|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
功率MOS器件設(shè)計(jì)和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS領(lǐng)域累計(jì)授權(quán)發(fā)明專利超過50項(xiàng)，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號(hào)近百種。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
.jpg){kind=logo}
毫米波新基片結(jié)構(gòu)器件
2016國家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年來微波毫米波學(xué)界發(fā)展起來的一種新型高性能平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)。基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)具有極低的電磁泄露和互擾，其品質(zhì)因素和功率容量遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€。國內(nèi)外數(shù)百所大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)都對(duì)其開展了大量研究，它也成為微波毫米波領(lǐng)域最受關(guān)注的研究分支之一。 項(xiàng)目組作為國際上該領(lǐng)域的主要貢獻(xiàn)者之一，以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機(jī)理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對(duì)這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機(jī)理等基礎(chǔ)科學(xué)問題進(jìn)行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實(shí)際應(yīng)用。
東南大學(xué)
2021-04-11
全固態(tài)太赫茲前端關(guān)鍵器件
針對(duì)太赫茲高分辨雷達(dá)和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實(shí)現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達(dá)到國際先進(jìn)，為我國太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
.jpg){kind=logo}
微電子器件高效冷卻技術(shù)
小試階段/n通過發(fā)展被動(dòng)式和主動(dòng)式冷卻技術(shù)能實(shí)現(xiàn)典型移動(dòng)裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風(fēng)壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動(dòng)式技術(shù)，半導(dǎo)體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動(dòng)式冷卻技術(shù),獲省自然科學(xué)一等獎(jiǎng)。成果市場前景：有散熱需求，就有應(yīng)用前景。
武漢大學(xué)
2021-01-12
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
抗新冠全人源納米抗體
全人源納米抗體由于具有更小的體積，相比單抗CR3022能更好的結(jié)合三聚面隱藏表位，因此具有更強(qiáng)的病毒中和能力新冠病毒已導(dǎo)致全球數(shù)百萬人感染，目前尚無針對(duì)其的特效藥物。因此，亟需開發(fā)安全有效的抗病毒抗體，為抗擊新冠病毒提供新型藥物和治療方
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
電子器件的高效散熱技術(shù)
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術(shù)發(fā)展的主要障礙之一。本項(xiàng)目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發(fā)了高效沸騰換熱微結(jié)構(gòu)面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達(dá)150W/cm2以上。沸騰強(qiáng)化換熱技術(shù)往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導(dǎo)致性能惡化而無法應(yīng)用。近期在微重力條件的實(shí)驗(yàn)表明該技術(shù)即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細(xì)現(xiàn)象進(jìn)行強(qiáng)化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術(shù)可應(yīng)用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
節(jié)水灌溉器件的快速開發(fā)技術(shù)
滴灌是節(jié)水效率最高并能實(shí)現(xiàn)水肥自動(dòng)灌溉的精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)灌溉技術(shù)，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應(yīng)用。滴灌系統(tǒng)的灌水器在使用時(shí)容易發(fā)生堵塞一直是國際上的難題。本技術(shù)針對(duì)這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動(dòng)特性的抗堵設(shè)計(jì)和一體化開發(fā)方法，開發(fā)了具有自主版權(quán)的專用設(shè)計(jì)軟件。應(yīng)用該軟件與快速成形技術(shù)開發(fā)出系列化的新型灌水器，使開發(fā)周期顯著縮短，單循環(huán)開發(fā)時(shí)間由原來的3～5個(gè)月縮短到3～5天，而開發(fā)成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關(guān)研究成果獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
院大學(xué).jpg){kind=logo}
新型存儲(chǔ)器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲(chǔ)器領(lǐng)域國際發(fā)展前沿和國家重大需求，長期緊密合作，系統(tǒng)深入研究了新型存儲(chǔ)器機(jī)理、器件材料與結(jié)構(gòu)體系、性能調(diào)控規(guī)律、可靠性表征和集成技術(shù)。取得了局域氧化還原主導(dǎo)的阻變模型、阻變存儲(chǔ)器三維集成、電荷俘獲存儲(chǔ)器材料和結(jié)構(gòu)體系優(yōu)化及可靠性表征等系列原創(chuàng)性科技成果，獲得了國內(nèi)外同行的廣泛引用和高度評(píng)價(jià)。獲得了具有自主產(chǎn)權(quán)的新型存儲(chǔ)器件及集成解決方案，主要發(fā)明專利和技術(shù)研究成果轉(zhuǎn)移到國內(nèi)知名集成電路制造企業(yè)。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
真核生物DNA復(fù)制源組件
在 S.pombe 中發(fā)現(xiàn)的一個(gè)全新pre-RC組分Sap1，它是pre-RC的裝配過程中不可或缺的一個(gè)蛋白: 與ORC一樣，Sap1在細(xì)胞生長周期中與DNA復(fù)制源結(jié)合，通過一系列的功能研究及X射線晶體學(xué)與NMR聯(lián)合的結(jié)構(gòu)功能研究表明，Sap1與通過其九個(gè)AT-鉤狀基序結(jié)合不對(duì)稱AT富序列的ORC不同，Sap1優(yōu)先結(jié)合5’-（A / T）nC / G（A / T）9-10G / C（A / T）n-3’，對(duì)于DNA起始復(fù)制源有一定的序列傾向性。 通過進(jìn)一步的功能研究證明Sap1和ORC存在相互作用，ORC在招募Cdc18至DNA復(fù)制源時(shí)需要Sap1來完成pre-RC組裝，充分表明Sap1是直接參與pre-RC組裝的復(fù)制起始因子，本研究論文表明在S.pombe的DNA復(fù)制過程中，首先需要Sap1與ORC共同結(jié)合到DNA復(fù)制源上從而開啟DNA的起始復(fù)制過程。進(jìn)一步的研究表明在人類的DNA復(fù)制過程中同樣存在Sap1功能類似的蛋白質(zhì)元件，相關(guān)工作正在進(jìn)行中。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12