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高校科技成果轉(zhuǎn)化對(duì)接服務(wù)平臺(tái)-聯(lián)系合作
高校科技成果轉(zhuǎn)化對(duì)接服務(wù)平臺(tái)聯(lián)系合作
云上高博會(huì)
2021-12-20
高校科技成果轉(zhuǎn)化對(duì)接服務(wù)平臺(tái)-聯(lián)系合作
高校科技成果轉(zhuǎn)化對(duì)接服務(wù)平臺(tái)聯(lián)系合作
云上高博會(huì)
2021-12-15
湖南省人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《湖南省加快高等院校科技成果轉(zhuǎn)化的若干措施》的通知
本措施自發(fā)布之日起施行，有效期五年。
湖南省人民政府辦公廳
2024-06-27
海南省人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《海南省全面深化職務(wù)科技成果權(quán)屬改革實(shí)施方案》的通知
為深入貫徹黨的二十屆三中全會(huì)精神，深化職務(wù)科技成果所有權(quán)和長期使用權(quán)改革，創(chuàng)新職務(wù)科技成果資產(chǎn)管理方式，充分激發(fā)科技人員創(chuàng)新創(chuàng)造活力，加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力，根據(jù)《中華人民共和國促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化法》、科技部等9部門《賦予科研人員職務(wù)科技成果所有權(quán)或長期使用權(quán)試點(diǎn)實(shí)施方案》、《海南自由貿(mào)易港科技體制改革三年攻堅(jiān)方案（2024—2026年）》等文件精神，結(jié)合我省實(shí)際，制定本方案。
海南省人民政府辦公廳
2025-02-13
關(guān)于印發(fā)《關(guān)于擴(kuò)大賦予科研人員職務(wù)科技成果所有權(quán)或長期使用權(quán)試點(diǎn)范圍的實(shí)施方案》的通知
為進(jìn)一步深化科技創(chuàng)新體制機(jī)制改革、促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，深入推進(jìn)賦予科研人員職務(wù)科技成果所有權(quán)或長期使用權(quán)試點(diǎn)工作，現(xiàn)將《關(guān)于擴(kuò)大賦予科研人員職務(wù)科技成果所有權(quán)或長期使用權(quán)試點(diǎn)范圍的實(shí)施方案》印發(fā)給你們，請(qǐng)結(jié)合實(shí)際認(rèn)真貫徹執(zhí)行。
江西省科技廳
2024-12-09
科研成果轉(zhuǎn)化需要一本“明白賬”
通過促進(jìn)成果轉(zhuǎn)化工作，發(fā)掘中國科研自身螺旋上升勢能，發(fā)揮我國理工科人才培養(yǎng)規(guī)模巨大的“燎原”優(yōu)勢，真正把科學(xué)家的內(nèi)生動(dòng)力激發(fā)出來，不僅是解決國家關(guān)鍵核心技術(shù)“卡脖子”問題的必由之路，而且是實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)雙循環(huán)、“雙碳”目標(biāo)的必然選擇。
中國科學(xué)報(bào)
2021-10-12
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聚焦服務(wù)重大需求主題 打造科技成果轉(zhuǎn)化高地
安徽工業(yè)大學(xué)認(rèn)真學(xué)習(xí)貫徹習(xí)近平總書記關(guān)于加快建設(shè)科技強(qiáng)國、實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)等重要講話精神，面向國家重大戰(zhàn)略需求和戰(zhàn)略高技術(shù)研究，高度重視科技成果轉(zhuǎn)化工作，大力實(shí)施提升科技創(chuàng)新水平和支撐服務(wù)能力攻堅(jiān)項(xiàng)目，學(xué)校科研創(chuàng)新活力持續(xù)激發(fā)，科技 創(chuàng)新和服務(wù)能力顯著增強(qiáng)。
安徽工業(yè)大學(xué)
2022-05-10
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福大新型量子點(diǎn)復(fù)合材料研究成果
項(xiàng)目成果/簡介:福州大學(xué)至誠學(xué)院孫磊教授為第一作者、物信學(xué)院陳恩果副教授為通訊作者、郭太良研究員為第三作者，在材料工程領(lǐng)域國際權(quán)威期刊《陶瓷國際》（英文刊名：《Ceramics International》）上發(fā)表的題為“Al2O3過渡層優(yōu)化對(duì)ZnO量子點(diǎn)與CuO納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)的場發(fā)射增強(qiáng)作用”（英文題為“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”）的論文。 本論文研究ZnO QDs 與傳統(tǒng)一維氧化物CuO納米線（CuO NWs）異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以一維氧化物納米棒為基體為 ZnO QDs 提供良好的定向電荷傳輸，同時(shí) ZnO QDs 的表面改性又能改善基體的場發(fā)射性能，提出了詳細(xì)的電勢疊加效應(yīng)和形成機(jī)制。鑒于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈現(xiàn)孤島狀分布且生長密度低，通過表面改性工程利用原子層沉積(ALD)工藝先在 CuO NWs 基體上沉積 Al2O3 薄膜，均勻的 Al2O3 薄膜為 ZnO QDs 的生長提供了良好的成核表面，同時(shí)可以降低基體表面的電子勢壘高度。這種金屬氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)在很多應(yīng)用中都具有重要的意義，特別是由于表面積大大增加，異質(zhì)結(jié)密度提高，具有固有光捕獲效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。研究成果為改善單一納米材料器件的場發(fā)射性能提供了有效途徑，也為制備新型結(jié)構(gòu)的場發(fā)射器件奠定理論基礎(chǔ)。
福州大學(xué)
2021-04-10
福大新型量子點(diǎn)復(fù)合材料研究成果
福州大學(xué)至誠學(xué)院孫磊教授為第一作者、物信學(xué)院陳恩果副教授為通訊作者、郭太良研究員為第三作者，在材料工程領(lǐng)域國際權(quán)威期刊《陶瓷國際》（英文刊名：《Ceramics International》）上發(fā)表的題為“Al2O3過渡層優(yōu)化對(duì)ZnO量子點(diǎn)與CuO納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)的場發(fā)射增強(qiáng)作用”（英文題為“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”）的論文。 本論文研究ZnO QDs 與傳統(tǒng)一維氧化物CuO納米線（CuO NWs）異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以一維氧化物納米棒為基體為 ZnO QDs 提供良好的定向電荷傳輸，同時(shí) ZnO QDs 的表面改性又能改善基體的場發(fā)射性能，提出了詳細(xì)的電勢疊加效應(yīng)和形成機(jī)制。鑒于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈現(xiàn)孤島狀分布且生長密度低，通過表面改性工程利用原子層沉積(ALD)工藝先在 CuO NWs 基體上沉積 Al2O3 薄膜，均勻的 Al2O3 薄膜為 ZnO QDs 的生長提供了良好的成核表面，同時(shí)可以降低基體表面的電子勢壘高度。這種金屬氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)在很多應(yīng)用中都具有重要的意義，特別是由于表面積大大增加，異質(zhì)結(jié)密度提高，具有固有光捕獲效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。研究成果為改善單一納米材料器件的場發(fā)射性能提供了有效途徑，也為制備新型結(jié)構(gòu)的場發(fā)射器件奠定理論基礎(chǔ)。
福州大學(xué)
2021-02-01
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光梓科技高速模擬光電子芯片領(lǐng)域成果
光梓科技是一家專業(yè)從事高速低功耗模擬光電子集成電路芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。項(xiàng)目優(yōu)勢：1）高速低功耗模擬IC芯片在光模塊的應(yīng)用中有較大的成長空間且處于快速發(fā)展的階段。2）公司擁有自己獨(dú)特的多項(xiàng)專利技術(shù)，公司研發(fā)的CMOS全兼容高速低功耗光電子集成電路芯片目前處在全球領(lǐng)先水平，技術(shù)和產(chǎn)品的壁壘都很高。 3）與多個(gè)重量級(jí)客戶已建立深度溝通與合作機(jī)制，未來3年光梓科技的業(yè)績確定性較高，且每年保持高增速是大概率事件。4）國際化的團(tuán)隊(duì)。創(chuàng)始人史方博士和姜培教授長期在光電子集成電路領(lǐng)域耕耘多年，分別是成功企業(yè)家和技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的國際級(jí)專家。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！
浙江大學(xué)
2021-04-10