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鋁基復合材料
金屬基復合材料問世不足三年，但由于其制備工藝簡單，價格便宜，具有高比強、高比剛及高耐磨性等優良性能，在國外已廣泛用于航空、航天、汽車、軍工等領域。我校于80年代開始進行鋁基復合材料的制備、性能及應用研究，已獲得許多重要成果，現已可用穩定工藝制備管材、棒材及形狀較為復雜的零部件，如汽車連桿、汽缸套、油田抽油機缸套、汽車摩擦片、皮帶輪等機器構件，還可用于開發各
西安交通大學
2021-01-12
垂直結構?GaN?基?LED
可以量產/n在垂直結構LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍寶石襯底可以回收后重復利用多次，藍寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結構LED發光效率可以達到121.57m/W@350mA隨著技術的不段進步，近幾年最受人們關注的是固態通用照明領域的高亮度大功率LED應用，然而這種應用卻受到藍寶石異質襯底所帶來的一系列技術問題的限制。除去了藍寶石襯底的垂直結構LED芯片具有優良的光電熱方面的性能，能滿足固態通用照明對其性能的要求，采用垂直結構LED方案是固態通用照明技術發展的 必然
中國科學院大學
2021-01-12
水泥基自修復材料
北京工業大學
2021-04-14
布基白塑幕
產品詳細介紹 采用高反射系數的塑料制成，屬線反射銀幕，幕面潔白均勻，光線反射柔和，視覺不易疲勞，價格低廉，適用于普通電化教學、電影放映等
江蘇省通州市長江銀幕廠
2021-08-23
技術需求：1.壓電陶瓷高居里溫度材料的研發； 2.壓電陶瓷低溫燒結；
1.壓電陶瓷高居里溫度材料的研發；2.壓電陶瓷低溫燒結；
淄博宇海電子陶瓷有限公司
2021-08-30
安徽大學在氮化鎵功率器件研究領域取得新進展
本工作中，基于安徽大學微納加工平臺以及香港科技大學納米系統實驗制造中心聯合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實現了電壓驅動/電流驅動的柵極結構，為后續的驅動設計和研發提供了器件技術支持；工作中也同時提出了兩種結構在高溫下的穩定性模型，為進一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎。
安徽大學
2022-06-13
安徽大學在氮化鎵功率器件研究領域取得新進展
近日，我校物質科學與信息技術研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領域取得最新研究進展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學
2022-06-01
基于石墨烯、氮化硼等二維材料的防腐應用
石墨烯由于其獨特的二維納米結構，且具有高強度、高熱穩定性、高化學穩定性以及優良的導熱性等特性，在防腐涂料領域具有廣闊的應用前景。石墨烯、氮化硼等二維材料由于其特殊的結構使其具有不透過性，作為金屬基底與腐蝕環境的阻隔層而保護基底不被自然環境所腐蝕。通過化學氣相沉積法及塊體剝離法可分別制備直接生長于金屬表面的大面積石墨烯、氮化硼薄膜，或粉狀的石墨烯、氮化硼納米片。通過化學氣相沉淀法，二維材料可以在任意形狀的金屬基底的所有暴露面上生長，實現對金屬表面的全面保護。
中國科學院大學
2021-01-12
奧華液基薄層細胞制片機染色機64通道
主要特點1、微電腦自動控制，中文界面，液晶顯示，觸摸屏操作，簡捷、直觀、方便。全程電腦自動控制，無需人工干預。2、每張標本獨立沉降制片、獨立固定、獨立染色。獨立分化、獨立返藍、獨立傾倒廢液,標本與耗材(一次性移液針筒、沉降倉等)一一對應，不交叉使用，不反復使用，保證單獨制片染色，無標本間交叉污染。3、一次性移液針筒抽取染色液、鹽酸酒精，無堵塞管道、腐蝕管道風險，染色液無浪費。4、隨著季節溫度變化，儀器自動檢測溫度并自動調整染色時間，保證最佳染色效果。(此功能可選擇)5、有效細胞單層、均勻地平鋪到載玻片圓形區域上，制成細胞成分豐富、背景清晰、顏色鮮艷、形態完整、分布均勻的細胞涂片。6、上皮細胞、化生細胞、頸管細胞及微生物等清晰，既可直接查癌及癌前病變，也可查炎癥，HPV感染、滴蟲、霉菌等微生物。7、配有凈化排氣裝置，環保密封罩活性炭過濾，吸附有害氣體，保證儀器內外空氣潔凈，保護操作者健康。8、單次制片染色1-64任意數值只標本；9、巴氏、HE兩種染色方式，一鍵切換。10、婦科、非婦科1、非婦科2三種工作模式，一鍵切換。
孝感奧華醫療科技有限公司
2025-01-20
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10