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北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”發(fā)展了一種高精度的暗場(chǎng)光學(xué)成像定位技術(shù)(位置不確定度僅21 nm)，并結(jié)合電子束套刻工藝，實(shí)現(xiàn)了片上量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)同時(shí)具有介質(zhì)激光器與表面等離激元波導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)，因此不僅具有介質(zhì)激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導(dǎo)的深亞波長場(chǎng)束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實(shí)現(xiàn)了片上微盤激光器與表面等離激元波導(dǎo)間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復(fù)雜集成，并且對(duì)量子點(diǎn)無任何加工損傷；進(jìn)一步，通過同時(shí)集成多個(gè)片上微盤激光器與多個(gè)銀納米線表面等離激元波導(dǎo)，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復(fù)合光子回路中具有重要應(yīng)用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發(fā)表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點(diǎn)報(bào)道。文章的第一作者為北京大學(xué)物理學(xué)院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科技部、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心和極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。

本發(fā)明公開了一種基于微環(huán)諧振器的時(shí)域隱身裝置，包括依次 連接的光頻率梳發(fā)生器、微環(huán)諧振器、單模光纖、馬赫曾德爾調(diào)制器 和色散補(bǔ)償光纖，與微環(huán)諧振器連接的任意波形發(fā)生器以及與馬赫曾 德爾調(diào)制器連接的碼流發(fā)生器；馬赫增德爾調(diào)制器利用調(diào)制電信號(hào)對(duì) 形成了時(shí)間缺口的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制并輸出已調(diào)光信號(hào)，已調(diào)光信號(hào)經(jīng) 過所述色散補(bǔ)償光纖縫合時(shí)間缺口并恢復(fù)光信號(hào)，在時(shí)域上實(shí)現(xiàn)了對(duì) 信號(hào)的隱身。本發(fā)明采用的微環(huán)諧振器相較于時(shí)間分割棱鏡來

本發(fā)明公開了一種基于微位移測(cè)量的電流傳感器及其制作方法， 包括磁致伸縮反射面和光纖。其中制作方法包括以下步驟：選取長方 形的金屬玻璃(metglass)并進(jìn)行清洗；在 metglass 上、下表面各濺射一 層一定厚度的磁致伸縮薄膜；在 metglass 下表面濺射一層一定厚度的 高反膜；在 metglass 下表面兩端用環(huán)氧樹脂各粘貼一個(gè)非磁性金屬塊； 在兩個(gè)非磁性金屬塊的另一端用環(huán)氧樹脂粘貼一塊正中帶有通孔的非 磁性金屬板；將光纖通過一個(gè)非磁性金屬管，再將它們通過非磁性金 屬板的孔，使光纖端面與高

本發(fā)明公開了一種基于微位移測(cè)量的電流傳感器及其制作方法， 包括磁致伸縮反射面和光纖。其中制作方法包括以下步驟：選取長方 形的金屬玻璃(metglass)并進(jìn)行清洗；在 metglass 上、下表面各濺射一 層一定厚度的磁致伸縮薄膜；在 metglass 下表面濺射一層一定厚度的 高反膜；在 metglass 下表面兩端用環(huán)氧樹脂各粘貼一個(gè)非磁性金屬塊； 在兩個(gè)非磁性金屬塊的另一端用環(huán)氧樹脂粘貼一塊正中帶有通孔的非 磁

基于流體動(dòng)力，對(duì)微創(chuàng)深靜脈血栓取除器械進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，通過初步離體血栓實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了取栓器的血栓取除率、殘血栓粒度、取栓時(shí)間等；改進(jìn)雙側(cè)乳腺鉬靶圖像預(yù)處理算法及數(shù)據(jù)處理算法，可提高乳腺癌預(yù)測(cè)的精度、敏感性、特異度。

本發(fā)明公開了一種用于換熱管內(nèi)檢測(cè)的磁致伸縮導(dǎo)波傳感器及其檢測(cè)方法，該傳感器包括：外殼；與外殼一端相固定的端蓋；與外殼的另外一側(cè)相連的導(dǎo)電鋼刷；設(shè)置在外殼內(nèi)部并與其相連的內(nèi)殼；安裝在端蓋上，通過穿過內(nèi)殼的直流導(dǎo)線與導(dǎo)電鋼刷實(shí)現(xiàn)電連接的航空插座；分別設(shè)置在內(nèi)殼的不同位置上的第一聚磁器和第二聚磁器；以及第一交流線圈和第二交流線圈，該第一交流線圈和第二交流線圈分別纏繞在所述第一聚磁器與第二聚磁器上，并分別與航空插座電連接。按照本發(fā)明，由于整個(gè)檢測(cè)過程是通過磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)的，屬于非接觸式檢測(cè)，因此對(duì)被檢測(cè)換熱管內(nèi)表面狀況要求低，無需打磨等特別處理，從而提高了檢測(cè)效率以及適用性。

本發(fā)明公開了一種絕緣鐵氧體磁芯變壓器型高壓電源，包括上 磁軛、下磁軛、初級(jí)磁芯、次級(jí)磁芯、絕緣層；四個(gè)初級(jí)磁芯分布在 上磁軛和下磁軛之間；每個(gè)初級(jí)磁芯對(duì)應(yīng)的磁芯柱上安裝有多層次級(jí) 磁芯；上下相鄰次級(jí)磁芯之間設(shè)有絕緣層；磁軛和磁芯均選用鐵氧體 材料；電路結(jié)構(gòu)包括初級(jí)線圈電路和次級(jí)線圈電路；初級(jí)線圈電路包 括初級(jí)線圈、方波逆變電路和高頻 PWM 整流器，高頻 PWM 整流器 將三相交流市電變成直流，方波逆變電路將直流逆變?yōu)榉讲ㄗ鳛槌跫?jí) 線圈輸入；次級(jí)線圈電路包括次級(jí)線圈和全橋整流電路，全橋整流電 路將次

本發(fā)明涉及一種混合型磁通耦合超導(dǎo)故障限流器及限流方法，本發(fā)明中：耦合變壓器的一次側(cè)繞組 線圈同快速開關(guān)相聯(lián)且并入 MOA 氧化鋅電阻片，二次側(cè)繞組線圈同超導(dǎo)限流材料相串聯(lián)，繼而將一、 二次側(cè)繞組線圈呈反向并聯(lián)后接入電力系統(tǒng)主回路。在電力系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，快速開關(guān)處于閉合狀態(tài)； 當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生短路故障后，控制快速開關(guān)觸發(fā)斷開，耦合變壓器的磁通鎖定特性將解除，且超導(dǎo)材料因其 通流大于臨界電流設(shè)定而切換到高阻態(tài)，此時(shí)限流器呈現(xiàn)電感-電阻混合式成分進(jìn)行故障限

利用磁場(chǎng)外推發(fā)現(xiàn)90%的事件在耀斑發(fā)生前存在磁繩結(jié)構(gòu)，并且磁繩的三維結(jié)構(gòu)比理論模型復(fù)雜得多。進(jìn)一步的研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磁繩的torus不穩(wěn)定性參數(shù)（即衰減因子）大于1.3或者kink不穩(wěn)定性參數(shù)（即磁力線纏繞度）大于2時(shí)，90%以上的事件是爆發(fā)型耀斑；而且在所有事件中，利用以上兩個(gè)參數(shù)可以成功判斷70%耀斑事件的類型。因此，這兩個(gè)參數(shù)及其閾值可以為預(yù)報(bào)耀斑是否爆發(fā)提供重要參考。?  大氣科學(xué)學(xué)院周振軍副研究員及合作者通過分析2010年7月至2013年2月的16個(gè)失敗太陽暗條爆發(fā)的磁場(chǎng)和三維爆發(fā)形態(tài)，給出了控制磁繩爆發(fā)的關(guān)鍵參量，除了經(jīng)典的衰減因子以外，暗條頂部的旋轉(zhuǎn)也是其中的一個(gè)重要影響因素。通過構(gòu)建衰減因子和旋轉(zhuǎn)角度的相空間分布，他們發(fā)現(xiàn)達(dá)到或超過衰減因子之后，所有的爆發(fā)都具有強(qiáng)的旋轉(zhuǎn)（50°到130°）。這種旋轉(zhuǎn)可能引發(fā)內(nèi)部或者外部的磁場(chǎng)重聯(lián)，進(jìn)而破壞磁繩的結(jié)構(gòu)，并最終導(dǎo)致失敗爆發(fā)。這一成果說明磁場(chǎng)重聯(lián)在決定磁繩是否爆發(fā)中起到了重要作用，突破了原有的單一控制因素決定磁繩爆發(fā)的理論。

本項(xiàng)目將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料，是一個(gè)全新的技術(shù)，取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果，進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用。相關(guān)成果已獲國家發(fā)明專利授權(quán)九項(xiàng)。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn)，在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場(chǎng)前景廣闊。