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成果與項目的背景及主要用途：RFID是射頻識別技術的英文(Radio Frequency Identification)的縮寫，射頻識別技術是 20 世紀 90 年代開始興起的一種自動識別 技術，射頻識別技術是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現 無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達到識別目的的技術。 RFID 系統通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據，識別工作無須 人工干預。作為條形碼的無線版本，RFID 技術具有條形碼所不具備的防水、防 磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標簽上數據可以加密、存儲數據容量更 大、存儲信息更改自如等優點，已經被世界公認為本世紀十大重要技術之一，在 生產、零售、物流、交通等各個行業等各個行業有著廣闊的應用前景。 86天津大學科技成果選編 87 本項目主要研發了基于 ISO18000-6B 協議的無源電子標簽芯片，其可用于物 流，貨品識別，高速公路收費等諸多領域，是目前國內外射頻電路研究領域的熱 點。 技術原理與工藝流程簡介：UHF 頻段的無源電子標簽工作原理如下：通過標 簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發送的載波信號，并將其轉換為直流信號，為 整個芯片供電；同時片上的解調模塊解調出經調制的載波信號所攜帶的數據信息， 并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數據的 讀寫和控制功能，再由調制模塊以反向發射的形式將上行信號返回給讀卡器完成 一次通信。 本設計的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數字工藝，從芯片設計、 仿真、版圖驗證。最終通過代工廠完成芯片制作。 技術水平及專利與獲獎情況：根據測試結構表明，各項指標都達到了商用需 求，在國內屬領先水平。 該項成果已獲得國家知識產權局頒發的集成電路布圖登記證書。 BS.06500285.7 應用前景分析及效益預測：目前國內的 UHF 頻段的 RFID 產品正處于高速成 長期，需求量快速增長，但大多數核心技術需要依賴進口。如果本項目能夠實現 技術轉產，可以預計的前景和經濟效益是相當可觀的。有了自主知識產權的 UHF 頻段電子標簽，在很多領域都可以加以移植，取代進口產品不但可以大大節省開 支，同時也可以實現產品的自我定制及更新，最大程度的方便了國內用戶的應用。 應用領域：貨品跟蹤和識別（代替條形碼）、高速移動物體的識別、防偽認 證以及電子支付等領域都會有廣泛的應用。 技術轉化條件（包括：原料、設備、廠房面積的要求及投資規模）： 四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應軟件。也可以和 RFID 天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉產。 合作方式及條件：面談。

"以α-BaTeMo2O9為代表的含碲的化合物是一類新型光電功能晶體，在偏光、聲光、拉曼等光學領域內具有重要的應用價值。此類化合物具有透光寬，雙折射大，易生長，物理化學穩定等優點，是偏光和聲光器件的優選材料。 山東大學在該系列晶體生長和器件的研究方面具有獨立的知識產權，可以生長出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高質量（光學均勻性≤10-5）的單晶；并在器件的制作中突破了國際上單軸晶體的限制，偏振棱鏡消光比>30000:1，達到高質量冰洲石器件水平；聲光調Q器件衍射效率>84%，高于同等條件下的TeO2器件。晶體生長處于世界領先水平，器件設計具有國際、國內專利，總體水平處于國際領先。該成果獲得教育部自然科學二等獎，主要用于先進光學及其電學領域，如醫療、軍事、激光加工、激光雷達、激光探測等。據統計，目前國內聲光調制器件和偏光器件總產值約為2億元。而現有的材料已經不能滿足相應研究和產業的需求。作為新型光電功能晶體及其器件，在滿足現有要求的基礎上，填補了此類材料和器件在中紅外波段內的國際空白。此外，獨立的知識產權有利于產品推廣，具有重要的社會和經濟效益。 "

磷化銦基集成高速光開關芯片

利用分子生物學、免疫學、計算機信息等技術和方法，針對食 物中所含的重金屬等無機毒物、藥物殘留和微生物及毒素等不同有毒有害物質， 開發了相應的快速、準確、高效的檢測技術，為食物中毒事故應急體系（包括 人員組成、毒物檢測技術、檢測設備等）的建立和中毒事件突發的預警機制提 供有力技術支持。生產條件及經濟效益預測：根據市場的發展趨勢預測：預計 在投產第一年產品投放市場并逐步被市場認可，試劑盒銷售產值達到 1000 萬元， 第二年增長 100%，在第三年至第五年以至少 75%的速度遞增，第五年銷售產值 可達到 1 億元。 

傳統的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術的日趨發展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質量好等優點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應都很弱。成像器件的這種紫外弱響應限制了其在先進光譜儀器及其他領域紫外波段探測的使用。 在技術發達國家,寬光譜響應范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經廣泛應用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設計，其光譜響應范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應范圍為189—900 nm。總而言之，發達國家在寬光譜響應和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領域已取得相當的成就。主要技術指標和創新點（1）  我們在國內首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統硅基成像探測器件的結構的基礎上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應，使其光譜響應范圍拓寬到190—1100nm，實現對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設計與傳統CCD、CMOS結合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應范圍，在科學實驗和物質分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設計樣品能取代傳統CCD、CMOS，應用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應用價值。

通過簡單封裝和熱退火，制備出穩定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學性能、穩定性都獲得大大提高。制備方法較簡單且重復性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過熱擴散將氮化硅內氫元素擴散至InGaZnO薄膜內。摻氫后的晶體管，其開態電流和開關比都獲得了數量級的提升（約40倍），而且閾值電壓沒有太大變化。而對應提取出的場效應遷移率則出現異常，大于300 cm2/(V·s)，遠高于未經處理的對照樣品。然后結合二次離子質譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發現薄膜內不但氫濃度提升了約一個數量級，而且氧空位缺陷態也大大減少了，而自由電子濃度則相應顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導體中的穩定存在方式和對導電性能的關鍵作用，為提升長溝道晶體管的電流驅動能力提供了一種新的器件工作模式，并對高遷移率薄膜晶體管的驗證和分析提供了普適性的理論依據和實驗方法。

已有樣品/n“新型高密度存儲材料與器件”面向大數據時代對海量數據存儲和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關鍵技術，發展用于高密度存儲陣列的選通器件及三維集成技術，研制兼具信息存儲、邏輯、運算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲器原型器件，將為我國發展具有自主知識產權的新型高性能存儲材料與器件奠定技術基礎。

項目研制出倍頻程和1.5倍頻程寬帶低二次諧波連續波行波管，二次諧波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前國內外此類行波管綜合技術水平最高的指標。并且研制出了國際上第一只高效率W波段脊加載曲折波導行波管及第一只V波段曲折波導寬帶行波管。該項目獲得四川省科技發明一等獎。

紅外光電探測器在國防軍事方面有重要的應用前景，比如紅外制導、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國外使用的主流紅外光電探測器是基于碲鎘汞的制冷型探測器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測器。對于碲鎘汞探測器來說，一方面在高質量的材料生長上存在很大的挑戰；另一方面它需要輔助制冷裝置來提供 77 K 的低溫環境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測器由于其熱輻射引發電阻變化的機制極大地限制了探測率（小于 10