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思想政治教育暨“大思政課”創新發展學術交流活動在福州舉行
4月15日，思想政治教育暨“大思政課”創新發展學術交流活動在福州舉辦。
中國高等教育學會
2024-04-24
教育部等十部門關于印發《全面推進“大思政課”建設的工作方案》的通知
為深入貫徹落實習近平總書記關于“大思政課”的重要指示批示和在中國人民大學考察時的重要講話精神，貫徹落實中共中央、國務院《關于新時代加強和改進思想政治工作的意見》，中共中央辦公廳、國務院辦公廳印發的《關于深化新時代學校思想政治理論課改革創新的若干意見》和中共中央辦公廳《關于加強新時代馬克思主義學院建設的意見》精神，堅持不懈用習近平新時代中國特色社會主義思想鑄魂育人，制定本工作方案。
教育部
2022-08-23
【第57屆高博會系列報道之十三】新時代“數字思政”創新發展論壇在西安召開
8月4-5日，由中國高等教育學會主辦，中教華影和央視網承辦的“新時代‘數字思政’創新發展論壇”在西安舉辦。
中國高等教育學會
2022-08-11
高博會系列報道 | 第三屆新時代“數字思政”創新發展論壇在重慶召開
4月8日，第三屆新時代“數字思政”創新發展論壇在重慶召開。中國高等教育學會監事長孫維杰，教育部思想政治工作司副司長葛元杰，重慶市教委宣教處副處長尤春艷，西南大學黨委書記李旭鋒，中國教育出版傳媒集團副董事長于春遲出席會議并致辭。大會由中教華影總經理劉影秋主持。
中國高等教育學會
2023-04-21
在大面積單層二硒化鈮晶體中觀測到伊辛超導和量子格里菲思奇異性的共存
伊辛超導是指超導庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現出極強的的面內臨界磁場（遠超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎上對其覆蓋非晶態Se保護層，進而對非原位的電輸運物性展開了系統研究。研究發現：單層NbSe2薄膜表現出超過6 K的起始超導臨界轉變溫度和高達2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導轉變溫度。同時，強磁場和極低溫下的輸運測量結果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護的伊辛超導機制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導證據需要實驗數據的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現出量子格里菲斯奇異性。
北京大學
2021-04-11