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伽瑪?shù)兜淖詣?dòng)換源設(shè)備及其方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于伽瑪?shù)兜淖詣?dòng)換源設(shè)備及其方法，該設(shè)備包括放射源防護(hù)塞移動(dòng)裝置和六自由度機(jī)械手，其中防護(hù)塞移動(dòng)裝置包括支撐放射源防護(hù)塞的托板(3)、彼此相連通并構(gòu)成 T 型導(dǎo)軌的 X軸導(dǎo)軌(7)和 Y 軸導(dǎo)軌(4)，以及用于將防護(hù)塞頂緊定位及牢固連接后經(jīng)由 T 型導(dǎo)軌拉出伽瑪?shù)吨鳈C(jī)的牽引機(jī)構(gòu)(1)，六自由度機(jī)械手(15)用于對(duì)放射源予以取出和更換。按照本發(fā)明，防護(hù)塞在移動(dòng)過(guò)程中能夠保持精確的定位以便重新安裝，自動(dòng)化執(zhí)行換源操作并隨時(shí)進(jìn)行人工干預(yù)，此外能解決人工換源造成輻射傷害的問(wèn)題。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
計(jì)算球頭銑刀銑削負(fù)載的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種計(jì)算球頭銑刀銑削負(fù)載的方法，包括如下步驟：獲得刀具與工件的相對(duì)位置參數(shù)模型，根據(jù)刀具與工件的相對(duì)位置參數(shù)模型確定參與切削的全部刀具微元，計(jì)算每個(gè)參與切削的側(cè)傾銑削微元的切入角、切出角以及瞬時(shí)切削厚度，計(jì)算每個(gè)參與切削的前傾銑削微元的切入角、切出角以及瞬時(shí)切削厚度，將每個(gè)側(cè)傾銑削微元的瞬時(shí)切削厚度和每個(gè)參與切削的前傾銑削微元的瞬時(shí)切削厚度進(jìn)行疊加，以獲得刀具微元的瞬時(shí)切削厚度，將參與切削的所有刀具微元的瞬時(shí)切削厚度進(jìn)行求和，以獲取球頭銑刀的瞬時(shí)銑削負(fù)載。本發(fā)明能在刀具側(cè)傾和前傾銑削時(shí)獲得刀具的切削刃與工件的瞬時(shí)切削狀態(tài)以及切削厚度，從而實(shí)現(xiàn)五軸銑削加工中切削力的預(yù)測(cè)。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種熒光成像裝置及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種熒光成像裝置及方法。所述裝置包括連續(xù)進(jìn)樣裝置、樣品管道、切片激光器和高速熒光采集端；連續(xù)進(jìn)樣裝置與樣品管道連接，樣品管道依次包括掃描管道和偏轉(zhuǎn)管道，掃描管道和偏轉(zhuǎn)管道夾角在 60°至 120°之間，掃描管道管壁為光學(xué)平整面；切片激光器產(chǎn)生的光切片投射在掃描管道上；連續(xù)熒光成像裝置垂直于切片光設(shè)置。所述方法包括以下步驟：(1)將熒光標(biāo)記的樣品分散于離散相中，由連續(xù)相驅(qū)動(dòng)形成樣品序列 24；
(2)每個(gè)樣品經(jīng)過(guò)激光切片器產(chǎn)生的光切片，激發(fā)熒光，連續(xù)熒光成像裝置采集多張切面熒光圖。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
磁約束脈沖渦流檢測(cè)方法與裝置
本發(fā)明涉及無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種磁約束脈沖渦流檢測(cè) 方法與裝置。其方法是在被測(cè)構(gòu)件表面設(shè)置一個(gè)圓環(huán)形永磁體，其上 下端面為磁極且極性相反，并使永磁體的中心線與被測(cè)構(gòu)件表面的法 線重合；依次同軸設(shè)置接收線圈和激勵(lì)線圈在永磁體的內(nèi)部；在激勵(lì) 線圈中加載直流電流，以產(chǎn)生穩(wěn)恒的一次磁場(chǎng)；在關(guān)閉激勵(lì)線圈中的 直流電流的同時(shí)，測(cè)量接收線圈的感應(yīng)電壓，得到檢測(cè)信號(hào)。其裝置 包括脈沖渦流傳感器、激勵(lì)控制單元、信號(hào)處理單元、A/D 轉(zhuǎn)換單元 和計(jì)算處理器，脈沖渦流傳感器中設(shè)置有圓環(huán)形永磁體。本發(fā)明利用 上下端面為磁極的圓環(huán)形永磁體，在被測(cè)構(gòu)件中產(chǎn)生垂直于其表面的 偏置磁場(chǎng)，約束了被測(cè)構(gòu)件中感應(yīng)渦流的向外擴(kuò)散，可有效提高檢測(cè) 靈敏度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來(lái)減薄芯片的方法，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來(lái)進(jìn)行減薄，所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過(guò)小，通過(guò)本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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超聚煤矸石砼及其制備方法
利用粉煤灰、煤矸石、水泥基材料、保溫骨料、合適的有機(jī)成分制備的一系列新型建筑保溫材料。隨著礦井開(kāi)采深度的增加，地下圍巖的溫度升高，由于圍巖向井內(nèi)散熱增加，加上地下熱水的滲漏，巷道內(nèi)的氣溫常年在35℃以上。為減少地下圍巖向井內(nèi)的傳熱，降低散熱成本，在礦井內(nèi)部引入該產(chǎn)品能起到支護(hù)與隔熱作用。主要的設(shè)計(jì)施工思路：三層式結(jié)構(gòu)即混凝土內(nèi)襯+保溫砂漿層+表面噴涂層。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
石門(mén)揭煤鉆孔布位設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明涉及的是一種最優(yōu)設(shè)計(jì)石門(mén)揭煤鉆孔布位的新方法。本方法的好處在于用三維坐標(biāo)系精確地描述出煤層信息和各鉆孔的詳細(xì)參數(shù)，用符合實(shí)際的精確設(shè)計(jì)來(lái)代替原來(lái)通用的粗略設(shè)計(jì)，當(dāng)煤層傾斜角很小的時(shí)候能大大減少布孔數(shù)量和覆蓋率。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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一種種子分層包衣方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種種子分層包衣方法，該方法依次進(jìn)行包黏合劑、包活性化學(xué)成分和填充劑、包復(fù)合肥微肥、包保水劑、包微生物菌劑和碳粉、包警戒性顏料以及添加致孔劑并干燥揮發(fā)等步驟。通過(guò)分層設(shè)計(jì)，為種子提供了全面的營(yíng)養(yǎng)供給，活性化學(xué)成分與復(fù)合肥微肥協(xié)同促進(jìn)種子生長(zhǎng)發(fā)育；保水劑層增強(qiáng)了種子的抗旱能力；微生物菌劑在碳粉隔離層保護(hù)下發(fā)揮固氮等有益作用；警戒性顏料層起到警示防護(hù)作用，且致孔劑形成的微孔及填充的吸水性樹(shù)脂進(jìn)一步提升了氣體交換和保水性能。同時(shí)，在微孔內(nèi)填充特定的聚丙烯酸鹽類吸水性樹(shù)脂，進(jìn)一步強(qiáng)化了種子對(duì)水分的調(diào)節(jié)能力，使其在不同濕度條件下都能更好地維持水分平衡。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
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戶外高壓噴霧降溫技術(shù)設(shè)計(jì)方法
科研團(tuán)隊(duì)在經(jīng)過(guò)世博軸和小區(qū)戶外高壓噴霧降溫技術(shù)應(yīng)用研究與實(shí)際工程應(yīng)用，提出了針對(duì)不同要求的戶外噴霧降溫技術(shù)設(shè)計(jì)方法。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
共線光參量放大方法及裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種共線光參量放大方法及裝置，屬于超快激光技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在兩塊β-BaB2O4晶體間插入BaF2晶體，產(chǎn)生的飛秒泵浦光和寬帶信號(hào)光同步共線入射第一β-BaB2O4晶體進(jìn)行第一次光參量放大，產(chǎn)生放大的飛秒信號(hào)光和飛秒閑頻光，此時(shí)飛秒泵浦光超前飛秒信號(hào)光，飛秒信號(hào)光超前飛秒閑頻光；通過(guò)BaF2晶體后調(diào)整為飛秒閑頻光超前飛秒信號(hào)光，飛秒信號(hào)光超前飛秒泵浦光；最后通過(guò)第二β-BaB2O4晶體進(jìn)行第二次光參量放大，飛秒泵浦光、飛秒信號(hào)光與飛秒閑頻光達(dá)到時(shí)間同步。本發(fā)明同時(shí)補(bǔ)償泵浦光、信號(hào)光與閑頻光之間的群速度失配，提高三光信號(hào)的時(shí)間同步性，從而提高了共線光參量放大器的增益譜寬與轉(zhuǎn)換效率。
華中科技大學(xué)
2021-04-14