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多陣列憶阻器存算一體系統
項目成果/簡介:隨著人工智能、大數據、物聯網、區塊鏈等新一代信息技術興起，數據量呈現爆炸式增長，傳統計算系統的算力難以滿足海量數據的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統性能的路徑正面臨技術極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統，實現計算能力的飛躍。
清華大學
2021-01-12
體積排阻色譜聯用型有機氮檢測器
現有的有機氮測定方法主要基于差減法，存在多方面測定的累加誤差，結果難免不夠精確和可靠。本發明技術是一種體積排阻色譜聯用型氮檢測器及應用，其對有機氮的檢測原理在于通過體積排阻色譜柱實現有機氮和無機氮的分離，然后通過石英螺旋管結合紫外氧化的方式將有機氮轉變為硝態氮，通過紫外檢測器檢查硝態氮在220nm的紫外吸收，實現定量分析。
南京大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的聯想記憶電路
本發明公開了一種基于憶阻器的聯想記憶電路，包括憶阻器、 第一電阻、第二電阻和運算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯在運 算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯連接端作為聯想記憶電路的 第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯連接端作為聯想記憶電路的第 二輸入端；第二電阻的一端連接至運算比較器的第一輸入端，第二電 阻的另一端接地；運算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運算 比較器的輸出端作為聯想記憶電路的輸出端；聯想記憶電路的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的邏輯非門電路
本發明公開了一種基于憶阻器的邏輯非門電路；包括：第六憶 阻器、第七憶阻器、三態門、第三電阻；所述第六憶阻器的輸入端作 為所述非門電路的輸入端；所述第七憶阻器的輸入端連接電源電壓； 所述三態門的使能端連接至所述第六憶阻器的輸出端，所述三態門的 輸入端連接至所述第七憶阻器的輸出端，所述三態門的輸出端通過所 述第三電阻接地；所述第七憶阻器的輸出端作為所述非門電路的輸出 端。本發明能實現現有門電路的邏輯處理功能，提高了電子設
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯構·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了 SR 觸發器的鎖存以及置位和復位功
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10
一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14