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本發明公開了一種柔性加筋土橋臺筋材內力計算方法，其包括 如下步驟：1)獲取填土材料以及當前層筋材的參數，并計算當前層筋 材 所 承 受 的 最 大 豎 向 應 力 2) 給 定內力 T、豎向應力σz、橫向應力σl、切線彈性模量 Et、切線泊松比 μt 的初始值，并計算體積模量 B 的初始值；3)根據預設的豎向應力增 量Δσz 計算當前層筋材的內力增量ΔT；4)令 T＝T+ΔT，σz＝σz+ Δσz，σl＝σl+ΔT/Sv，計算填土材料當前應力狀態下的切線彈性模 量 Et、體積模量 B 和切線泊松比μ

本實用新型涉及一種多關節柔性水下機械手關節單元結構。本實用新型以中間單元的兩軸端為支撐，聯接端蓋通過其軸端圓槽定位，同時聯接端蓋和中間單元側面分別開有聯接端蓋側壁孔、中間單元側壁孔；擋片安裝在中間單元的內腔；內筒兩端和擋片的另一端面接觸，擋片的該端面開有和內筒外徑一樣大小的擋片圓槽；內殼安裝在中間單元的內腔，兩端面和聯接端蓋的下表面接觸，并通過聯接端蓋的下表面定位防止其軸向運動，內殼的內壁和擋片外圓周面接觸，并對其產生周向定位作用。本實用新型在滿足強度要求的前提下，為減少機械手質量，主要零件都采用挖空處理，因此關節單元的自重相較傳統的水下作業機械臂很小。

系統研究了換熱器襯環、高壓組合電器殼體等管件高性能柔性制造工藝原理及工裝夾具裝置；發展了裝夾板式換熱器壓板后成形無縫金屬襯環的工藝方法，以及同時成形裝夾板式換熱器壓板后同時塑性成形兩端法蘭的柔性整體成形制造方法；構建了高壓組合電器殼體支管及法蘭一體化塑性成形工藝方法，以及工藝路徑及工具頭結構的優化確定方法。 

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩定、生產成本低、易于集成化和無線化等獨特優點，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點漂移、定期維護難和維護費用高等問題，并且能彌補光學瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長和傳感分析復雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測和預警技術，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學技術獎三等獎；獲批國家實用新型專利 1 項。

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產品小型化、輕量化、智能化的發展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優良電荷傳輸特性已被較為充分地發掘，分子結構創新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉向絕緣電介質層，通過充分挖掘絕緣介質帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現FET半導體層電荷傳輸的調控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，FPS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩定性和疏水性，可實現高度穩定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，FPS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環境中大于一個月的存儲穩定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

以輕質高分子聚合物聚酰亞胺（簡稱 PI）為柔性襯底的 CIGS 電池不但保持著玻璃襯底太陽電池的一些優良性能，同時還具備不怕摔碰、可卷曲折疊、在制作中可按要求剪裁等特點，具有更廣闊的應用前景。PI 薄膜不吸水、絕緣性能好、重量輕（70g/m2）、厚度薄（僅為 0.05mm）、表面光滑及可彎曲等特點，是高功率重量比太陽電池的首選襯底材料，其功率重量比可高達 2000W/Kg（未封裝），并且由于 PI 襯底 CIGS 電池可實現大面積卷－卷（Roll-to-Roll）連續化生產，為進一步降低光伏電池成本開辟了有效途徑。通過研究低溫生長CIGS 薄膜中 Na 摻雜對材料生長及器件復合機制的影響，改善了器件光電性能。柔性聚酰亞胺（PI）CIGS 太陽電池大面積單體電池 2cm×2cm 與 4cm 4cm×4cm 柔性大面積 PI 襯底 CIGS 太陽電池效率分別達 8%與 7%（由中科院太陽光伏發電系統和風力發電系統質量檢測中心鑒定）。