 了

現今，高響應度光電倍增管(PMT)為最廣泛應用于微弱紫外信號的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實現陣列探測和價格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經成為近年來國際上光電探測領域的研究熱點。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結構簡單、可在室溫下工作、成本低等優點。隨著碳化硅材料和其器件制備技術的不斷發展，其紫外光電探測器性能指標有望達到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢

該產品是一種堿性氧化硅分散體，具有極強的潤滑性，即使凝結也不受影響。精度最高的膠質硅產品適用于精密五金、硅、藍寶石和其他多種氧化晶體。與去離子水的推薦稀釋比為1:1，PH值為9.5-11.5，與#450瀝青或LP聚胺脂拋光皮搭配使用。

采用紅外光譜和拉曼光譜技術，克服了GaN中強烈的剩余射線帶相關反射區導致的測量難題，實驗中觀察到半絕緣GaN中與C有關的兩個局域振動模，并結合第一性原理計算，給出了C雜質在GaN中替代N位的直接證據，解決了這一長期存在的爭議問題。該成果對于理解和認識C雜質在AlN、BN、ZnO等其他六方對稱化合物半導體材料中的摻雜行為亦具有重要的參考價值。

本發明屬于表面工程技術的應用，具體是成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法，在等離子體偏壓反濺清洗過的表面平整的基片上，以反應濺射工藝模式在基片表面沉積成分振蕩金屬氮化物涂層，沉積過程中，通過改變N2氣與Ar氣的分流量或分氣壓來控制濺射氣體中N2氣與Ar氣的含量比，且N2氣與Ar氣的含量比變化曲線隨涂層沉積時間呈現出周期性變化規律。本發明制得的涂層中N元素的含量比沿涂層生長方向的分布具有振蕩特征；涂層是由多個亞層組成的多層結構，而每一亞層中N元素含量比的變化呈現梯度分布特征，該涂層具有梯度化與多層化的雙重復合結構特征。

大粒徑硅溶膠以其獨特的物理化學性質，在涂料、建材、電子、陶瓷、橡膠、紙張、紡織、環境保護及化妝品等多個領域展現出廣泛的應用前景。隨著科技的不斷進步和生產工藝的改進，大粒徑硅溶膠的應用范圍和潛力將進一步拓展，為各行業的發展提供更為強大的支持。

本發明提供了一種微米級分子篩負載型納米鐵材料的制備方法，該方法包括步驟：分子篩載體的預處理、微米級分子篩負載型納米鐵材料的制備。本發明以MCM-41介孔分子篩為載體，通過液相還原法在分子篩載體上原位生成納米鐵顆粒，其納米鐵質量負載率為25%-90%，制得的微米級分子篩負載型納米鐵材料的粒徑范圍為1.2μm-20μm，孔徑范圍為1.5nm-4.5nm。MCM-41介孔分子篩與納米鐵耦合后制備成高活性微米級負載型納米鐵材料，有益效果是有效的改善納米鐵在空氣中的穩定性，提高納米鐵在水介質中的分散性，有效抑制納米鐵顆粒的團聚效應，增加了納米鐵材料的活性位點，提高納米鐵材料的表面活性。使其在水處理工藝中更易于分離回收，回收率可達100%。