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PZT-43 PZT-52 Φ36×Φ32×40壓電陶瓷管
淄博宇海電子陶瓷有限公司
2021-08-30
一體成型碟形陶瓷臺面（1.8米通風柜）
產品名稱：一體成型碟形陶瓷臺面（1.8米通風柜）
產品型號：TOOK D05適用范圍：1.8 米通風柜釉面色澤：多色可選主要成分：由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內乃至全球實驗室臺面的最佳材質選擇。
如何判斷優質陶瓷臺面釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。）耐污染指標：是否符合國家檢測標準。輻射限量指數：是否低于國家限量標準。
陶克基業（北京）科技有限公司
2022-04-18
一體成型碟形陶瓷臺面（1.5米通風柜）
產品名稱：1.5米通風柜（一體成型碟形陶瓷臺面）
產品型號：TOOK D04
適用范圍：1.5 米通風柜
釉面色澤：多色可選
主要成分：由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內乃至全球實驗室臺面的最佳材質選擇。
如何判斷優質陶瓷臺面
釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。
燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。）
耐污染指標：是否符合國家檢測標準。
輻射限量指數：是否低于國家限量標準。
陶克基業（北京）科技有限公司
2022-04-18
二氧化釩基單晶體的制備方法及二氧化釩基單晶體
絕緣體-金屬相變材料領域。 利用簡單易行的方法制備大尺寸高質量二氧化釩單晶體，實現了二氧化釩單晶體電阻的快速溫度響應。
中國科學技術大學
2021-04-14
銅基量子自旋液體的候選者和銅基高溫超導材料母體在摻雜后的電子結構
劉奇航及其合作者以最近由中科院物理所領銜的研究團隊發現的ZnCu3(OH)6BrF為例，采用修正后的單體平均場密度泛函理論方法，對這一體系的本征和摻雜行為進行了詳盡的模擬。研究發現，ZnCu3(OH)6BrF摻雜后，摻入的電子并沒有成為期待的“自由載流子”，而是局域在一個銅原子周圍，引起了局域形變。這種電子與束縛它的晶格畸變的復合體稱為極化子（如圖一所示）。本征材料的帶隙中形成新的電子態。因此，電子摻雜后，ZnCu3(OH)6BrF并沒有實現半導體到導體的轉變。相比之下，具有類似CuO4局部環境的銅氧化物高溫超導體的母體材料Nd2CuO4顯現除了不同的隨摻雜濃度變化的導電性。研究發現，低摻雜濃度時，銅原子附近形成較為擴展的極化子，因此在高摻雜濃度時，這些極化子之間的躍遷可以使系統導電性大大增加，實現半導體到導體的轉變，與實驗觀測很好地吻合。? 該研究圓滿地解釋了最近實驗上觀測到的Kagome晶格的鋅銅羥基鹵化物在摻雜后并不導電的現象，指出要在量子自旋液體實現超導，僅僅找到量子自旋液體體系是遠遠不夠的，還必須實現有效摻雜，注入一定濃度的“自由載流子”，為耕耘在該領域的實驗工作者提出了新的挑戰和實驗方向。
南方科技大學
2021-04-13
一種溶液法合成嵌段聚合物納米二氧化硅的方法
本發明涉及納米粒子制備領域，公開了一種溶液法合成嵌段聚合物接枝納米二氧化硅的方法，通過對納米粒子及其應用需求進行整體設計，通過對納米二氧化硅表面活化改性，接枝上具有不同性質的多組元線性聚酯鏈段，并引入不同性質線性聚酯長分子鏈，得到具有特殊表面結構的改性納米二氧化硅；經過表面特殊結構修飾后，形成“有機胡須”包覆的納米二氧化硅粒子，該種納米粒子與大多數樹脂基體有很好的相容性，其中聚酯鏈段可以結晶成核，進而呈現出對線性聚酯樹脂基體的優異的成核誘導效應。納米二氧化硅在塑料、橡膠、纖維、涂料、生物技術等領域有著廣泛的應用。
青島大學
2021-04-13
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
一種介孔二氧化硅包覆納米金顆粒的制備方法
本發明公開了一種利用介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，結合納米金球合成的傳統手段-檸檬酸鈉還原法，采用一鍋兩步法發展了一種介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，該方法選擇在碳鏈的陽離子表面活性劑如十六烷基三甲基溴化銨的堿性水溶液體系中對納米金顆粒進行包覆。采用本發明的包覆方法，無需引發劑活化和后續分離純化，具有簡單、高效、高產的特點，并且產物 Au@mSiO2 的大小均一，粒徑大小在 20-120nm 的范圍內連續可調，且在整個范圍內呈現出均一有序的介孔狀結構。
華中科技大學
2021-04-14
一種環氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及制備方法
本發明公開了一種環氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及其制 備方法。所述環氧樹脂-二氧化硅空心管復合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環氧樹脂中，其 添加量為環氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環氧樹脂中，形成環氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3
華中科技大學
2021-04-14
利用兩嵌段聚合物 PS-PAA 合成介孔二氧化硅材料
該方法合成的材料具有規則的孔隙結構，高度有序，合成條件溫和簡單，可操行強，重復性好，材料具有較大的比表面積，可用于多種功能化，進行藥物釋放等應用。
上海理工大學
2021-01-12