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集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

全可變氣門機(jī)構(gòu)（Fully Variable Valve System, 簡稱 FVVS）可實(shí)現(xiàn)氣門最 大升程、氣門開啟持續(xù)角和配氣相位三者的連續(xù)可變，對發(fā)動機(jī)的節(jié)能減排具 有重要意義。FVVS 能夠采用進(jìn)氣門早關(guān)（EIVC）的方式控制進(jìn)入氣缸內(nèi)的工 質(zhì)數(shù)量，從而取消節(jié)氣門，這種無節(jié)氣門汽油機(jī)將大幅度地降低泵氣損失，使 中小負(fù)荷時(shí)的燃油耗降低 10-15%。此外，全可變氣門機(jī)構(gòu)與增壓系統(tǒng)匹配可實(shí) 現(xiàn)米勒循環(huán)（Miller cycle），大幅度改善發(fā)動機(jī)熱效率；全可變氣門技術(shù)可以 拓展 HCCI 運(yùn)行范圍，并通過發(fā)動機(jī)內(nèi)部 EGR 減少有害氣體的排放；因此 FVVS 技術(shù)已成為內(nèi)燃機(jī)新技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。 目前，典型的全可變液壓氣門機(jī)構(gòu)是舍弗勒的 MultiAir 系統(tǒng)。該系統(tǒng)的工 作原理如下：由凸輪推動液壓活塞，液壓活塞通過液壓腔與驅(qū)動活塞相連，而 液壓腔則由一個開關(guān)式電磁閥控制。通過對電磁閥開閉時(shí)刻的控制，即可實(shí)現(xiàn) 各種不同的氣門運(yùn)動規(guī)律，實(shí)現(xiàn)全可變氣門機(jī)構(gòu)的功能。舍弗勒 MultiAir 系統(tǒng) 被美國《汽車新聞》評為“2012 年度汽車供應(yīng)商杰出貢獻(xiàn)獎”（2012 Automotive News PACE）。 山東大學(xué)車輛系多年來一直從事全可變液壓氣門機(jī)構(gòu)的研究工作，研發(fā)了 一種配氣凸輪驅(qū)動的全可變液壓氣門機(jī)構(gòu)，簡稱 SDFVVS 系統(tǒng)。該機(jī)構(gòu)通過設(shè) 置在配氣凸輪與進(jìn)氣門之間的液壓氣門驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)使進(jìn)氣門開啟，用泄油控制 機(jī)構(gòu)釋放液壓系統(tǒng)中的油壓使進(jìn)氣門關(guān)閉，并采用落座緩沖機(jī)構(gòu)控制氣門落座 速度。SDFVVS 系統(tǒng)的工作原理與舍弗勒的 MultiAir 技術(shù)基本相同，都屬于電 控全可變液壓氣門機(jī)構(gòu)。但其核心技術(shù)卻有本質(zhì)的區(qū)別，MultiAir 技術(shù)采用高 頻電磁閥（200Hz 以上）作為液壓系統(tǒng)的油控開關(guān)；而山大研制的 SDFVVS 系 統(tǒng)采用了泄油控制機(jī)構(gòu)作為液壓系統(tǒng)的油控開關(guān)。SDFVVS 系統(tǒng)已在北汽福田 BJ486 汽油機(jī)上已成功實(shí)現(xiàn)了實(shí)現(xiàn)氣門最大升程、氣門開啟持續(xù)角和配氣相位 三者的連續(xù)可變。

一種通過用膠帶預(yù)處理基底來氣相沉積生長單層MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核階段和/或生長過程中引入孿晶缺陷，實(shí)現(xiàn)單層MoS 2 樹枝晶的形貌調(diào)控。所得的MoS 2 晶體具有六次對稱的骨架，分枝數(shù)可調(diào)。其形狀的演化過程是由膠黏劑種子誘導(dǎo)的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協(xié)同效應(yīng)所引起的。此外，由于硫空位的富集，極大地增強(qiáng)了循環(huán)孿晶區(qū)的光致發(fā)光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡便有效的策略，同時(shí)也為理解孿晶缺陷的生長機(jī)制以及在其電催化和光電催化等領(lǐng)域的應(yīng)用做出了貢獻(xiàn)。

本發(fā)明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

本發(fā)明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。

燃燒器結(jié)構(gòu)從內(nèi)到外依次包括中心天然氣輔助噴嘴通道，中心穩(wěn)燃直流風(fēng)通道，環(huán)形天然氣主噴嘴通道，內(nèi)旋流高速空氣通道（旋流角25度），外軸向高速直流風(fēng)通路。經(jīng)過精確的空氣動力學(xué)設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)理想的火焰溫度、速度、強(qiáng)度和剛度，天然氣流量可在100---2700Nm3/h內(nèi)調(diào)節(jié)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。 燃燒器提高了天然氣的噴射壓力（320---390m/s）和噴射速度（2000m3/h），以提高火焰強(qiáng)度和剛性。燃料壓力、流量實(shí)際調(diào)節(jié)比可達(dá)1：36。火焰的形狀、溫度、強(qiáng)度和剛性在整個火焰長度都能高效熱交換，不形成局部過熱，不出現(xiàn)峰值溫度。一方面有利于熟料結(jié)粒，熟料礦物晶相正常發(fā)育，防止燒成帶揚(yáng)塵；另一方面有利于形成致密穩(wěn)定的燒成帶窯皮，延長耐火磚使用壽命。 天然氣噴嘴由單一大直徑噴嘴改為較小直徑的多孔噴射平行流多噴嘴。可以加強(qiáng)與一次風(fēng)和二次助燃風(fēng)的摻混，強(qiáng)化燃燒，提高燃燒速度和效率，提高火焰的溫度，縮短根部黑頭長度。 燃燒器采用了火焰穩(wěn)定器技術(shù)，防脫火效果顯著；采用了“攏焰罩”技術(shù)，有利于形成細(xì)長體剛性火焰，使窯體溫度分布合理，火焰峰值溫度降低。該燃燒器具備了低過剩空氣系數(shù)下完全燃燒的性能，因而可以在過剩空氣系數(shù)1.1下操作，可以節(jié)約的天然氣將可達(dá)到總量的10%。 主要性能指標(biāo)：1. 燃料：天然氣（或中高熱值煤氣）；2. 天然氣壓力/流量：天然氣設(shè)計(jì)壓力50kPa，中心天然氣輔槍出力500Nm3/h，環(huán)形天然氣主槍出力1500Nm3/h，主、輔槍共同工作出力2000Nm3/h；3. 用途：用于回轉(zhuǎn)窯供熱（窯鋼板內(nèi)徑：3.5m，耐火材料內(nèi)徑3m）；4. 工藝溫度：1400℃，最高溫度：1600℃；5. 安裝位置：安裝在窯罩后部，火焰直接進(jìn)回轉(zhuǎn)窯，伸進(jìn)窯筒內(nèi)的火管長度4.5m（窯罩端面至噴火口）；6. 助燃風(fēng)溫度：一次風(fēng)不超過總量的10%，來自凈風(fēng)機(jī),壓力25---50KPa，常溫，二次風(fēng):不小于總量的90%，來自冷卻機(jī),溫度:～800℃； 其中： P氣：為燃燒器噴槍前天然氣表壓力，單位:KPa V輔：為中心輔噴槍的天然氣流量，單位:Nm3/h V主：為環(huán)形主噴槍的天然氣流量，單位:Nm3/h V總：為主、輔噴槍共同工作的天然氣流量，單位:Nm3/h

牙科陶瓷具有優(yōu)良的光傳播和光反射性能，可以再現(xiàn)自然牙半透明深度和色深度，有良好的生物相容性，磨耗性接近牙釉質(zhì)、不導(dǎo)電、不產(chǎn)生CT和MRI的偽影、X射線透射，化學(xué)性能穩(wěn)定、在口腔環(huán)境中不降解，拋光和上釉的瓷面光潔，菌斑不易附著，且陶瓷修復(fù)體美觀，是最具發(fā)展?jié)摿Φ难揽菩迯?fù)體材料。

胰島素注射筆因具有簡便易學(xué)、劑量準(zhǔn)確、方便耐用、微痛、效佳等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已廣泛地運(yùn)用于糖尿病患者，其上使用的都是只有一根針管的一次性注射針頭，目前長度有 5mm、6mm、8mm 和 12mm 等規(guī)格，針管外徑有 0.25mm、0.3mm 和 0.33mm 等規(guī)格，可以根據(jù)年齡、胖瘦程度和注射部位來進(jìn)行選擇。但是中國胰島素注射技術(shù)現(xiàn)狀調(diào)查結(jié)果顯示，現(xiàn)有注射胰島素患者中仍有約 37%的血糖控制不合格；94.4%的患者僅在腹部等一個部位內(nèi)進(jìn)行輪換注射；只有 22%的患者遵循每天同一時(shí)間注射同一部位的規(guī)則；有 30%的患者腹部注射時(shí)沒有捏皮，55.4%的患者沒有注射完就松開皮膚皺褶，如果使用 8 毫米的針頭就可能把胰島素打到肌肉里。由于胰島素本身是一種生長因子，反復(fù)在同一部位注射會導(dǎo)致該部位皮下脂肪增生而產(chǎn)生硬結(jié)，再在這里注射，胰島素的吸收率就會下降，吸收時(shí)間過長導(dǎo)致血糖控制不穩(wěn)定。調(diào)查發(fā)現(xiàn)，約有 31.1%的患者注射部位已出現(xiàn)腫塊，其中九成發(fā)生在腹部，但仍有患者選擇在脂肪增生部位注射。實(shí)際上，人體適合注射胰島素的部位不光是腹部，大腿外側(cè)、手臂外側(cè) 1/4 處和臀部都可以。不同注射部位的輪換指的是在腹部、手臂、大腿、臀部間輪換注射，采用輪換注射部位的方法可以有效提高療效，避免出現(xiàn)并發(fā)癥的幾率。胰島素注射針頭長度不同，注射角度、手法也不同。如使用長度為 8 毫米、12 毫米的針頭，注射時(shí)須捏起皮膚并以 45°角注射，以增加皮下組織厚度，降低將胰島素注射至肌肉層的風(fēng)險(xiǎn)。

利用1組并列的IGBT作為驅(qū)動原件，利用多個電磁繼電器進(jìn)行換向。由于只使用1組并列的IGBT,克服以往4組IGBT組合的換向缺點(diǎn)。