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柔性智能互動終端的關(guān)鍵材料與傳感器件是實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)革命的重要技術(shù)，柔性透明導電薄膜為其 中不可取代的關(guān)鍵元件。本團隊在前期工作中針對納米銀線透明導電薄膜進行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導電墨水配方調(diào)制、大面積卷對卷制程工藝和柔性觸控樣機制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應(yīng)用的產(chǎn)學模式；并做了一系列十余項的專利布局（發(fā)明專利12篇，授權(quán)專利6篇）。其采用的技 術(shù)方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調(diào)制、基于表面能差異化驅(qū)動的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規(guī)精餾方法又會使某 些活性組分發(fā)生熱變質(zhì)或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術(shù)，本技術(shù)成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺完整的設(shè)備中，既可避免熱敏性物質(zhì)長期 暴露于加熱器內(nèi)，又可使各組分通過

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結(jié)構(gòu)簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術(shù)拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質(zhì)金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應(yīng)用于平面液晶顯示（LCD）、電致發(fā)光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內(nèi), In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應(yīng)用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應(yīng)用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應(yīng)用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO，在很多領(lǐng)域特別是太陽電池領(lǐng)域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產(chǎn)品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優(yōu)點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結(jié)構(gòu)應(yīng)用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產(chǎn)業(yè)化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區(qū)域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內(nèi)制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數(shù)量級。 本產(chǎn)品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。國務(wù)院剛剛頒布的《可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃》中明確提出：到2010年，太陽能發(fā)電總?cè)萘窟_到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發(fā)電項目，總?cè)萘?萬千瓦，大型并網(wǎng)光伏電站總?cè)萘?萬千瓦；到2020年，太陽能發(fā)電總?cè)萘窟_到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發(fā)電項目，總?cè)萘?00萬千瓦，太陽能光伏電站總?cè)萘繉⑦_到20萬千瓦；另外，光伏發(fā)電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領(lǐng)域的應(yīng)用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關(guān)鍵的薄膜，需求巨大。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質(zhì)上是一種場效應(yīng)晶體管，其電性質(zhì)與傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管一樣，都是利用垂直于導電溝道的電場強度來控制溝道的導電能力來實現(xiàn)系統(tǒng)放大，這被稱為電導率調(diào)制或場效應(yīng)原理。同時它也是良好的開關(guān)元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導通。場效應(yīng)管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優(yōu)點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優(yōu)異的半導體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關(guān)。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅(qū)動的開關(guān)元件有以下明顯優(yōu)勢： (1) ZnO為寬禁帶半導體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質(zhì)量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態(tài)電流，又有效的抑制關(guān)態(tài)電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學的研究。ZnO-TFT的實現(xiàn)對透明電子學來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統(tǒng)創(chuàng)造了條件。

設(shè)計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎(chǔ)上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構(gòu)建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩(wěn)定性，同時抑制空穴注入和降低器件關(guān)電流。基于PDTzTI的有機薄膜晶體管器件表現(xiàn)出優(yōu)異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關(guān)電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關(guān)比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關(guān)電流和開關(guān)比性能上顯著優(yōu)于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設(shè)計提供重要參考依據(jù)。

該成果由于采用新型的安全膜結(jié)構(gòu)和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產(chǎn)品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發(fā)生短路擊穿現(xiàn)象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術(shù)和大功率電容器電極的電阻焊接技術(shù)，寄生電阻和發(fā)熱量減小，使產(chǎn)品在可靠性、穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢。

本項目共包括8項授權(quán)專利，另有20余項專利正處于公開階段。 項目主要創(chuàng)新點為：（1）提出了一種Bi+Lu共摻雜新配方，實現(xiàn)了在傳統(tǒng)GGG襯底上外延出具有大法拉第效應(yīng)的BiLuIG石榴石單晶薄膜材料。 （2）提出了“緩沖法”技術(shù)，克服了無鉛液相外延工藝中熔體粘度偏高，薄膜均勻性差的難題，成功制備出3英寸的高質(zhì)量單晶BiLuIG薄膜材料，厚度可達20微米以上，其法拉第效應(yīng)是含鉛工藝制備材料的10倍。項目總體達到國際先進水平，其中在Bi+Lu共摻雜材料設(shè)計和無鉛液相

本發(fā)明公開了一種聲學薄膜制備方法及其產(chǎn)品，其制備方法包 括以下步驟：首先將空心不銹鋼管插入液態(tài)紫外膠并靜置，再沿豎直 向上方向取出不銹鋼管，在液態(tài)紫外膠自身張力的作用下，液態(tài)紫外 膠在空心不銹鋼管的末端形成一層均勻的紫外膠薄膜；采用紫外光固 化該薄膜，使完全固化；制備得的聲學薄膜厚度為 2.1um～8.1um，直 徑為 0.11mm～2.61mm，在 0.025Hz～25000Hz 的聲波頻率響應(yīng)范圍具 有很高的靈敏

公司的核心產(chǎn)品包括系列全球首創(chuàng)半導體薄膜斷層吸收光譜儀，并已經(jīng)成功應(yīng)用于高校、研究所、相關(guān)企業(yè)半導體薄膜斷層檢測中，并已實際發(fā)表多篇論文，平均影響因子達到10以上，獲得一致好評。 一、項目進展 創(chuàng)意計劃階段 二、負責人及成員 姓名 學院/所學專業(yè) 入學/畢業(yè)時間 侯曉清 管理學院/工商管理 2019/2023 師鳴遙 生命學院/化學生物 2019/2023 李想 生命學院/化學生物 2020/2024 徐婧謹 電信學部/儲能科學與工程 2019/2023 董梓竣 管理學院/工商管理 2019/2023 楊舒婷 化學學院/材料化學 2019/2023 吳一品 管理學院/大數(shù)據(jù)管理與應(yīng)用 2020/2024 趙靜怡 人文學院/環(huán)境設(shè)計 2020/2024 劉彥麟 軟件學院/軟件工程 2020/2024 袁子翔 管理學院/工商管理 2019/2023 三、指導教師 姓名 學院/所學專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 魯廣昊 前沿科學技術(shù)研究院 教授 有機半導體薄膜和器件 卜臘菊 化學學院 教授 薄膜斷層分析技術(shù)及科研儀器的開發(fā) 魏澤龍 管理學院 教授 技術(shù)創(chuàng)新與創(chuàng)業(yè)管理 四、項目簡介 本項目依托于西安交通大學前沿科學與技術(shù)學院以及中國西部創(chuàng)新港的科研平臺，擁有半導體薄膜斷層檢測技術(shù)頂級研發(fā)團隊，并已有國內(nèi)外超過100所高校、科研院所、企業(yè)等正在采用本產(chǎn)品檢測的數(shù)據(jù)或正在實際試用本產(chǎn)品，本團隊可以更好了解產(chǎn)品需求及效果，能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)、快速研發(fā)與后續(xù)更新迭代。 公司的核心產(chǎn)品包括系列全球首創(chuàng)半導體薄膜斷層吸收光譜儀，并已經(jīng)成功應(yīng)用于高校、研究所、相關(guān)企業(yè)半導體薄膜斷層檢測中，并已實際發(fā)表多篇論文，平均影響因子達到10以上，獲得一致好評。作為國內(nèi)外首家使用軟等離子體源刻蝕技術(shù)，實現(xiàn)了半導體薄膜斷層的精準檢測，占據(jù)了全球領(lǐng)先地位，將“卡脖子”技術(shù)轉(zhuǎn)換成“殺手锏”，為基于光譜分析的半導體薄膜斷層精準檢測提供了中國方案，提高了我國半導體薄膜檢測的科技實力水平。

本發(fā)明公開了一種金納米棒光學薄膜，屬于光學薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域。一種金納米棒光學薄膜，光化 學薄膜中金納米棒呈周期排列。其優(yōu)點是:本發(fā)明對不同偏振的入射波具有不同的等效折射率，故可以 制造其它器件如偏振器件、雙折射器件等，在光學薄膜領(lǐng)域，其容易實現(xiàn)折射率匹配，從而達到鍍膜層 數(shù)較少的情況下具有較高透過率。