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一種多通道多參數雙極性恒流低頻經皮刺激儀
本實用新型公開了一種多通道多參數雙極性恒流低頻經皮刺激儀，主要包括單片機、觸屏顯示模塊、電源管理模塊、升壓模塊、恒流模塊、雙極性控制電路、DA轉換電路；其中恒流模塊包括負反饋調節電路；觸屏顯示模塊、雙極性控制電路、DA轉換電路分別與單片機連接，電源管理模塊分別與升壓模塊、單片機、觸屏顯示模塊連接，雙極性控制電路與恒流模塊、升壓模塊分別連接。該刺激儀采用多個通道互不干擾獨立工作，包括獨立升壓、獨立產生不同參數不同波形組合的電刺激；采用雙極性對稱電刺激，避免了單極性電刺激在人體表面產生的極化現象；將產生的受控制的多種單純波和組合波以及兩種不同頻率的疏密方尖波轉換成電刺激，可以較逼真的模擬出針灸、捶擊、按摩、火罐、推拿等不同的刺激效果。
浙江大學
2021-04-13
一種改進的厭氧折流板污水生物處理設備
在處理高濃度工業廢水時，，厭氧折流板反應器（ABR)工藝可以在一個反應器內實現一體化的兩相或多相處理過程，但是，一體化反應器內污泥濃度低，兩相分離困難，處理效果不穩定等問題一直阻礙著該技術的發展，而本發明通過 在傳統ABR反應器增設斜管，通過斜管區的污泥沉淀作用，不僅有效減少了污泥流失，而且在酸化反應器和甲烷反應器斜管區以下形成了懸浮污泥層，污泥濃度得到提高。實現了產酸相和產甲烷相的分離，使得產酸菌和產甲烷菌能在各自的適應的生存環境下生存，能更好的發揮各自的作用，達到高效處理廢水的目的。與普通的厭氧折流板反應器相比，設備內污泥濃度提高了約5%-12%，COD去除率提高了約5%-10%，更好的改善了污水的處理效果。
上海理工大學
2021-04-13
面向混流生產車間的異構AGV路徑規劃與任務調度系統開發
需求名稱：面向混流生產車間的異構AGV路徑規劃與任務調度系統開發
懸賞金額：15萬元
發榜企業：珠海市格努科技有限公司
產業集群：智能機器人產業集群
需求領域：自動化與智能控制技術
技術關鍵詞：異構AGV路徑規劃、任務調動系統、智能物流
珠海市格努科技有限公司
2021-10-29
一種高分子聚合物微流控芯片的制備方法
本發明涉及一種微流控芯片制作技術，主要用于高分子聚合物材質微流控芯片制作，其特征在于利用CNC雕刻機直接加工微流控設備，即利用數控軟件進行微流控芯片的通道設計，得到相應的雕刻路徑，編寫雕刻用代碼；將雕刻代碼導入控制CNC雕刻機的軟件中，對要進行制作的高分子聚合物材料進行制作；圖案制作結束后，根據不同要求，封接芯片，即可得到功能化的微流控設備。
成果亮點
技術特點：極大的降低高分子聚合物微流控芯片的制作成本，簡單易用，快速制備，有利于芯片的大批量生產，并能靈活的調節芯片微通道深度，有利于實現微流控芯片器件的功能多樣化，克服了現有技術制作微流控芯片設備成本高、制作效率低、難以實現芯片通道深度多樣化的缺點，排除了人為因操作熟練程度造成的偏差和人力的消耗。
蘭州大學
2021-01-12
高精度圖像對焦伺服控制器及顯微成像系統
技術成熟度：技術突破
領域存在著景深影響效率的突出問題，本產品以高性能異構處理器為核心運算單元，以嵌入式手段通過視覺流與控制流的嚴格對位，高性能實時完成視頻控制信息的結算，并直接輸出電機驅動信號控制相關執行機構完成閉環控制。
本產品主要面向高性能伺服閉環控制的視頻應用領域，能夠顯著提升顯微工業自動化領域的視頻對焦及對位處理的效率及精度，亦可實現宏觀領域的視覺嵌入化控制閉環應用。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
大功率超高壓汞燈光源驅動器
成熟度：技術突破
一種安全、可靠、光強穩定的數字化超高壓汞燈曝光光源控制器，驅動功率高達3kW，功率調整步長小于5W，光強穩定性誤差不高于0.3%@30min，汞燈觸發成功率高于90%。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
系列化主被式上下肢關節運動康復器
針對腦卒中與關節損傷高發趨勢，本產品基于康復醫學理論研發多關節智能康復產品，覆蓋肘、膝、踝、腕等上下肢關鍵關節，通過對關節的反復訓練，增強關節本體感覺，打開活動度，推動神經系統重組代償，助力關節功能恢復。
本產品實現多項突破，運用高精度傳感器，精準捕捉關節運動微小變化，實現人機互動與實時康復數據反饋；結合自適應算法實現動態重力補償，精準調控角度/速度/力矩三維參數，通過循跡坐標點樣線擬合生理運動軌跡；創新集成多訓練模式切換系統，滿足全康復周期需求；產品兼具硬/軟件雙重安全防護，提高產品安全性。
腕關節康復器
前臂康復器
肘關節康復器
膝關節康復器
踝關節康復器
吉林大學
2025-05-19
先導中心8?寸平臺上制造絕緣體上張應變鍺（TSGOI）晶圓
已有樣品/n實現了工藝過程中對Ge的誘導應變微調，使Ge的帶隙改變為0.7eV。以此類Ge襯底制備的PMOS器件實現了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。
中國科學院大學
2021-01-12
錫納米晶為模板合成具有帶隙可調的錫鍺合金納米材料
通過精細調控Ge2+離子前驅體溶液與已制備的錫納米顆粒反應，合成帶隙可調的半導體錫鍺合金納米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應的成核、結晶和生長的反應能壘。與以前報道的反應溫度（約300 ℃）相比，課題組的方法可以在較低的溫度下（60-180 ℃）得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機理，清晰揭示了從不均勻核殼結構到均勻合金結構的演變過程。
南方科技大學
2021-04-13
一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法
本發明涉及金屬材料加工技術領域，具體涉及一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法。包括以下步驟：將超高純鋁板材于５０℃～３００℃下熱軋，道次壓下量控制在４０％～５０％；將熱軋后的超高純鋁板材在１００～３００℃溫度下保溫０～１小時；然后進行冷軋，道次壓下量控制在４０％～５０％，通過對板材進行道次間空冷、水冷以及冰水冷卻控制板材軋制過程的溫升，抑制板材的
東南大學
2021-04-14