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科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
陽(yáng)離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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顆粒增強(qiáng)無(wú)機(jī)非金屬基復(fù)合材料
本材料采用無(wú)機(jī)高分子材料與各種高硬度陶瓷顆粒（硬度Hv1800～2800）在常溫復(fù)合固化而成。由于采用與金屬結(jié)合力極強(qiáng)的高分子樹脂，因此特別適用于對(duì)磨損后部件的修復(fù)。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
制作斜面培養(yǎng)基的可調(diào)式支架
本實(shí)用新型公開一種制作斜面培養(yǎng)基的可調(diào)式支架，包括底板以及垂直設(shè)置在底板上的支撐座、限位板和支撐板，底板上還設(shè)置有滑軌，限位板和支撐板可沿所述滑軌左右滑動(dòng)；支撐座上設(shè)置有支撐凹槽，限位板上設(shè)置有限位通孔，支撐板上設(shè)置有卡槽；本實(shí)用新型通過(guò)左右滑動(dòng)支撐板改變?cè)嚬艿膬A斜角度，并通過(guò)滑動(dòng)限位板實(shí)現(xiàn)限位，達(dá)到一架多用的目的，有效保證了培養(yǎng)基在制作過(guò)程中的穩(wěn)定性，且支撐板的高度可設(shè)計(jì)成高度可調(diào)的形式，進(jìn)一步擴(kuò)寬應(yīng)用范圍；另外在底板上設(shè)置有刻度線、凸板上設(shè)置標(biāo)示卡，方便實(shí)驗(yàn)人員進(jìn)行記錄和觀察，操作方便，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，保證了實(shí)驗(yàn)的穩(wěn)定性，具有廣泛的實(shí)用價(jià)值。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
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天然高分子基醫(yī)用植物膠囊（產(chǎn)品）
成果簡(jiǎn)介：傳統(tǒng)膠囊囊殼基本由動(dòng)物明膠構(gòu)成，其易失水硬化、吸潮軟化，遇醛類易交聯(lián)，再加上國(guó)際穆斯林、猶太教和素食協(xié)會(huì)等特殊文化人群的抵 制，使植物膠囊成為傳統(tǒng)膠囊優(yōu)選的替代產(chǎn)品。但國(guó)產(chǎn)的植物膠囊骨架材料——羥丙基甲基纖維素(HPMC)性能不達(dá)標(biāo)。本技術(shù)解決了植物膠囊專用醫(yī)藥 級(jí) HPMC 研發(fā)、應(yīng)用，及其膠囊母料復(fù)配技術(shù)與加工成型難題。膠囊的制備 充分利用現(xiàn)有明膠生產(chǎn)設(shè)備與條件，在不改動(dòng)或少改動(dòng)膠囊加工設(shè)備的前提 下，調(diào)整溶液濃度、成型工藝，控制烘干溫度、風(fēng)速、時(shí)間來(lái)調(diào)整膠囊的形狀、厚度及透明度、脫
北京理工大學(xué)
2021-04-14
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發(fā)現(xiàn)高性能AgBiSe2基熱電材料
熱電效應(yīng)（Thermoelectric Effects）提供了一種在熱能和電能之間直接轉(zhuǎn)化的手段，在現(xiàn)今世界能源和環(huán)境問(wèn)題的背景下，熱電效應(yīng)作為一種清潔有效的能源轉(zhuǎn)化方式而受到廣泛關(guān)注。相比于傳統(tǒng)的熱電材料，I?V?VI2 (I=Ag; V=Sb, Bi; and VI=S, Se, Te)型半導(dǎo)體由于本征的極低晶格熱導(dǎo)率而成為具有良好潛力的熱電材料體系。盡管AgSbTe2是其中最為廣泛研究的材料，但是由于其制備需要大量豐度較低的元素碲（Tellurium），且熱穩(wěn)定性較差，因而人們希望用更加廉價(jià)和穩(wěn)定的AgBiSe2來(lái)代替。之前對(duì)于AgBiSe2的研究，主要集中在通過(guò)對(duì)其進(jìn)行元素?fù)诫s優(yōu)化載流子濃度這一方面，而本文指出通過(guò)將AgBiSe2與AgBiS2復(fù)合，使用球磨的方法使兩相完全固溶，可以更進(jìn)一步降低材料的晶格熱導(dǎo)率。結(jié)果顯示，材料的熱導(dǎo)率在773K溫度下，從原本的~0.5 W/mK降低到了0.33 W/mK，成為這個(gè)體系到目前為止報(bào)道的最低的熱導(dǎo)率。結(jié)合電性能用銦摻雜改性，最終，該材料在773K時(shí)的最高ZT值到達(dá)了0.9，與該體系之前取得的最高ZT相近，是本征AgBiSe2的2.5倍左右(如圖所示)。這種運(yùn)用球磨實(shí)現(xiàn)多相固溶以降低晶格熱導(dǎo)率的方法，也為其他體系熱電材料的相關(guān)研究指出了一個(gè)值得嘗試的方向。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
剛性Mg基新型室溫?zé)犭姴牧戏矫?/span>
該研究詳細(xì)闡述了由于實(shí)空間中Mg-Mg化學(xué)鍵構(gòu)成的電子輸運(yùn)通道遠(yuǎn)離陰離子位置，使Mg3Sb2-yBiy材料體系中合金化原子散射聲子降低晶格熱導(dǎo)率的同時(shí)對(duì)電子散射較弱，有利于實(shí)現(xiàn)電熱輸運(yùn)的解耦與分別調(diào)控（如圖1）。最終，研究成功實(shí)現(xiàn)Mg3Sb2-yBiy材料體系室溫功率因子的進(jìn)一步提升，并在Mg3+δSb1.0Bi1.0:Mn0.01材料中實(shí)現(xiàn)室溫下
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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基于絲蛋白基的天然化妝品
中國(guó)化妝品市場(chǎng)增速始終高于世界平均水平。數(shù)據(jù)顯示，2017年全國(guó)化妝品市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3616億元，同比增速達(dá)到10%。從增速來(lái)看，自2012年到2015年我國(guó)化妝品市場(chǎng)規(guī)模增速不斷下滑，到2017年增速明顯提升，未來(lái)發(fā)展空間巨大。
從化妝品品類上看，我國(guó)化妝品市場(chǎng)表現(xiàn)出鮮明的地域特色。在我國(guó)，全球彩妝品類占比為14%，我國(guó)僅為9.5%，全球香水品類約占比為10.62%，而我國(guó)僅為1.70%。護(hù)膚品是化妝品中的膚用化妝品子類，主要具有清潔皮膚及補(bǔ)充皮膚養(yǎng)分等功能，如洗面奶、面霜、面膜等。目前市場(chǎng)規(guī)模呈高速膨脹態(tài)勢(shì)，行業(yè)仍處于成長(zhǎng)期。
護(hù)膚品包括面部護(hù)理、身體護(hù)理、手部護(hù)理和護(hù)理套裝四大品類，是化妝品行業(yè)中規(guī)模最大的子行業(yè)。2014年中國(guó)護(hù)膚品市場(chǎng)規(guī)模突破1500億元，2017年達(dá)到1787億元，到2020年，我國(guó)護(hù)膚品市場(chǎng)規(guī)模將突破2000億元。
浙江大學(xué)
2023-05-10
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鈦基氧化物涂層陽(yáng)極的制備
通過(guò)添加一種或幾種貴金屬、稀土及其它添加劑，采用熱分解法制備不同成分的鈦基氧化物涂層陽(yáng)極，采用特殊方法增強(qiáng)涂層與基體間結(jié)合力，研制出了適合海水條件下的金屬氧化物陽(yáng)極涂層，提高了電化學(xué)性能和物理性能。產(chǎn)品主要包括：釕鈦陽(yáng)極、釕銥鈦陽(yáng)極、釕銥鈷陽(yáng)極、銥錫鈦陽(yáng)極、釕銥錫鈦陽(yáng)極等。特點(diǎn)：1、電流效率高：與石墨陽(yáng)極相比，在相同的電流密度下，可降低槽電壓約1V ；2、電極使用壽命長(zhǎng)： 石墨電極一般使用壽命2—8個(gè)月，涂釕鈦陽(yáng)極可使用5—10年，提高15—3
大連理工大學(xué)
2021-04-14
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Si基GaN功率半導(dǎo)體及其集成技術(shù)
特色及先進(jìn)性；技術(shù)指標(biāo) 電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國(guó)內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。近年來(lái)在分立功率器件如功率整流器、增強(qiáng)型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽(yù)為“器件奧林匹克”的國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM上報(bào)道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強(qiáng)型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導(dǎo)通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導(dǎo)通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標(biāo)準(zhǔn)，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^(guò)1.1kV的儀器測(cè)量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報(bào)道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學(xué)
2016-06-08