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1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號(hào)測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發(fā)的白光發(fā)射器件及其制備方法，屬光電集成技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區(qū)發(fā)光的白光發(fā)射器件。 技術(shù)推廣意向：半導(dǎo)體發(fā)光與顯示領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新：本發(fā)明具有如下的有益效果：器件結(jié)構(gòu)簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發(fā)光效率高；發(fā)光性能穩(wěn)定，光譜波長范圍寬。

本發(fā)明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領(lǐng)域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設(shè)計(jì)所需成分配比，預(yù)先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護(hù)氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應(yīng)無鉛焊點(diǎn)的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發(fā)明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械 能的捕獲效果。 

本發(fā)明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個(gè)以上，均勻設(shè)置在玻璃襯底一側(cè)，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設(shè)在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設(shè)在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結(jié)構(gòu)；每個(gè)金屬電極正上方的SOI蓋帽上設(shè)有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設(shè)有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應(yīng)。本發(fā)明具有全解耦、質(zhì)量小、結(jié)構(gòu)精巧、成本低和便于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，在單個(gè)器件內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對三軸的加速度和角速度的檢測，應(yīng)用范圍廣，有著良好的市場前景。

本發(fā)明屬于電子元器件的封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺(tái)、熱壓 機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和調(diào)距機(jī)構(gòu)等，其中熱壓機(jī)構(gòu)被設(shè)計(jì)為雙路結(jié)構(gòu)，并 用于實(shí)現(xiàn)料帶的封合，保證壓力的一致性，進(jìn)而完成料帶的良好熱封； 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)熱壓機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)垂直方向的上下運(yùn)動(dòng)；調(diào)距機(jī)構(gòu)用于 調(diào)節(jié)工作臺(tái)兩側(cè)的間距以及兩側(cè)壓頭的間距，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)適應(yīng)不同寬度 的料帶的熱封。通過本發(fā)明，能實(shí)現(xiàn)單側(cè)壓頭的溫度均勻分布，兩側(cè) 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時(shí)具備 結(jié)構(gòu)緊湊，便

本發(fā)明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅(qū)動(dòng)方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學(xué)溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導(dǎo)體量子點(diǎn)，作為光電轉(zhuǎn)換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉(zhuǎn)印等方法，沉積可傳感紅外信號(hào)的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點(diǎn)層；在量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導(dǎo)電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層，以及透明電極構(gòu)成紅外光敏電阻結(jié)構(gòu)，該光敏電阻吸收紅外信號(hào)后，產(chǎn)生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發(fā)明提出的紅外探測器件成像面積大，

本成果通過有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無機(jī)材料摻雜來極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機(jī)光電器件的性能。

本發(fā)明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械能的捕獲效果。

憶阻器具有運(yùn)行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算、類腦計(jì)算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，被視為推進(jìn)信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。