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本發明公開了一種全自動柔性雙面雙軸數控鉆鏜床，利用 PLC 進行控制，包括安裝臺、八臺伺服 電機、三個氣缸、兩臺鉆削頭、兩臺鏜削頭、四臺三相異步電動機、兩個斜面夾緊機構、工作臺、四臺 減速器、兩個限位塊、四組小號滑臺、四組大號滑臺、若干組滾珠絲桿和若干組直線導軌副;本發明通 過 PLC 控制各伺服電機、鉆削頭、鏜削頭和氣缸等的動作實現對排孔類零件有序、高效地

本發明公開了一種基于可變支點的對稱式變剛度柔性驅動器，包括動力輸入機構、動力輸出機構和 兩套剛度調節結構，所述兩套剛度調節結構沿動力輸出機構的中心對稱布置，采用了帶有阿基米德螺旋 曲線槽的齒輪來調節支點，改變杠桿力臂長度。能夠實現剛度的大范圍調節，使驅動器能夠從零剛度調 整到完全剛性，并且使得結構更加緊湊，且通過移動支點改變剛度，更易于控制，能夠實現驅動器的輸 出位置和輸出剛度的實時同步的調節。

本項目發展了柔性防護系統性能設計與提升技術，建立了“力平衡+”設計方法，開發了首套自主知識產權的商業化設計軟件，發展了多元化的防護產品技術，與歐洲現有技術相比，最大防護性能提升4.5倍。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 柔性防護結構在坡面地質災害作用下將經歷大滑移、大變形等運動特征，在力學上屬于強沖擊作用下高度非線性動力問題，理論求解難度大。團隊系統研究了坡面地質動力災害柔性防護結構理論、技術及應用，取得了下列創新性成果:構建了防護網系統的多柔體非線性動力學模型，發展了柔性防護系統非連續動力學計算理論，可實現多元化柔性防護系統產品的性能精確預測與解析:研究了柔性防護系統關鍵結構部件的環境腐蝕損傷力學行為及系統性能劣化評價方法，揭示了網片累積損傷演化規律，為柔性防護系統動力損傷后的剩余承載力評價 系統運維階段的生命評估、可靠性評價提供基礎;構建了多場、多尺度、多介質耦合動力學模型，實現了對泥石流、水石流、碎屑流柔性攔截動力學過程模擬;提出了綜合“空間+時間”的4D柔性防護理論。 發展了柔性防護系統性能設計與提升技術，建立了“力平衡+”設計方法，開發了首套自主知識產權的商業化設計軟件，發展了多元化的防護產品技術，與歐洲現有技術相比，最大防護性能提升4.5倍。 研發了成套柔性防護結構足尺沖擊試驗裝備，在試驗能力、試驗尺度、試驗精度等三個方面實現全面超越;建立了標準化試驗測試技術與方法，包括部件及系統試驗與性能評價方法;提出了差異化設防目標和系統設計分級準則，相關成果入編兩部行業標準，建立起覆蓋產品、檢驗試驗及工程建設全鏈條的柔性防護技術國家標準體系，相比歐洲目前的產品技術標準領先1代;開展了多項標尺性試驗，累計試驗次數超過300次，是歐洲該領域標志性試驗的3倍，積累了大量的原始試驗數據，與歐洲70年的技術發展相比，支撐了中國在該領域十年內實現理論、技術與產品研發的彎道超車。

一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 可穿戴設備已成為疾病診斷與治療方面的一項重要創新技術，在人體生理指標與機能監測方面發揮著極其重要的作用?？纱┐魍夤趋罊C器人技術漸漸融入人類日常生活，但面臨著環境多變、骨骼特征復雜、傳感電極順應性差等挑戰。本技術針對人-機-環境耦合中的關鍵難題，開展面向人體運動感知的柔性可穿戴系統研究，研發了面向關節轉角、肌肉形變、足底三維力測量的可穿戴柔性傳感系統，旨在揭示人體自然運動規律、促進外骨骼機器人研究，為復雜環境中的外骨骼自適應控制提供智能感知技術支撐。

一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構，得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。

本發明公開了一種柔性電子制備、轉移與封裝系統及方法，該 系統包括基板轉移模塊、柔性電子制備模塊、激光剝離模塊以及封裝 與裝卸模塊，基板轉移模塊用于拾取基板并放置到柔性電子制備模塊 上，然后將制備好的柔性電子連同基板一起轉移到激光剝離模塊，最 后從激光剝離模塊上取回被剝離的基板;柔性電子制備模塊用于在基 板上完成柔性電子的制備;激光剝離模塊用于將制備好的柔性電子與基板分離;封裝裝卸模塊用于將需封裝的產品放在封裝模塊上，并將 從基板上剝離的柔性電子封裝在產品上，最后將封裝好的產品取下。 所述方法利用所述

本發明公開了一種用于柔性膜輸送的糾偏控制系統，包括多個 糾偏控制器、上位機、通訊模塊等，各個糾偏控制器分別包括糾偏傳 感器，雙輸入通道的信號采集模塊、主控模塊、電機驅動模塊和電機 反饋模塊，其中信號采集模塊用于采集糾偏傳感器輸出的模擬信號， 并輸出到主控模塊；主控模塊用于將模擬信號與設定值進行比較計算， 得到 PWM 波并輸出至電機驅動模塊，并利用 PWM 波控制糾偏執行 器工作；電機反饋模塊則將信息反饋到主控模塊完成閉環控制過程。 本發明中還對糾偏控制模式以及作為關鍵組件的電機驅動模塊和信號 采集

柔性傳感器由柔性材料（基材）制成，兼具柔韌性和延展性，是柔性電子領域的關鍵元件之一。 一、項目進展 已注冊公司運營 二、企業信息 企業名稱 上海索夫特電子有限公司 企業法人 王保余 注冊時間 2021.9.3 注冊所在省市 上海市 組織機構代碼 9130112MA7AH2J59Y 經營范圍 技術服務、技術開發、電子專用材料銷售、電力電子元器件制造、新材料技術研發 企業地址 上海市閔行區景聯路389號9幢1層 獲投資情況 團隊投資50萬元整 三、負責人及成員 姓名 學院/所學專業 入學/畢業時間 唐榿澤 物理學院/光電信息科學與工程 2020.9.1/2024.7.1 王保余 材料學院/復合材料與工程 2018.9.1/2022.7.1 潘一 材料學院/復合材料與工程 2018.9.1/2022.7.1 趙珩宇 材料學院/新能源材料與器件 2018.9.1/2022.7.1 楊揚 物理學院/應用物理學 2020.9.1/2024.7.1 曾劍濤 物理學院/應用物理學 2020.9.1/2024.7.1 范世昌 物理學院/光電信息科學與工程 2020.9.1/2024.7.1 四、指導教師 姓名 學院/所學專業 職務/職稱 研究方向 張震 物理學院/物理化學 無/講師 功能納米材料的可控制備及其在印刷電子領域的應用 五、項目簡介 柔性傳感器由柔性材料（基材）制成，兼具柔韌性和延展性，是柔性電子領域的關鍵元件之一。項目通過開發功能型電子墨水，以印刷電子技術為手段，推動高精度柔性傳感器增材制造，有效解決高精度和高閾值相悖、多模態信號串擾等技術痛點，助力柔性可穿戴電子發展，更好服務人類智能生活。 自主研發的高精度柔性傳感器具有三大核心技術：①設計多級微結構、模塊化傳感電路，解決模態間的串擾，實現精度、閾值、模態以及穩定性的協同提高；②針對不同傳感電路，開發溫敏、壓敏以及濕敏電子墨水，在填料組成、結構以及復配方面提升其信號響應性能；③采用噴墨打印、點膠打印和絲網印刷等高精度、高效率、節能的制備工藝，實現多模態柔性傳感器的逐層疊印生產，同時提升多模態傳感電路的印刷精度。所開發三模態柔性傳感器實現溫度、濕度、壓力的同時采集，模態串擾率≤3%，成本降低70％，性能和逐層印制工藝國際領先，已發表4篇發明專利、1篇SCI論文和5項軟著。 團隊已與上中下游廠商建立良好合作關系，柔性溫敏傳感器完成中試、小規模試產（120萬片），產值120萬；溫度、濕度雙模態傳感器應用于柔性紅光面膜儀，與廈門銀方簽訂意向訂單；三模態傳感器工藝較成熟，預計2023年實現量產。

產品概述： 一體式柔性承插口鋼塑復合管具有機械、防腐性能優越、壽命長等優點，獨特的三層結構**的將環氧樹脂的防腐性能與外層聚乙烯的防護性相結合，防腐層厚度可達3mm以上，有效的避免運輸、安裝、使用過程中防腐層破損，從而降低管材的使用壽命。此防腐工藝已經在輸油、氣、大型水利項目中大面積推廣應用，實踐證明此防腐工藝是長輸管線**的防腐形式，使用壽命可達50年以上。 性能優勢： 防腐性能較好,外層采用3PE防腐，壽命達到50年，是目前國際公認的先進管道外防腐方式。 母材性能增強,產品擴口時采用1000°高溫加工處理，相較冷加工不但不破壞母材，更增強母材性能。 尺寸精度高，密封性好,同時對公母口進行定徑，公母口橢圓度控制在1mm之內，密封面粗糙度控制在12.5以下，保證密封性能。 安裝方便,承插口鋼管連接對接速度快，具有安裝方便、施工成本較低，開挖土方量少，節省空間。 檢測方便,采用雙密封結構，在雙密封之間設有檢測孔。每個接頭安裝后可立即進行檢測。檢測用水100ml以下，也可使用壓縮空氣進行檢測。 外3PE內環氧技術,3PE防腐承插口擴口技術（外3PE內環氧）經過長期的應用檢驗，已證實是目前先進的防腐結構。其外層結合了纏繞HDPE和熔結環氧粉末的優點。實現了防腐性能、力學性能的良好結合。 應用領域: 在石油、化工、市政給水、建筑、運輸、通訊電力、印染、農業灌溉、冷藏等管道行業得到了廣泛應用。

寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線