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產(chǎn)品詳細(xì)介紹上四下四回流焊,回流焊接機(jī)QS-F830   http://www.qinsidianzi.com/

本發(fā)明公開了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質(zhì)中摻雜鐵磁性元素構(gòu)成，材料的磁性能夠通過(guò)非晶態(tài)-晶態(tài) 相變來(lái)可逆調(diào)控。本發(fā)明基于材料的相變控磁特性實(shí)現(xiàn)“實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵” 邏輯運(yùn)算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運(yùn) 算，其運(yùn)算結(jié)果以材料的剩余磁化存儲(chǔ)在器件中，從而實(shí)現(xiàn)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介        光纖通信作為一門新興技術(shù)，它具有容量大、中繼距離長(zhǎng)、保密性好、不受電磁干擾和節(jié)省銅材等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)發(fā)展速度快，已被廣泛應(yīng)用到軍事通信、民用通信等各種領(lǐng)域，是世界新技術(shù)革命的重要標(biāo)志和未來(lái)信息社會(huì)中各種信息的主要傳送工具。在光纖的使用過(guò)程中，光纖線路的耦合對(duì)于其中光功率的傳輸至關(guān)重要。其中存在著兩種主要的系統(tǒng)問(wèn)題：1、如何從多種類型的發(fā)光光源將光功率耦合進(jìn)一根特定的光纖；2、如何將光功率從一個(gè)光纖發(fā)射出來(lái)后經(jīng)過(guò)特定的裝置耦合進(jìn)另外一根光纖。光無(wú)源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分。它是一種光學(xué)元器件，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。該實(shí)驗(yàn)儀重點(diǎn)介紹了常用的光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法。為此公司研制出本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，讓學(xué)生了解和認(rèn)識(shí)光纖耦合的相關(guān)參數(shù)和特性、光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法等，通過(guò)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建，可以讓學(xué)生更深刻的了解，也能鍛煉學(xué)生校準(zhǔn)光路等方面的動(dòng)手能力，是學(xué)校金工實(shí)習(xí)（工程實(shí)習(xí)）與工程檢測(cè)的不二之選。 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 650nm激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 1550nm光纖激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 相同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 不同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 光源與顯微物鏡及準(zhǔn)直器耦合特性對(duì)比實(shí)驗(yàn) 光纖轉(zhuǎn)換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖變換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖耦合器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖隔離器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 波分復(fù)用器和解復(fù)用器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 可調(diào)光纖衰減器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖機(jī)械光開關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振控制器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 不同種類光纖、光纜及光器件認(rèn)知和操作實(shí)驗(yàn) 熔接機(jī)原理及使用實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 剝纖、清潔、切纖及光纖接續(xù)實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 手動(dòng)模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 自定義模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 光纖端面處理基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光功率耗損法對(duì)光纖熔接質(zhì)量測(cè)試 三、實(shí)驗(yàn)配置參數(shù) 1、光源：波長(zhǎng)1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計(jì)：波長(zhǎng)范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準(zhǔn)波長(zhǎng)：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機(jī)械光開關(guān)：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關(guān)速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復(fù)用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、軟件：配套儀器使用，數(shù)據(jù)采集處理； 10、光纖熔接機(jī)：適用光纖：SM (單模), MM (多模), DS (色散位移)光纖, NZDS (非零色散位移，即G.655光纖)，BIF/UBIF（G.657）； 光纖切割長(zhǎng)度：8-16mm, 被覆光纖直徑250µm，16mm，被覆光纖直徑250µm-1000µm；平均接續(xù)損耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；顯示：高性能5.6英寸彩色LCD顯示屏，提供清晰的數(shù)字圖像顯示；電極壽命：2500次；鋰電池容量：典型熔接250次，充電時(shí)間3小時(shí)，可在充電時(shí)使用；電源：交流適配器輸入電壓100-240V  50／60Hz，輸出電壓：DC13.5V /5A，直流輸入電壓11.1v ( 內(nèi)置鋰電池8800mAh )； 四、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1、了解光纖連接器及其原理、種類，實(shí)驗(yàn)操作進(jìn)行連接器參數(shù)測(cè)量； 2、掌握光纖頭平端面的處理技術(shù)。 3、掌握光纖之間的耦合、調(diào)試技術(shù)，了解光纖橫向和縱向偏差對(duì)光纖耦合損耗的影響。 4、掌握光纖熔接的基本技術(shù)。 5、熟悉光纖型號(hào)及結(jié)構(gòu)，掌握其裝配方法、使用環(huán)境及保護(hù)措施等；

本實(shí)用新型提供了一種黃曲霉毒素的流態(tài)化連續(xù)式等離子體降解裝置，所述黃曲霉毒素的流態(tài)化連續(xù)式等離子體降解裝置設(shè)有等離子發(fā)射器、等離子體發(fā)生器、傳送帶裝置、鼓風(fēng)機(jī)及控制面板。本實(shí)用新型提供了一種黃曲霉毒素的流態(tài)化連續(xù)式等離子體降解裝置，主要用于糧食表面的黃曲霉毒素的降解，物料在處理過(guò)程中處于流態(tài)化，保證每顆糧食都能接觸到高能粒子和活性自由基，因此可以快速連續(xù)化地降解每粒糧食表面的黃曲霉毒素。該裝置降解過(guò)程低溫、無(wú)溶劑殘留，無(wú)環(huán)境污染，且能保護(hù)糧食中的營(yíng)養(yǎng)成分不被破壞。

本發(fā)明公開了一種金屬軟磁復(fù)合材料的流延溫等靜壓復(fù)合成型制備方法。1）將鈍化劑和溶劑混合起來(lái)得到鈍化液，將鈍化液和磁性金屬粉末混合，攪拌，烘干，得到鈍化粉；2）將鈍化粉和有機(jī)溶劑，分散劑，粘結(jié)劑，增塑劑按照一定的比例混合，攪拌均勻，并經(jīng)過(guò)篩網(wǎng)過(guò)濾，除泡，制備得均勻彌散的漿料；3）流延成型；4）素坯溫等靜壓壓制。利用流延溫等靜壓復(fù)合成型方法制備的金屬軟磁復(fù)合薄膜將固化和等靜壓工序簡(jiǎn)化為一道工序，電阻率高，機(jī)械強(qiáng)度好，密度和飽和磁通密度有很大提高。結(jié)合較成熟的流延工藝和溫等靜壓工藝，使金屬軟磁復(fù)合材料的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單化，成本降低，性能優(yōu)異，在薄膜電感等電子器件的制備中有廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種雙向流內(nèi)循環(huán)式PS高級(jí)氧化反應(yīng)器及污水處理方法,包括反應(yīng)器,其內(nèi)設(shè)兩個(gè)位置上下交錯(cuò) 且同心的內(nèi)筒和外筒;內(nèi)筒的上端開口,內(nèi)筒的下端與反應(yīng)器罐體底連接;外筒上端與反應(yīng)器罐體頂連接,外筒的下端開口;反應(yīng)器罐體底部設(shè)有無(wú)動(dòng)力自吸回流系 統(tǒng)和傘狀錐形布水器;一條由反應(yīng)器罐體頂部伸向底部的催化劑加藥管,其下端對(duì)應(yīng)連通傘狀錐形布藥器,傘狀錐形布藥器位于反應(yīng)器布水混合區(qū)域之內(nèi);還包括圓 環(huán)形布水擋板,進(jìn)水混合裝置,二次加藥裝置等.本反應(yīng)器結(jié)構(gòu)高徑比小,反應(yīng)空間利用充分,容積負(fù)荷率高,動(dòng)力消耗小,無(wú)動(dòng)力回流系統(tǒng)使未反應(yīng)完的污染物和 藥劑重復(fù)處理,提高了藥劑利用率,降低了藥劑消耗和能量消耗,降低成本。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介: 熒光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）負(fù)載抗體等生物大分子針對(duì)病毒、細(xì)菌和疾病體外檢測(cè)試劑盒。 技術(shù)指標(biāo)（創(chuàng)新要點(diǎn)等）： 1、使用性能優(yōu)越的碳量子點(diǎn)取代穩(wěn)定性差、熒光量子產(chǎn)率低的有機(jī)熒光染料和毒性大的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體量子點(diǎn)； 2、通過(guò)調(diào)節(jié)碳量子點(diǎn)的合成原料，使得碳量子點(diǎn)偶聯(lián)錨定在二氧化硅微球上，且不會(huì)引起碳點(diǎn)的熒光猝滅從而有利于連接抗體或生物大分子等，產(chǎn)品具有快速、靈敏度和特異性高等優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用范圍: 應(yīng)用領(lǐng)域及預(yù)期經(jīng)濟(jì)社會(huì)效益等： CDs@mSiO2具有經(jīng)濟(jì)性、功能性和環(huán)境協(xié)調(diào)性等基本特性，CDs@mSiO2生產(chǎn)效率高、成本低、性能好等優(yōu)點(diǎn)，可用于病毒、細(xì)菌和疾病體外檢測(cè)。效益分析: 應(yīng)用領(lǐng)域及預(yù)期經(jīng)濟(jì)社會(huì)效益等： CDs@mSiO2具有經(jīng)濟(jì)性、功能性和環(huán)境協(xié)調(diào)性等基本特性，CDs@mSiO2生產(chǎn)效率高、成本低、性能好等優(yōu)點(diǎn)，可用于病毒、細(xì)菌和疾病體外檢測(cè)。知識(shí)產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利知識(shí)產(chǎn)權(quán)編號(hào):1、發(fā)明專利“一種兩親性碳量子點(diǎn)及其制備方法” CN201510213429.3； 2、發(fā)明專利“一種氮摻雜碳量子點(diǎn)的簡(jiǎn)易綠色合成方法” CN201410039846.6； 3、發(fā)明專利“一種高強(qiáng)度熒光水凝膠及其制備方法” CN201610060548.4； 4、發(fā)明專利“一種超大長(zhǎng)徑比的碳量子點(diǎn)聚苯胺復(fù)合納米管及其合成方法”201610316536.3； 5、發(fā)明專利“一種新型的熒光磁性納米管材料及其制備方法” CN201410185776.5。技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:無(wú)

本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量?jī)?yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過(guò)程簡(jiǎn)單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

本發(fā)明涉及交聯(lián)聚苯乙烯樹脂微球的制備，尤其是窄粒徑分布的交聯(lián)聚苯乙烯樹脂微球的制備方法。所制備的交聯(lián)聚苯乙烯樹脂微球的粒徑范圍為 53-350 微米。通過(guò)控制條件可使微球粒徑發(fā)布在上述范圍內(nèi)具有可調(diào)性。

為了探索行之有效的抑制藻類水華暴發(fā)的途徑，更好的了解藻類水華爆發(fā)的自然條件，就需要進(jìn)行大量的實(shí)驗(yàn)室模擬培養(yǎng)。但是作為水華爆發(fā)的主要藻類，微囊藻的實(shí)驗(yàn)室純培養(yǎng)比較困難，特別是現(xiàn)有的培養(yǎng)基及培養(yǎng)條件很難達(dá)到實(shí)驗(yàn)室純培養(yǎng)銅綠微囊藻的要求。為解決銅綠微囊藻實(shí)驗(yàn)室純培養(yǎng)較困難的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種利于銅綠微囊藻生長(zhǎng)的培養(yǎng)基及培養(yǎng)條件