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可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種提高二氧化鈦光激發氣敏性能的方法及裝置
本發明公開了一種提高二氧化鈦光激發氣敏性能的方法及裝置， 該方法是在光氣敏傳感器工作過程中，通過對材料薄膜進行加熱調控 （50℃-70℃），使氣敏材料表面物理吸附水減少，從而對環境濕度不 敏感；其次，表面保留的化學吸附水在紫外光照下產生的自由羥基， 以及由低溫加熱下產生少量熱激發誘導的光、熱聯合激發的協同效應， 可大幅度提高其響應恢復速度。裝置包括材料基片、光激發源、光激 發控制模塊、溫度控制模塊、信號調理模塊、計算
華中科技大學
2021-04-14
光直線傳播演示器（直線傳播的光）
460mm×190mm×200mm，圓片尺寸φ120mm。光路中的遮光片可上下、左右、前后移動，帶光源。在室內一般光照環境能使用。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
再生式脫氧管
產品詳細介紹 再生式脫氧管 生式脫氧管 在使用純氣的實驗室中得到廣泛的應用，是用于無氧操作的有效裝置，如色譜載氣、半導體研究、制取高純氣體。 一． 原料氣指標流量 ≤ 1nm/hr O2 ≤ 1000ppm 壓力 ≤ 0.5MPa H2O ≤ -20℃ 二．出口氣標準O2 ≤ 0.1ppm H2O ≤ -76℃ 再生式脫氧管 1． 脫氧管內裝高效脫氧劑，經其純化后的氣流中殘留氧濃度最低可達0.01ppm，殘留水最低可達0.1ppm。2． 管體由不銹鋼管制成，耐高壓，最大耐壓1.5MPa，裝填量多，脫氧容量大，再生簡單，不易損壞，使用安全可靠。3． 如原料氣中含養濃度為1000ppm，每只脫氧管可吸收5000ml氧氣（標準狀態下）。4． 氣體流量為10L/min，管壓降為0.08MPa。5． 使用時必須接不銹鋼管或紫銅管，接管尺寸φ6～φ10 本公司生產各種高效氣體脫氧管、高效氣體小凈化器、高純和超純氣體凈化設備、402高效氣體脫氧劑、HC-1型脫氧催化劑、OC-2和OC-3型脫烴催化劑、高強度分子篩、特種氣體吸附劑等 李 麗 : 1 5 8 0 1 2 6 6 4 3 4 聯 系 電 話 ：0 1 0 –5 8 4 3 1 7 8 1 / 8 0 3 3 6 3 7 3 Q Q 號；5 2 5 5 0 0 9 8 8
北京華博科技制造有限公司
2021-08-23
頂管中心刀
產品型號：RZ產品應用：非開挖工程所屬分類：正面刮刀
山東瑞鉆工程裝備有限公司
2021-08-27
FEP離心管
產品詳細介紹 FEP離心管 聚全氟乙丙烯（FEP）離心管：可適配于某石墨消解系統，特性：可耐200℃、耐腐蝕性、不吸附性、透明可見、方便操作，亦可以作為離心管使用，管壁對有機物如疏水性物質無吸附，離心速率達到12000轉每分鐘不破碎。
南京瑞尼克科技開發有限公司
2021-08-23
移液管架
產品詳細介紹
移液管架
寧波舜盈機電科技有限公司
2021-08-23
高速貼管機
山東碧海包裝材料有限公司
2021-08-26