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面向大功率開關(guān)電源器件的鐵硅粉芯關(guān)鍵生產(chǎn)工藝開發(fā)
：鐵硅粉芯是一種新型復(fù)合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對(duì)直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風(fēng)電變流器、電動(dòng)汽車充電機(jī)、變頻空調(diào)、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實(shí)現(xiàn)電磁能量轉(zhuǎn)換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波
合肥工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料及其器件
本發(fā)明公開了一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料即 Cu/PEO-LDPE 復(fù)合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基體及分布 其中的含銅金屬粒子，其中含銅金屬粒子的重量百分比含量為 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 體 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 為 Cu/PEO-LDPE 復(fù)合材料總重量的 0.5～30％(優(yōu)選值 5～15％)。相較于 Cu/LDPE 節(jié)育材料，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置
本發(fā)明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置， 包括薄膜進(jìn)給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉(zhuǎn)移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進(jìn)給單元用于薄膜的進(jìn)給運(yùn)動(dòng)并對(duì)薄膜進(jìn) 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅(qū)動(dòng)至壓輥轉(zhuǎn)移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉(zhuǎn)移單元中實(shí)現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元?jiǎng)t根據(jù)工況需要提供多種對(duì)廢料的實(shí)時(shí)檢測(cè)和剔除操作。通過本 發(fā)明，各個(gè)模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實(shí)現(xiàn)對(duì)成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測(cè)轉(zhuǎn)移過程，同時(shí)具備運(yùn)動(dòng)穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點(diǎn)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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兩親性Pt(II)配合物氣致發(fā)光變色性質(zhì)及存儲(chǔ)器件
通過click反應(yīng)設(shè)計(jì)合成了一類具有兩親性的磺酸根三齒Pt(II)配合物，這類配合物對(duì)VOC的刺激響應(yīng)具有高度的選擇性。在水蒸氣和各種醇蒸氣分子（甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等）之間具有迅速的變色和發(fā)光響應(yīng)性行為，并進(jìn)一步制備成薄膜，利用醇蒸氣實(shí)現(xiàn)了快速寫入?擦除功能。在溶液體系中，通過調(diào)控溶劑的組成，實(shí)現(xiàn)了配合物動(dòng)態(tài)組裝?解組裝?重新組裝的過程。研究組與香港大學(xué)任詠華教授合作，進(jìn)一步制備了存儲(chǔ)器件，閾值電壓為3.4V，開關(guān)比可達(dá)105，保持時(shí)間達(dá)104s，具有良好的二進(jìn)制存儲(chǔ)性能。
中山大學(xué)
2021-04-13
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針對(duì)下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)技術(shù)
上限低，可反向?qū)?，dv/dt擾動(dòng)和di/dt擾動(dòng)等。該項(xiàng)成果設(shè)計(jì)出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動(dòng)電路，通過分離充放電路徑避免柵驅(qū)動(dòng)電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對(duì)柵驅(qū)動(dòng)電路的干擾；同時(shí)利用高端柵極鉗位技術(shù)，在自舉充電路徑中對(duì)BOOT電容進(jìn)行鉗位，防止對(duì)上開關(guān)管的損壞。 半橋GaN柵驅(qū)動(dòng)電路主要指標(biāo)為： ？ 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動(dòng)電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時(shí)間 (28ns typ) ？ 非常優(yōu)越的延時(shí)匹配（1.5ns typ）
電子科技大學(xué)
2021-04-10
針對(duì)下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)技術(shù)
該項(xiàng)成果設(shè)計(jì)出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動(dòng)電路，通過分離充放電路徑避免柵驅(qū)動(dòng)電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對(duì)柵驅(qū)動(dòng)電路的干擾；同時(shí)利用高端柵極鉗位技術(shù)，在自舉充電路徑中對(duì)BOOT電容進(jìn)行鉗位，防止對(duì)上開關(guān)管的損壞。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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稀土摻雜非磁過渡金屬對(duì)“鐵磁/非磁”納米自旋泵浦器件的磁性調(diào)控
成果介紹鐵磁（FM）/非磁（NM）結(jié)構(gòu)的雙層膜中發(fā)現(xiàn)的自旋泵浦（spin pumping）效應(yīng)是磁學(xué)和自旋電子學(xué)中的一個(gè)突破性發(fā)展，因此吸引了眾多的研究興趣。它和鐵磁層自旋極化電流相關(guān)，同時(shí)又和非磁層的自旋軌道耦合有直接聯(lián)系。本項(xiàng)目采用具有較高的自旋軌道耦合系數(shù)的稀土金屬調(diào)制非磁層，運(yùn)用鐵磁共振和輸運(yùn)兩種方法，并結(jié)合結(jié)構(gòu)、磁性和同步輻射分析等手段，研究不同稀土摻雜對(duì)鐵磁/非磁過渡-稀土合金（Py/NM-RE）復(fù)合納米雙層膜的結(jié)構(gòu)和界面的影響，得到自旋泵浦強(qiáng)度、界面混合電導(dǎo)以及非磁層的自旋軌道耦合強(qiáng)度和自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度的調(diào)控規(guī)律。從而探索該復(fù)合納米雙層膜中的界面自旋泵浦效應(yīng)和非磁層自旋軌道耦合對(duì)自旋動(dòng)力阻尼的影響機(jī)制。這些研究結(jié)果將有利于開發(fā)新型復(fù)合磁性材料和新型強(qiáng)自旋-軌道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。
東南大學(xué)
2021-04-11
清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令團(tuán)隊(duì)在柔性聲學(xué)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種基于微結(jié)構(gòu)襯底的MXene聲學(xué)傳感器，用于模仿人耳膜的功能來實(shí)現(xiàn)聲音的探測(cè)與識(shí)別。
清華大學(xué)
2022-04-01
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一種基于單分子器件平臺(tái)的單分子電學(xué)檢測(cè)新方法和新技術(shù)
利用硅基單分子器件研究了分子馬達(dá)水解的動(dòng)力學(xué)過程，發(fā)現(xiàn)了無標(biāo)記的電學(xué)檢測(cè)方法觀察到的分子馬達(dá)的轉(zhuǎn)動(dòng)速度要比熒光標(biāo)記的方法快一個(gè)數(shù)量級(jí)（ACS Nano 2018, 11, 12789）以苯環(huán)為骨架、芴基為核心的共軛分子，并在末端修飾上氨基，通過穩(wěn)定的酰胺鍵將帶有羰基官能團(tuán)的功能分子連接在石墨烯電極之間，通過使用自主搭建的高速電學(xué)測(cè)試平臺(tái)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行了實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。大的共軛結(jié)構(gòu)以及酰胺共價(jià)鍵的強(qiáng)耦合保證了分子具有良好的導(dǎo)電性；在化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的過程中，分子結(jié)構(gòu)的變化將導(dǎo)致分子軌道發(fā)生改變，從而影響導(dǎo)電通道，影響器件的電導(dǎo)特性。
北京大學(xué)
2021-04-11