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一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個(gè)繞組橋臂及一個(gè)共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個(gè)繞組橋臂分為 N 個(gè) A 組繞組橋臂以及 N 個(gè) B 組繞組橋臂，每一個(gè)繞組橋臂設(shè)置一個(gè)可控開(kāi)關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個(gè) 可控開(kāi)關(guān)，通過(guò)改變可控開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間控制通過(guò)每個(gè)繞組的電流， 實(shí)現(xiàn)對(duì)多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵(lì)磁電流在 公共接點(diǎn)處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過(guò)共用橋臂可控開(kāi)關(guān)的電流，降低了開(kāi)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍?cè)谒龌咨系母叻瓷淠ひ约板冊(cè)谒龈叻瓷淠ど系膿借F硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時(shí)摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補(bǔ)了本領(lǐng)域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構(gòu)成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過(guò)摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對(duì)激光進(jìn)行調(diào)制實(shí)現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學(xué)
2017-12-28
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類(lèi)環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術(shù) 新型高效冷凝蒸發(fā)器
該項(xiàng)目是在國(guó)家自然科學(xué)基金委的大力支持下，由西安交通大學(xué)吳裕遠(yuǎn)教授主持的課題組經(jīng)過(guò)15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機(jī)理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目是西安交通大學(xué)，擁有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領(lǐng)域推廣應(yīng)用。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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一種基于超聲波振動(dòng)式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法
（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410284167.5） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超聲波振動(dòng)式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法，屬于鋼鐵冶金技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉(zhuǎn)爐冶煉并進(jìn)行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經(jīng)過(guò)步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過(guò)程中采用水平連鑄結(jié)晶器，在水平連鑄結(jié)晶器上產(chǎn)生超聲波振動(dòng)。本發(fā)明中無(wú)需依靠結(jié)晶器的機(jī)械振動(dòng)，而僅僅依靠超聲波振動(dòng)力使初生坯殼與結(jié)晶器內(nèi)壁自動(dòng)“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產(chǎn)生；結(jié)晶器
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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基于酞菁納米線(xiàn)具有紅外響應(yīng)的有機(jī)憶阻器及陽(yáng)離子調(diào)節(jié)特性
憶阻器，全稱(chēng)記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實(shí)現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器。并且，基于憶阻的隨機(jī)存儲(chǔ)器的集成度、功耗、讀寫(xiě)速度都要比傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線(xiàn)性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機(jī)憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機(jī)理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開(kāi)發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機(jī)憶阻器。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線(xiàn)和列線(xiàn)的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個(gè)新的共用行線(xiàn)和列線(xiàn)的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)運(yùn)算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點(diǎn)后與其所對(duì)應(yīng)行線(xiàn)連接；控制器，其具有至少(M+1)個(gè)IO端口以及至少N個(gè)ADC采樣端口，其中的(M+1)個(gè)IO端口與所述（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器的同相輸入端
東南大學(xué)
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器及其實(shí)現(xiàn)方法
本發(fā)明公開(kāi)一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器。該結(jié)構(gòu)工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)對(duì)于電磁波的傳輸，上層波導(dǎo)和下層波導(dǎo)之間的連接通過(guò)一個(gè)金屬過(guò)孔實(shí)現(xiàn)。該微波渦旋波發(fā)生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導(dǎo)旁邊的圓形貼片實(shí)現(xiàn)，同時(shí)這些圓形貼片作為諧振器也提供了產(chǎn)生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發(fā)生器可以在不同頻率處實(shí)現(xiàn)具有不同軌道角動(dòng)量模式的渦旋波，而不需要在結(jié)構(gòu)上做出任何改變。
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種C反應(yīng)蛋白柔性汗液電化學(xué)傳感器的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種C反應(yīng)蛋白柔性汗液電化學(xué)傳感器的制備方法。傳感器由CRP工作電極、碳對(duì)電極、銀?氯化銀參比電極組成，通過(guò)結(jié)合MIP和卟啉金屬有機(jī)框架材料（PMOFs）?金鉑雙金屬納米顆粒復(fù)合物，特異性檢測(cè)汗液中的CRP含量。卟啉用作仿生催化劑，模擬細(xì)胞色素酶（P450）的催化效果，配合具有等離子體增強(qiáng)電化學(xué)氧化性能的金鉑雙金屬納米顆粒（AuPt NPs），顯著提高了電子傳輸效率，放大檢測(cè)信號(hào)，從而提升傳感器的靈敏度。本發(fā)明CRP柔性汗液電化學(xué)傳感器具有制備方法簡(jiǎn)單，成本低廉，能夠無(wú)創(chuàng)、快速檢測(cè)汗液CRP含量，全面捕捉人體炎癥狀態(tài)的變化趨勢(shì)，靈敏度高等優(yōu)勢(shì)，對(duì)汗液CRP的高穩(wěn)定性和高特異性監(jiān)測(cè)具有重要意義。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
一種模塊化多電平換流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電容預(yù)充電方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種n+1混合式模塊化多電平換流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其控制策略，屬于電力電子及分布式發(fā)電領(lǐng)域。其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)通過(guò)在傳統(tǒng)n個(gè)半橋子模塊的模塊化多電平換流器(MMC)基礎(chǔ)上，在每相上下橋臂加入一個(gè)全橋型子模塊構(gòu)成，使全橋子模塊的電容電壓是半橋子模塊的一半，實(shí)現(xiàn)輸出電壓電平數(shù)由原先的n+1增長(zhǎng)至2n+3。
本發(fā)明以提高子模塊輸出電平數(shù)、改善MMC換流器的輸出電壓質(zhì)量為目的，根據(jù)其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提出其控制策略：一種混合式調(diào)制方式和一種電容預(yù)充電方式，具有一定的有效性和可行性。
東南大學(xué)
2021-04-11