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我國新型顯示產業規模和在建產線均居世界第一，但主要核心裝備依賴進口，制約我國新型顯示產業自主可控發展。新型顯示器件向大尺寸、超高清、柔性化方向發展，其面臨的重大挑戰是如何在大面積柔性基板上實現納米特征-微米結構-米級器件跨尺度高精度制造。光刻/蒸鍍技術受限于模板尺寸和平面工藝，傳統噴印受制于打印分辨率低（>20μm），均無法滿足大尺寸/超高清/柔性化新型顯示高精度/高效率/高可靠制造要求，急需發明新的制造原理、技術與裝備。 針對新型顯示器件高精高效制造國際難題，本項目原創高分辨率電流體噴印新原理，發明了電流體噴印新噴頭、新技術和新裝備，國際首創多款柔性新型顯示器件并占領高端市場。 目前提出的“拉伸式”高分辨率電流體噴印新原理，實現<200nm結構的噴印制造，兼具按需點噴、射流直寫、霧化制膜等不同噴射模式，突破了傳統噴墨打印技術分辨率低、材料適用范圍窄、噴射模式單一的問題。 本成果發明了陣列化獨立可控電流體噴印系列噴頭、高速視覺測量裝置等核心裝置與智能控制算法，開發了國際首臺新型顯示電流體噴印裝備。部分核心專利作價3000萬元實現成果轉化，創新技術支持下開發的系列裝備在顯示龍頭企業測試應用，實現了高分辨率OLED/QLED/PeLED（>300PPI）等新型顯示器件集成制造。

成果簡介：利用高速旋轉的轉子產生的高離心力對在高承載環境下使用的器件進行加載試驗，采用成熟試驗技術方法和檢測手段，實現對微小型機械結構件和電子器件、加速度傳感器在高承載環境下的高載荷試驗和標定。該設備最高加速度實驗值：8萬g，最高加速度標定值：1萬g，實驗對象最大回轉半徑：50mm，加速度實驗精度：3%，標定精度：6%，實驗對象尺寸：實驗件最大尺寸長度≤18mm，實驗件三維尺寸處于直徑D=18，高度H=15的圓柱體范圍里。適合鋼、鋁及銅質等各種材質加工的，在高承載環境下工作的機械結構件、電子元器件

項目團隊在印刷制造領域有多年的研究基礎，形成“基礎研究-關鍵技術-應用突破”的全鏈條研究方式，構建了印刷電子低成本制造技術及應用集成模式，發展了系列先進防偽功能油墨、高性能導電油墨和活性儲能功能油墨，并實現了其在光學防偽、智能服裝以及智能包裝等領域的應用推廣。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、技術分析 項目團隊在印刷制造領域有多年的研究基礎，形成“基礎研究-關鍵技術-應用突破”的全鏈條研究方式，構建了印刷電子低成本制造技術及應用集成模式，發展了系列先進防偽功能油墨、高性能導電油墨和活性儲能功能油墨，并實現了其在光學防偽、智能服裝以及智能包裝等領域的應用推廣，成果達到國際領先水平。發表SCI論文80余篇，出版專著4部，授權專利23項（發明專利20項）。本成果的關鍵技術與創新點主要體現在四個方面： （1）基于上/下轉換多模式光學功能油墨化策略，發展了新型長效功能防偽油墨，將傳統的單一顏色印刷光學防偽圖案升級為全彩色防偽圖像，在國際上率先實現了特定波長防偽和機密印刷圖文信息隱藏與編碼。實現了一系列包括近紅外激發的多色可見上轉換發光防偽功能油墨、紫外光激發多色下轉換發光防偽油墨以及兼具上/下轉換發光特性的防偽功能油墨的配制，能夠滿足多種印刷方式（絲網印刷、噴墨印刷以及R2R印刷），在多種包裝基底材料上（PET、紙張、織物等）具有良好的印刷效果和防偽應用。 （2）創新的采用同時從電極結構內部和功能油墨外部優化的雙重策略，利用大面積絲網印刷技術實現了柔性超級電容器的全印刷工藝制備，率先揭示了印刷工藝對器件性能影響的關鍵決定機制和內在工作機理。實現了多種高性能儲能材料，如金屬氧化物，導電聚合物，MOF類功能材料及其復合材料的制備與油墨化處理，所制備的印刷柔性超級電容器的比電容可達到16.8 mF cm-2（0.1 mA cm-2），同時具有長的循環穩定性（＞5000次），優異的能量密度和功率密度（0.5 mW cm-2）。本項目提出的印刷電子技術代表了超級電容器制造業的一種范式轉變，它為柔性超級電容器提供了一系列簡單、低成本、省時、多功能和環保的制造技術，在未來電子產品中具有巨大的應用潛力。 （3）發展了系列功能傳感油墨，實現了高度靈敏和循環穩定的柔性傳感器的全印刷制造，揭示了功能導電油墨組分與配比對傳感性能的影響規律以及印刷柔性傳感器的傳感機理，系統評估了印刷柔性傳感器的傳感性能，所制備的印刷傳感器的應力傳感范圍可達到155%，最大靈敏度為6.3×104，最快響應速度可達到18 ms，循環穩定性＞1000次，并且成功應用于運動、健康監測和智能包裝中。 （4）完善了全印刷制造相關理論，解決了印刷制造薄膜類電子器件結構精度低共性問題，利用多種印刷技術實現了高性能柔性/可拉伸電極和柔性加熱器件的圖案化制造，研究并揭示了其運行工作機理，實現了部分印刷電子器件的集成與成果轉化。

研制開發并形成具有自主知識產權、環保、高效、可靠的廢棄線路板無損拆解技術、粉碎技術、分離技術、再利用技術等相關技術，設計開發具有中國特色的廢棄線路板回收處理及再利用整體工藝及生產線，實現對廢棄線路板的無污染回收處理及再利用。該設備是一種環保、節能、高效的廢棄線路板元器件無損拆解設備，由傳動、加熱、振動、除煙味等單元構成，該設備主機長為3.5m，寬0.8m，高為1.5m，生產能力為300～700塊線路板/小時。在第三屆北京發明創新大賽中，“線路板無損拆解設備”獲得節能環保專項獎和大賽銀獎。拆解效率高，溫度可控，節能效果好，元器件無損拆解率高；設備環保；功率小，便于中小規模生產；加工操作簡單；故障診斷、自我保護和聲光報警功能。主要性能指標如下。1. 功率：4KW 2. 拆解率：98%3. 電壓：220 4. 煙塵、氣味：過濾效率99.9%5. 產量： 100~200 kg/h 6. 主機外形尺寸： 3500×80×1500 7. 整機重量：1.0臺/t 廢棄線路板基板的主要組成是纖維強化熱固性樹脂，由于熱固性塑料本身的特點，除了焚燒回收熱值，還有作為粉末用于涂料、鋪路材料等重新利用，這些再生品質量低下、檔次不高，而且在經濟投資和資源利用方面也是不合理的。本項目根據廢棄線路板基板原材料的不同，進行分別粉碎處理，將粉碎后的PCB粉末作為填料或增強體，以不飽和聚酯、環氧樹脂等熱固性材料作為基體，采用熱壓成型工藝，最終生產出多種復合材料，根據復合材料的不同性能，可以制成多種產品應用在廣泛的領域里，代木、代鋼、代塑、代瓷制品，所以具有明顯的社會效益。該技術解決了固體廢棄物帶來的環境污染問題，又節約了一次資源，降低了制造成本，具有良好的環境、社會、經濟三大效益。主要性能指標如下。抗彎強度/MPa 沖擊強度/ Kg?m-2密度/ g?cm-3使用溫度/℃ 成本價格/元/噸 廢棄PCB粉體/短切玻璃纖維/不飽和聚酯150 17.92 1.59 50 4000 廢棄線路板粉體/環氧樹脂/偶聯劑134.1 11.67 1.54 139.1 7000 申請專利：1. 吳國清，張宗科. 一種應用于廢棄線路板無損拆解的處理設備及方法，專利號：200810224887.7 2. 吳國清，張宗科. 一種線路板夾具體，200810224853.8 3. 吳國清，張宗科，趙玉振. 廢棄線路板的回收及再利用方法. 200910091996.0 4. 吳國清，趙玉振. 廢棄電子元器件的回收及再利用方法. 200910091995.6 

本發明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發明提供的一種面向物聯網的砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件，主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底，通過GaAs工藝和MEMS表面微機械加工實現具有能量轉換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅，化學機械拋光后，制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂，蒸金連接兩種熱電偶臂，將源漏柵的熱電偶電極進行金屬連線，留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。 該砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件根據塞貝克效應，可以將器件工作產生的熱能轉換為電能，實現能量收集的同時緩解了散熱問題。通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實現對熱耗散功率大小的檢測。

本發明公開一種同質結型感存算集成器件及其制備方法。該同質結型感存算集成器件包括：柔性襯底；底電極，其為有機導電聚合物，形成在所述柔性襯底上；第一功能層，其為經退火后的三元素n型氧化物半導體薄膜，具有光電響應的結晶相，形成在所述底電極上；第二功能層，其為未經退火的三元素n型氧化物半導體薄膜，與所述第一功能層的材料相同，共同構成同質結；多個彼此間隔分布的凹槽，貫穿所述第二功能層和所述第一功能層至底電極，其內填充有隔離層；頂電極，形成在所述第二功能層上，其中，第一功能層在光照下產生光生載流子，對光學信息進行感知，并以電流的形式反饋至器件，同時借助第二功能層的憶阻特性，以實現整體器件狀態的記憶存儲，通過對器件不斷地施加光電信號，實現器件電導的連續調制，從而實現神經形態計算中權重更迭。

本發明提供了一種混合導通機制鰭型柵場效應晶體管器件，包括鰭型柵場效應晶體管、第二源區與第二漏區；鰭型柵場效應晶體管包括襯底、鰭型溝道區、第一源區及第一漏區；第二源區的高度不低于第一源區與第一漏區之間的襯底的高度；第一源區與第一漏區中摻雜有第一離子；第二源區形成于襯底與第一源區之間，第二漏區形成于襯底與第一漏區之間，第二漏區與第二源區中分別摻雜有第一離子與第二離子。該方案解決了鰭型柵場效應晶體管的底部電流泄漏的問題，且通過增設第二源區和第二漏區，相當于在鰭型柵場效應晶體管的底部并聯隧穿場效應晶體管器件結構，可以實現鰭型溝道擴散漂移電流和底部溝道帶帶隧穿電流混合導通，從而獲得更優的超陡開關特性。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。