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光學超晶格鈮酸鋰有源光量子芯片
國際上第一個鈮酸鋰有源光量子芯片
一、項目分類
重大科學前沿創新、關鍵核心技術突破
二、成果簡介
南京大學物理學院祝世寧院士的科研團隊，研制出國際上第一個鈮酸鋰有源光量子芯片。該芯片集成了微型化光學超晶格糾纏光源、波導量子干涉器、波分復用器及電光調制器等不同功能器件,實現了糾纏光子的高效產生、高速電光調制并完成相應的信息處理功能。該芯片由光纖耦合輸入輸出,能在室溫穩定工作，工作電壓低于3.55V，調控速率可達40GHz。芯片的多項核心指標如糾纏光子產率、調諧速率、調諧帶寬等創下當時國際最高水平，為光量子集成光學和信息處理開辟了一條和硅基芯片不同的技術路線。
成果以編輯推薦形式發表在物理學頂級期刊《物理評論快訊》(Phys. Rev. Lett. ,2014)上，被國際Physics、IEEE Spectrum等科技媒體重點評述。成果也成功入選中國光學十大進展(2014)，以此為主要成果之一的“光學超晶格中糾纏光子的產生、調控和應用”獲2020年高等學校自然科學獎一等獎。以此成果為基礎，團隊成功獲批和完成基金委重大科研儀器研制項目，研制出多種高性能量子光源。
南京大學
2022-08-12
基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片
本發明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電極層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質石墨烯膜構成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質的勻質石
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基紅外波束偏振控制芯片
本發明公開了一種液晶基紅外波束偏振控制芯片，包括芯片殼體(4)以及位于該芯片殼體(4)內的陣列化液晶偏振控制結構(3)；芯片殼體(4)上設置有第一驅控信號輸入端口(1)，第二驅控信號輸入端口(2)，第三驅控信號輸入端口(5)，第四驅控信號輸入端口(6)。紅外光波進入芯片的陣列化液晶偏振控制結構后，按照液晶偏振控制結構的陣列規模和排布情況被離散化為子波束陣。子波束與受控電場激勵下的液晶分子相互作用，被執行水平、垂直、4
華中科技大學
2021-04-14
一種芯片連晶缺陷識別方法
本發明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經過預處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測方法
本發明公開了一種倒裝LED芯片在線檢測方法，該方法所涉及的檢測裝置包括盤片裝載臺、運輸傳輸系統、收光測試組件、探針工作臺以及探測對準系統，其中，該在線檢測方法為：在工作中，運輸傳送系統可以運輸盤片工作臺到合適的工作區域，調整位姿之后，啟動探測對準系統對探針工作臺進行控制，使探針與待測試的芯片接觸通電，使芯片發亮，從而收光測試組件可以對其進行檢測。按照本發明的機械結構，能夠成功地解決倒裝LED芯片電機和發光面不同側的問題，并且采用了精密圖像運動控制技術，實現了倒裝LED芯片的高速精密測試，加快了芯片的檢測效率。
華中科技大學
2021-04-14
一種基于模板匹配的芯片定位方法
本發明公開了一種基于模板匹配的芯片定位方法，具體包括以下步驟：步驟一，制作模板；步驟二，對待定位圖片進行預處理，增大背景與芯片基體的對比度；步驟三，對預處理后的圖片進行圖像分割，得到blob塊，利用blob塊的面積和blob塊對應的最小外接矩形的邊長信息排除存在連晶、缺損缺陷的芯片；獲取剩下的blob塊的最小外接矩形的中心位置坐標，以及短邊與水平方向的夾角；步驟四，根據步驟三得出的中心位置坐標和夾角，在待定位圖片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要適用于芯片制造過程中對芯片的定位，采用先篩選再匹配的方法能快速準確定位出合格芯片的位置，排除掉帶有連晶、缺損缺陷的芯片。
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝LED芯片在線檢測裝置
本實用新型公開了一種倒裝LED芯片在線檢測裝置，包括底座，所述底座的上端轉動連接有支撐塊，所述底座的正上方設有支撐臺，所述支撐塊的上端與支撐臺的下端轉動連接，所述支撐臺的上端分別固定連接有第一安裝塊和第二安裝塊，所述第一安裝塊和第二安裝塊之間設有LED芯片本體，所述LED芯片本體的一側設有支撐桿，所述支撐桿遠離LED芯片本體的一端貫穿第一安裝塊，所述支撐桿與第一安裝塊之間為轉動連接，所述第一安裝塊的上端插設有第二螺桿，所述第二螺桿的下端貫穿第一安裝塊并與支撐桿相抵，所述第二螺桿與第一安裝塊之間為螺紋連接。本實用新型通過調節機構的設置，實現對LED芯片翻轉、旋轉，提高使用時的便捷性與檢測時的多樣化。
華中科技大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
隨著便攜式電子設備的快速發展，將微型電子設備運用到可穿戴設備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統的硬質電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設備的儲能問題，是實現這些可能性的重要因素之一。 本成果設計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
垃圾焚燒飛灰填埋成套技術集成
垃圾焚燒飛灰處理達標后在衛生填埋場分區處置是今后我國發達地區飛灰處置的主流途徑，這類填埋場的污染形成途徑、強度與控制方法均與傳統原生垃圾填埋場不同，現有填埋場污染控制技術從環境和經濟角度均不適用，亟需高效的控制技術。本項目依據處理后焚燒飛灰填埋的污染衍生途徑，發展控制處理飛灰填埋作業中黏附作業機械、風吹飄散的飛灰顆粒化技術；同步集成飛灰溶解性鹽分緩釋技術；發展雨水近零滲入的處理飛灰填埋作業技術。依據所集成的飛灰填埋前處理和作業技術，進行現場運行驗證及條件優化試驗。項目旨在發展既能夠提高填埋場污染控制的效果，也能改善污染控制的經濟條件的集成技術；而且同步開展現場應用驗證試驗，使成果具備推廣應用的條件。通過推廣應用可以為焚燒飛灰填埋場的運行提供支撐條件。 同濟大學固體廢物處理與資源化研究所，近5年來已主持承擔和完成國家973計劃課題、863計劃課題、國家自然科學基金面上/青年項目、國家863和科技支撐計劃、國家重大科技專項子課題項目等20余項；相關成果分別獲國家級科技獎勵二等獎和省部級科技獎勵一等獎、二等獎和三等獎多項；擁有授權中國發明專利40項。在長期的固體廢物處理與資源化利用技術研究發展中，已積累了扎實的研究基礎，特別是在生活垃圾填埋和焚燒方向，分別承擔了國家973計劃課題（可燃固體廢棄物熱轉化過程中重金屬的排放控制及關鍵污染物的協同脫除（編號2011CB201504），城市固廢物-化-生相變及污染物產生（編號2012CB719801）），完成了國家863計劃：城市生活垃圾生態填埋成套技術與設備（編號2001AA644010）、城市生活垃圾生態填埋成套技術及示范（編號2003AA644020），國家科技支撐計劃：低成本可控制生活垃圾填埋關鍵技術（編號2006BAJ04A06-05）等10余項課題（子課題）的研究。 常州市生活廢棄物處理中心是國內較早開展處理后達標焚燒飛灰在衛生填埋場處置的單位；在數年的實際運行中，面臨了滲濾液收集管道阻塞等問題，也通過與同濟大學的合作，探索了解決問題的方法，積累了一系列實用技術。目前，該中心二期續建工程已施工完畢，即將投入運行，正是集成各項新技術，開展試驗研究的有利時機。為利用有利條件，發展行業共性技術，同濟大學將聯合該中心開展項目研究。
同濟大學
2021-04-11
Si基GaN功率半導體及其集成技術
電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10