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4LS-150型自走梳脫式聯合收割機
南京工程學院
2021-04-13
一種水體表觀光譜觀測雙通道自校驗系統及方法
本發明公開了一種水體表觀光譜觀測雙通道自校驗系統及方法，系統包括主控裝置、太陽追蹤裝置、 轉臺和雙通道光譜測量裝置;主控裝置分別與太陽追蹤裝置、轉臺和雙通道光譜測量裝置電連接，用于 控制太陽追蹤裝置、向轉臺下達調整觀測方位命令，并控制雙通道光譜測量裝置完成雙通道水體表觀光 譜的采集和數據存儲;方法包括前期部署、觀測方位角調整、雙通道光譜測量、數據檢驗和數據存儲; 本發明為測量數據有效性的判斷增加非常重要的參考依據，為水體表觀光譜數據的檢驗提供一種新的方 法和工具。
武漢大學
2021-04-14
4LS－150 型自走梳脫式聯合收割機
南京工程學院
2021-04-13
一種用于相似模擬試驗的自移式布料及振實裝置
本發明公開了一種用于相似模擬試驗的自移式布料及振實裝置，包括振動底板、可調導向裝置、振動電機、可伸縮立柱、牽引裝置、提升裝置、布料裝置、鎮壓輥和懸掛連桿。振動底板上平行安裝有兩個振動電機，用于振實試驗材料；可調導向裝置可實現其導向輪的換向；提升裝置用于實現振動底板或本發明的整體升降，牽引裝置通過可伸縮立柱和提升裝置的共同作用可實現本發明整體移動行走；位于牽引裝置后端的布料裝置用于試驗材料的充填和分布；鎮壓輥用于試驗材料的整平和初步壓實。本發明可替代人工實現相似模擬試驗時試驗材料的布料與振實，提高試驗材料層夯實時的平整度、均勻度和緊實度，提高試驗的工作效率和結果的精準度。
安徽理工大學
2021-04-13
能量受限條件下的全雙工中繼能量自回收通信方法及系統
本發明公開了一種能量受限條件下的全雙工中繼能量自回收通信方法及系統，屬于無線通信技術領域。每一個時隙被劃分為兩個子時隙，第一子時隙為信息發送階段，信源產生信息信號并發送給中繼，各中繼嘗試解碼該信號。第二子時隙為同步信息轉發與能量收集階段，系統從上一階段成功解碼的中繼中選取一個最優的中繼將解碼的信號轉發給信宿；同時信源向中繼發送能量信號，各中繼接收信源發送的能量信號以及最優中繼轉發的信號并轉化為能量，實現全雙工中繼的同步信息轉發與能量收集。其中，兩個子時隙時長由預設時間分割策略確定。通過這種方式，可以平衡兩個子時隙下中繼和信宿成功解碼的概率，達到降低系統中斷概率、提升系統能量效率的目的。
華中科技大學
2021-04-11
低滲致密油藏自驅動多效活性納米粒子提高采收率技術
中國地質大學（北京）
2021-05-10
一種零中頻全雙工收發機的數字自干擾消除方法
本發明公開了一種零中頻全雙工收發機的數字自干擾消除方法，該方法主要應用于數字自干擾消除器內，根據接收端采樣后得到的數字信號，以及發射端已知的數字波形，對收發機信號傳輸鏈路中的自干擾進行估計。該方法可消除理想元器件下發射機產生的自干擾，由發射鏈上變頻調制器和接收鏈下變頻解調器的IQ不平衡產生的鏡像自干擾，由發射鏈功放失真產生的非線性自干擾，以及IQ不平衡和功放失真聯合導致的鏡像非線性自干擾。該方法相比較于傳統的增廣復數LMS算法，可以在發射信號功率較大時仍獲得理想的自干擾消除效果和較快的收斂速度，具有很強的實用性。
東南大學
2021-04-11
一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應器
本實用新型公開了一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應器。該自熱型重整制氫反應器從上至下依次由上表面設有甲醇水蒸氣重整反應物進口管和甲醇催化燃燒反應物進口管的上蓋板、石墨墊片、上蒸發板、石墨墊片、下蒸發板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇重整制氫吸熱板、密封板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇催化燃燒板、石墨墊片和下表面設有燃燒尾氣出口管和燃燒尾氣出口管的下蓋板層疊而成。本實用新型利用高溫相變材料的相變潛熱，有效提高自熱反應器的熱穩定性，減少反應器內部的溫度梯度與反應器工作時的溫度波動，抑制由反應器過熱造成的催化劑活性下降與脫落，提高反應器的熱效率與甲醇轉換率。
浙江大學
2021-04-13
基于分數階的永磁同步電機速度環控制參數的自整定方法
本發明公開了一種基于分數階的永磁同步電機速度環控制參數的自整定方法，其通過利用分數階 PI 控制器代替永磁同步電機交流伺服系統中的整數階 PI 控制器，并自動地整定所述分數階 PI 控制器的參數，實現對永磁同步電機交流伺服系統的控制，該方法具體包括：首先采集所述交流伺服系統的電流與速度信號；其次，根據所述采集信號，辨識永磁同步電機伺服系統速度環被控對象模型，識別出模型的參數；最后，對控制參數進行尋優整定，獲得最優的控制參數。本發明的方法利用分數階 PI 控制器取代原有的整數階 PI 控制器，并自動地
華中科技大學
2021-04-14
一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法及其產品
本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明
華中科技大學
2021-04-14