网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

本實用新型公開了一種電樞各相繞組線圈拆分布置的永磁同步直線電機，包括次級和初級，初級電樞繞組多相供電，相數(shù)為 q，每相采用單一線圈和獨立鐵芯，各鐵芯按其繞組電相位分開布置在次級上，然后用非導(dǎo)磁材料剛性聯(lián)接形成一個整體初級。不同相繞組線圈分開布置，在空間上形成了與旋轉(zhuǎn)電機相似的各相繞組對稱特性，能有效減小邊端磁阻力和電磁脈動等推力波動成分。本實用新型直線電機除具有一般直線電機具有的傳動結(jié)構(gòu)簡單、系統(tǒng)加減速響應(yīng)快、定位精確等優(yōu)點外，還能大幅減少直線電機中各推力波動成分，是一種尺寸小、推力大而波動小的高性

本發(fā)明公開了一種碳氫燃燒火焰中氣相堿金屬濃度的檢測方法， 該方法包括如下步驟：獲取火焰在可見光波長區(qū)域的自發(fā)射光譜強度， 并修正以獲得修正后的自發(fā)射光譜強度；根據(jù)火焰類型以及修正后的 自發(fā)射光譜強度計算獲得火焰溫度和堿金屬發(fā)射譜線強度；根據(jù)火焰 溫度和堿金屬發(fā)射譜線強度計算火焰中基態(tài)堿金屬原子數(shù)濃度，并計 算獲得火焰中總的堿金屬原子數(shù)濃度；根據(jù)碳氫燃燒火焰中總的堿金 屬原子數(shù)濃度計算獲得火焰中氣相堿金屬的質(zhì)量濃度。本發(fā)明無需通 過標定來確定模型系數(shù)，易于實現(xiàn)，適用于對高堿碳氫燃料燃燒火焰 中氣相堿金屬濃度的精確檢測。

傳統(tǒng)制備聚合物/層狀無機物納米復(fù)合材料的方法如插層復(fù)合法工藝復(fù)雜，需要加入增容劑或?qū)訝顭o機物進行有機化處理，此外單體插層聚合涉及復(fù)雜的化學反應(yīng)，而熔體插層則要求聚合物的熔體粘度低。針對傳統(tǒng)插層復(fù)合法存在的問題，本項目將固相力化學方法引入聚合物/層狀無機物納米復(fù)合材料領(lǐng)域，利用磨盤形力化學反應(yīng)器獨特的三維剪結(jié)構(gòu)所提供的強大擠壓剪切力場和粉碎、混合、分散及固相力化學反應(yīng)功能，在磨盤碾磨過程中同時實現(xiàn)層狀無機物的粉碎、片層滑移和剝離，聚合物的粉碎和嵌入，聚合物與無機填料的固相分散和混合，得到聚合物/層狀無機物復(fù)合粉體，再經(jīng)進一步加工成型，可制備用途廣泛的聚合物/層狀無機物納米復(fù)合材料，如具有良好力學性能的結(jié)構(gòu)材料和具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱、電磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等。 主要技術(shù)指標： 可制備具有良好力學性能的結(jié)構(gòu)材料及具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱、電磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等; 所制備的PP導(dǎo)電導(dǎo)熱納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率可達5.2×10-4 S×cm-1，導(dǎo)熱率可達0.69 W×m-1×k-1; HDPE導(dǎo)電導(dǎo)熱納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率可達10-3 S×cm-1, 導(dǎo)熱系數(shù)可達2.2 W×m-1×k-1 建設(shè)投產(chǎn)條件（投入資金情況、需要的廠房、使用配套設(shè)施狀況等）： 需要帶分級裝置的磨盤形力化學反應(yīng)器、雙螺桿擠出機及注射/熱壓成型機。

基于對Mn-Bi-Te家族成員MnBi 2

本發(fā)明提供了動物源食品致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測復(fù)合芯片。本發(fā)明提供了用于鑒定動物源食品致病菌、致病菌耐藥基因和/或致病菌毒力基因的探針，由序列1?序列171所示的單鏈DNA分子組成。本發(fā)明實驗結(jié)果表明：本發(fā)明的動物源食品中致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測復(fù)合芯片，能夠有效的達到同時鑒定細菌及其毒力和耐藥基因的綜合目的。

鼻咽癌是鼻咽上皮來源的惡性腫瘤，多發(fā)于鼻咽頂部和咽隱窩，是一種多因素影響的復(fù)雜性疾病，其 發(fā)生與發(fā)展與遺傳因素、EB病毒感染及環(huán)境因素密切相關(guān)。本研究成果提供了一種用于鼻咽癌的發(fā)病風 險預(yù)測的試劑盒以及相應(yīng)的基因芯片，可同時檢測多個鼻咽癌易感基因SNP位點，為個體罹患鼻咽癌風險 程度、鼻咽癌高發(fā)區(qū)人群普查，篩查鼻咽癌發(fā)病高危人群以及進行相應(yīng)預(yù)防措施提供參考。本研究成果涵 蓋了11個鼻咽癌易感基因SNP位點及EB病毒分型，運用本研究成果設(shè)計的Taqman探針及引物，采集受試者 的生物樣本進行核酸提取及熒光定量PCR最終獲得其基因分型。本研究成果對于鼻咽癌發(fā)病風險預(yù)測的效 果良好，曲線下面積可達0.737，95%置信區(qū)間為0.672-0.802；p值達到了5.06E-10。此預(yù)測模型預(yù)測鼻咽 癌發(fā)病風險的靈敏度和特異度分別為87.41%和53.00%。

研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機、電腦、數(shù)碼相機，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級，帶來的結(jié)果就是對計算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創(chuàng)信息時代一樣，當下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢已是必然。相對于電子驅(qū)動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，探索關(guān)鍵微納制造技術(shù)，研制出可以同時實現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術(shù)路線 一、技術(shù)原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注，化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù)，在藍寶石氮化物晶圓上實現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設(shè)計，無需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術(shù)，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質(zhì)材料的復(fù)雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術(shù)與經(jīng)驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數(shù)與電學參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現(xiàn)了對人體脈搏的監(jiān)測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現(xiàn)了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點亮照明的同時，實現(xiàn)對外界光信號的探測與感知，通過后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現(xiàn)多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優(yōu)秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權(quán)中國發(fā)明專利23項，美國發(fā)明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術(shù)獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎等。

本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn) 品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板 正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅 基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔 的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光 金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱 金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔 離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電 極連接的金屬層；凹腔內(nèi)涂覆有熒光粉，凹腔的外圍加工有用于固定透鏡的環(huán)形定位腔。本發(fā)明能夠提高 LED 出光效率、加強散熱能力且 完成自對準。 

深圳博升光電科技有限公司是由美國工程院院士常瑞華創(chuàng)辦的中外合資企業(yè)，致力于研究生產(chǎn)用于3D感知領(lǐng)先世界的半導(dǎo)體垂直腔體激光器（VCSEL）光芯片。博升光電的創(chuàng)始團隊來自加州大學伯克利分校、斯坦福大學、清華大學等國際知名高校。其中研發(fā)團隊來自硅谷，工程生產(chǎn)團隊來自臺灣，市場運營團隊來自美國及中國，在產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、商業(yè)運營等方面經(jīng)驗豐富。博升光電成立后即獲得業(yè)界頂級投資公司武岳峰資本、力合創(chuàng)投、嘉御資本、聯(lián)想之星等超過1億元人民幣的A輪融資。點擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺進行溝通對接！