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工信部：到年底促進10萬家中小企業業務上云
今年將繼續增強企業數字化能力，到年底促進10萬家中小企業業務上云。
人民網
2022-03-09
工信部：我國制造業綜合實力、創新力、競爭力邁上新臺階
7月26日，工業和信息化部舉行“推動制造業高質量發展，夯實實體經濟根基”新聞發布會。工業和信息化部規劃司司長王偉、副司長姚珺，科技司副司長任愛光，運行監測協調局副局長王文遠出席發布會介紹相關情況，并答記者問。
工業和信息化部規劃司
2022-08-01
一種用于復合波片光軸對準的裝夾裝置
本發明公開了提供的一種用于復合波片光軸對準的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉臺、固定波片卡盤和旋轉波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉臺，固定波片卡盤與電控旋轉臺基座連在一起，旋轉波片卡盤與電控旋轉臺轉盤連在一起，使用時，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉波片卡盤上。本發明提供的裝夾裝置可以實現在對復合波片光軸進行高精度對準時，對組成復合波片的各晶片進行夾持，并保證不同晶片間能產生高精度高分辨率的相對轉動。與現有波片夾具相比，本發明所提供的裝夾裝置不僅能夠實現對兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產生高精度高分辨率地相對轉動，更適合用于復合波片光軸的對準過程。
華中科技大學
2021-04-11
一種稀土鐵基吸波材料及其制備方法
本發明公開了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內與氫氣反應(氫爆方法)破碎成細小粉末或球磨成細小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內與氫氣反應生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復合材料，最后將上述復合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價格低廉的特點，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術保密、軍事隱 身技術等領域。
四川大學
2021-04-11
中國天眼FAST納赫茲引力波搜尋研究取得重大突破
近日，由中國科學院國家天文臺等單位科研人員組成的中國脈沖星測時陣列（CPTA）研究團隊利用中國天眼FAST，探測到納赫茲引力波存在的關鍵性證據，表明我國納赫茲引力波研究與國際同步達到領先水平。
中國科學院國家天文臺
2023-06-29
一種電力系統故障錄波回放方法
本發明公開了一種電力系統故障錄波回放方法，采用雙 Picturebox 交互繪圖，其中畫布 Picturebox1 用于繪制波形圖， Picturebox2 用于繪制放大矩形框和定位光標，并且采用雙緩沖技術， 在繪制多面板、多通道時，先將所有面板繪制在緩沖區里，然后一次 性在 Picturebox 上繪制；顯示全局圖時，減小采樣率；查看局部時， 按真實采樣點數繪制；波形放大平移后，只繪制用戶可見時間區間內 的點。這樣可以避免在繪制放大矩形框或拖動光標時不斷重繪波形圖， 提高流暢度。
華中科技大學
2021-04-14
基于磁致伸縮扭轉波檢測導磁構件缺陷的裝置
基于磁致伸縮扭轉波檢測導磁構件缺陷的裝置，屬于超聲波無損檢測裝置，目的在于克服縱向模式導波衰減較大，存在明顯頻散效應的不足，檢測時無須對構件表面進行處理。本發明包括脈沖信號發生器、功率放大器、磁致伸縮扭轉波傳感器、信號預處理器、A/D 轉換器以及計算機；磁致伸縮扭轉波傳感器包括激勵單元和接收單元。計算機控制脈沖信號的產生，經功率放大器放大，通過激勵單元在構件中產生扭轉波，接收單元接收構件中傳播的扭轉波，經信號預處理器處理，通過 A/D 轉換器轉換為數字信號，通過計算機處理獲得構件的缺陷信息。本發明可
華中科技大學
2021-04-14
一種用于產生 OAM 波的環形縫隙天線
本發明公開了一種用于產生 OAM 波的環形縫隙天線，包括介質基板、矩形金屬貼片陣列和環形縫隙金屬板；環形縫隙金屬板設置在介質基板的正面，矩形金屬貼片均勻陣列分布在介質基板背面與環形縫隙金屬板的環形縫隙正對的位置；矩形金屬貼片的長度大于環形縫隙寬度；其優選方案還包括饋電電路和金屬反射板；饋電電路包括相移器和功分器，用于將一路輸入信號分成 N 路幅值相等、相位等差的輸出信號，經由矩形金屬貼片陣列給環形縫隙天線饋電；金屬反射板位于環形縫隙天線下方，以增強天線的正向輻射。本發明提供的這種環形縫隙天線天線能夠產生特定模式的 OAM 波，為生成 OAM 波提供了一種低成本、微型化的解決方法。
華中科技大學
2021-04-11
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優勢已經成為基站、廣播電視發射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10