一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法,具體為:首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域,再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄,對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片,最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片,所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝,相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來(lái)減薄芯片的方法,簡(jiǎn)化了工藝流程,降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來(lái)進(jìn)行減薄,所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過(guò)小,通過(guò)本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11