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一種適用于柔性電子曲面共形轉(zhuǎn)移的多插針轉(zhuǎn)印頭
本發(fā)明屬于物料輸送轉(zhuǎn)移相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種適用于 柔性電子曲面共形轉(zhuǎn)移的多插針轉(zhuǎn)印頭，其包括安裝柱、整體設(shè)置于 該安裝柱上的被動(dòng)變形模塊、電磁制動(dòng)模塊和彈性薄膜套模塊，以及 配套設(shè)置的輔助變形模塊，其中輔助變形模塊用于輸出與目標(biāo)曲面相 對(duì)應(yīng)的所需曲面形狀，該被動(dòng)變形模塊通過(guò)多個(gè)插針的上下移動(dòng)帶動(dòng) 彈性薄膜套形成與其呼應(yīng)的共形曲面，并帶動(dòng)吸附在彈性薄膜套上的 柔性電子薄膜執(zhí)行轉(zhuǎn)印過(guò)程。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應(yīng)用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內(nèi)的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發(fā)明通過(guò)對(duì)光子 晶體
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應(yīng)用前景，然而，其化學(xué)性質(zhì)不夠穩(wěn)定，即使在室溫下也容易轉(zhuǎn)化為Cr2O3。本發(fā)明采用SnI4和CrO3作為前驅(qū)物，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩(wěn)定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩(wěn)定性的問(wèn)題。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
化合物薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料與薄膜太陽(yáng)能電池制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽(yáng)能電池中所需材料在地殼中含量較少、價(jià)格昂貴、對(duì)人體有毒的問(wèn)題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高品質(zhì)大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項(xiàng)目共包括10項(xiàng)授權(quán)專(zhuān)利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，同時(shí)將這種單晶薄膜應(yīng)用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)。本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴(lài)進(jìn)口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁
電子科技大學(xué)
2021-04-14
一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜
本發(fā)明公開(kāi)了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在陰極和陽(yáng)極陣列間的介電層；陽(yáng)極陣列由 M×N 元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽(yáng)極單元與電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過(guò)陽(yáng)極單元和陰極對(duì)電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，進(jìn)而通過(guò)調(diào)變加
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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光降解塑料和生物降解塑料薄膜
項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 隨著石油化學(xué)
西華大學(xué)
2021-04-14
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石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜、復(fù)合導(dǎo)熱膜及吸附材料
將石墨烯進(jìn)行二維或三維組裝，制備透明可導(dǎo)電薄膜、復(fù)合導(dǎo)熱膜及吸附材料技術(shù)。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14