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一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料及其器件
本發(fā)明公開了一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料即 Cu/PEO-LDPE 復(fù)合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基體及分布 其中的含銅金屬粒子，其中含銅金屬粒子的重量百分比含量為 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 體 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 為 Cu/PEO-LDPE 復(fù)合材料總重量的 0.5～30％(優(yōu)選值 5～15％)。相較于 Cu/LDPE 節(jié)育材料，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 C/C-SiC 復(fù)合材料零件的制備方法及其產(chǎn)品
本發(fā)明屬于復(fù)合材料領(lǐng)域，并公開了一種 C/C-SiC 復(fù)合材料零 件的制備方法及其產(chǎn)品，包括以下步驟：(a)利用溶劑蒸發(fā)法制備碳纖 維/酚醛樹脂復(fù)合粉末；(b)依據(jù)零件的三維模型，將碳纖維復(fù)合粉末采 用 3D 打印工藝成形出該零件的初始形坯；(c)對(duì)初始形坯進(jìn)行第一次 增密處理得到 C/C 多孔體；(d)對(duì)上述 C/C 多孔體進(jìn)行熔融滲硅反應(yīng)、 高溫除硅工藝和第二次增密處理，得到最終的 C/C-SiC 零件。通過本
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場(chǎng)陣，陰極/陽極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽電極間所激勵(lì)的陣列化納電場(chǎng)驅(qū)控，向各納電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種光譜橢偏儀中氙燈光源的光強(qiáng)平滑處理裝置及方法
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用到光譜橢偏儀中的氙燈光線光強(qiáng)平滑處理裝置及方法。該光強(qiáng)平滑處理裝置包括準(zhǔn)直透鏡、匯聚透鏡和光闌，準(zhǔn)直透鏡為消色差透鏡，用于將待處理的氙燈光線準(zhǔn)直為平行光束；匯聚透鏡為單透鏡，用于將平行光束匯聚聚焦，匯聚后的光斑大小隨波長的增加而增大；光闌設(shè)置在匯聚透鏡后并間隔一定波長焦距位置處，通過設(shè)定該光闌的大小使紫外波段的光斑可透過該光闌而可見到近紅外波段的光斑被阻擋，從而減小可見到近紅外波段的光束光強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)平滑。本發(fā)明還公開了一種氙燈光線光強(qiáng)平滑處理方法。本發(fā)明沒有損失任何波段的光線，探測(cè)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種沿面擊穿型兩對(duì)棒極結(jié)構(gòu)觸發(fā)真空開關(guān)
本發(fā)明公開了一種沿面擊穿型兩對(duì)棒極結(jié)構(gòu)觸發(fā)真空開關(guān)；觸 發(fā)真空開關(guān)采用三段式結(jié)構(gòu)，包括上段波紋狀陶瓷外殼，下段波紋狀 陶瓷外殼，中段金屬屏蔽罩，設(shè)置在金屬屏蔽罩內(nèi)的上電極和下電極， 觸發(fā)電極，上電極金屬連桿，上電極法蘭盤，下電極金屬連桿以及下 電極法蘭盤；上電極法蘭盤與上段波紋狀陶瓷外殼連接，下電極法蘭 盤與下段波紋狀陶瓷外殼連接，再與金屬屏蔽罩共同構(gòu)成密閉殼體； 通過上段波紋狀陶瓷外殼連接上電極法蘭盤，以及通過下段波紋狀陶 瓷外殼連接下電極法蘭盤能有效提高上電極法蘭盤與下電極法蘭盤之 間的爬電距離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種時(shí)間分辨率自適應(yīng)調(diào)整的流場(chǎng)狀態(tài)測(cè)量方法
本發(fā)明公開了一種時(shí)間分辨率自適應(yīng)調(diào)整的流場(chǎng)狀態(tài)測(cè)量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據(jù)第 k+1 時(shí)刻圖像與第 k 時(shí)刻圖像之間的時(shí)間間隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 時(shí)刻圖像，并對(duì)第 k 時(shí)刻和第k+1 時(shí)刻的圖像進(jìn)行降噪處理；然后，據(jù) k 時(shí)刻圖像和第 k+1 時(shí)刻的圖像，采用粒子圖像測(cè)速方法，計(jì)算第 k+1 時(shí)刻的流場(chǎng)狀態(tài) X(k+1)，包括：位移場(chǎng) x(k+1)、速度場(chǎng) x′(k+1)、加速度場(chǎng) a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時(shí)刻與第
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種容三盤失效糾刪碼的單數(shù)據(jù)盤失效快速重建方法
本發(fā)明公開了一種容三盤失效糾刪碼的單數(shù)據(jù)盤失效快速重建 方法，包括：單條帶重建時(shí)將每個(gè)條帶的每個(gè)條帶單元?jiǎng)澐譃?p-1 個(gè) 子分塊，其中 p 為素?cái)?shù)，且滿足 p+2 等于 RAID 組中磁盤的數(shù)量,獲取 每個(gè)條帶中用于重建失效盤的子分塊的總數(shù)量 Rideal＝Rlow+w%，在 磁盤個(gè)數(shù)為 p+2 的陣列中，將失效盤 i 失效的可行解值初始化為 3<sup>p-1</sup>，初始化計(jì)數(shù)器 j=0,用輾轉(zhuǎn)相
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 I/O 流水線的失效節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)重構(gòu)優(yōu)化方法
本發(fā)明公開了一種基于 I/O 流水線的失效節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)重構(gòu)優(yōu)化方 法 ， 包 括 ： 從 糾 刪 碼 存 儲(chǔ) 集 群 中 的 存 活 節(jié) 點(diǎn) 中 任 選 k 個(gè) 節(jié) 點(diǎn) N1,N2,…,Nk，并初始化計(jì)數(shù)器 i＝0，j＝1，節(jié)點(diǎn) Nj 讀取其自身的分塊 Blocki,j，并將其發(fā)送到 Nj+1，并設(shè)置 j＝j(luò)+1，節(jié)點(diǎn) Nj 讀取其自身的 分塊 Blocki,j，并與接收自節(jié)點(diǎn) Nj-1 的分塊 Blocki,j-1 進(jìn)行線性組合計(jì)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種兩性分子改性的鈣鈦礦光電功能材料及其應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種有機(jī)兩性分子改性的 MzAyBXz+y+2 鈣鈦礦 基光電功能材料，其特征在于，該功能材料是以 ABX3 鈣鈦礦材料為 基 體 ， 以 有 機(jī) 兩 性 分 子 M 為 改 性 成 分 ， 其 化 學(xué) 通 式 表 示 為 MzAyBXz+y+2。本發(fā)明還公開了所述光電功能材料的制備方法及其應(yīng) 用。本發(fā)明所用的基體材料與改性材料成本低廉，原料豐富；此外， 制備方法可采用全溶液法，制備工藝簡單，無需昂貴的設(shè)備儀器，同
華中科技大學(xué)
2021-04-14