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硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)信號的相位測量；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換部分由ＳＴＭ３２和ＡＤ６２０
東南大學(xué)
2021-04-14
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甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化導(dǎo)致低揮發(fā)性物種及高產(chǎn)率甲醛的形成
該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過氧自由基自氧化機制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險評估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
大連理工大學(xué)
2021-01-12
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面向大功率開關(guān)電源器件的鐵硅粉芯關(guān)鍵生產(chǎn)工藝開發(fā)
：鐵硅粉芯是一種新型復(fù)合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風(fēng)電變流器、電動汽車充電機、變頻空調(diào)、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實現(xiàn)電磁能量轉(zhuǎn)換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波
合肥工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
太陽能薄膜電池一種關(guān)鍵技術(shù)：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們在國內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，具有綠色、高效、簡單等優(yōu)點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。
大連理工大學(xué)
2021-04-14
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一種多點接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法
一種多點接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法，它將硅(100)單晶片置于多微球的多點接觸板垂直下方位置，再使硅片與多點接觸板兩者垂直相對運動至發(fā)生接觸，并達到一定接觸載荷F；使多點接觸板和硅片按照既定軌跡相對運動，進行刻劃；刻劃后，將硅片放入質(zhì)量分數(shù)為15～25％的KOH溶液中腐蝕一段分鐘，即可得到具有預(yù)先設(shè)定結(jié)構(gòu)的納米壓印硅模具。該方法在多點接觸模式下進行，可以方便地控制所加工納米壓印硅模具的圖案、排列方式等；刻劃過程中硅片與多點接觸板始終保持平行狀態(tài)。該方法的設(shè)備和原材料成本低，操作簡便、步驟簡單，能一次性完成大面積的硅(100)單晶片納米壓印模具加工，具有明顯的低成本、高效率的特點。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種有機硅改性劑在改性熱固性酚醛樹脂中的應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種有機硅改性劑在改性熱固性酚醛樹脂中的應(yīng)用，該有機硅改性劑制備容易，經(jīng)過該有機硅改性劑改性的酚醛樹脂體系均一性好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。以苯酚，甲醛溶液和該有機硅改性劑為原料，經(jīng)堿催化縮合可制得一類熱固性酚醛樹脂，其結(jié)構(gòu)特征在于酚醛樹脂分子中化學(xué)鍵合了聚二甲基硅氧烷鏈段。本發(fā)明制備的改性酚醛樹脂不易受潮，固化后的材料韌性和耐熱性能優(yōu)異，將其應(yīng)用于浸漬料制備的材料韌性要優(yōu)于一般的酚醛樹脂制品，亦可作為制備高性能摩擦材料等復(fù)合材料的粘合劑，能有效提高粘結(jié)處的剪切強度，不易脫膠。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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高效率、大面積碳納米管 - 硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池
碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管-硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備p-n結(jié)的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管-硅還是石墨烯-硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應(yīng)用還比較遙遠。
北京大學(xué)
2021-01-12
高效率、大面積碳納米管 - 硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池
碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結(jié)的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應(yīng)用還比較遙遠。
北京大學(xué)
2021-04-13
BC型裸片硅二極管溫度計低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26