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大型回轉(zhuǎn)類工件內(nèi)壁尺寸的現(xiàn)場測量裝置、系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種大型回轉(zhuǎn)類工件內(nèi)壁尺寸的測量裝置，包括底座，用于支撐裝置其它部件；安裝架，用于將裝置安裝于待測工件上；回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，安裝于底座與安裝架之間，用于帶動(dòng)激光位移傳感器在水平面上回轉(zhuǎn)；縱向移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于調(diào)整激光位移傳感器在豎直方向的位置；橫向移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于在水平方向上調(diào)整激光位移傳感器相對工件測點(diǎn)的距離；調(diào)平機(jī)構(gòu)，用于調(diào)節(jié)激光位移傳感器的姿態(tài)使其發(fā)出的激光束水平入射工件測點(diǎn)；激光位移傳感器，用于測量工件測點(diǎn)到傳感器的距離。本發(fā)明還提供了基于該測量裝置的測量系統(tǒng)和方法。本發(fā)明利用激光三角測量原理
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 RFID 電子標(biāo)簽在線檢測方法及裝置
本發(fā)明公開了一種 RFID 電子標(biāo)簽在線檢測方法，具體為：在對工位進(jìn)行 RFID 芯片封裝過程中，實(shí)時(shí)建立該工位內(nèi)的 RFID 芯片 ID號與標(biāo)簽位置的映射關(guān)系；工位封裝完成后，同時(shí)讀取該工位內(nèi)的所有 RFID 芯片 ID，將讀取的 RFID 芯片 ID 與該工位內(nèi)的 RFID 標(biāo)簽 ID與 RFID 標(biāo)簽位置的映射關(guān)系進(jìn)行比對，確定讀取缺失的 ID，其對應(yīng)的標(biāo)簽即為次品。本發(fā)明還提供了一種 RFID 電子標(biāo)簽在線檢測裝置，包括 X 向進(jìn)給機(jī)構(gòu)、Y 向進(jìn)給機(jī)構(gòu)、讀寫器、處理器、打標(biāo)機(jī)構(gòu)、夾持機(jī)構(gòu)以及
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種復(fù)雜曲面法矢在機(jī)檢測裝置及方法
本發(fā)明提供了一種復(fù)雜曲面法矢在機(jī)檢測方法，具體為：產(chǎn)生激光束，激光束穿過開孔柵板入射加工點(diǎn)所在的待測曲面，在待測曲面上形成投影；采集待測曲面上的投影圖像，對投影圖像進(jìn)行坐標(biāo)分析確定加工點(diǎn)法矢方向。本發(fā)明還提供了實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置，包括激光器、開孔柵板、面陣 CCD 相機(jī)和圖像處理系統(tǒng)，激光器用于產(chǎn)生激光束，激光束闖過開孔柵板入射加工點(diǎn)所在的待測曲面，面陣 CCD相機(jī)用于采集待測曲面上的投影圖像，圖像處理系統(tǒng)用于對投影圖像進(jìn)行坐標(biāo)分析確定加工點(diǎn)法矢方向。本發(fā)明滿足實(shí)時(shí)檢測需求，具有精度高、效率高以及適
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多層薄膜微結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)制備方法及裝置
本發(fā)明公開一種多層薄膜微結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)制備方法，通過分隔板將噴頭內(nèi)腔體縱向分為至少兩個(gè)腔室，在各腔室內(nèi)注入不相溶的高分子溶液，并匯聚于噴頭的噴嘴處；施加高壓靜電場，同時(shí)驅(qū)使接收板做平面直線運(yùn)動(dòng)，在高壓靜電場作用下噴嘴處的溶液變形成泰勒錐，從泰勒錐尖端拉出射流，射流中的多種高分子材料先后沿著接收板運(yùn)動(dòng)的方向進(jìn)行靜電紡絲，形成多層薄膜微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開一種實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置，分隔板縱向設(shè)于噴嘴內(nèi)，將噴嘴內(nèi)腔體分隔為至少左右兩個(gè)腔室；在噴嘴端部設(shè)有端部蓋板，端部蓋板與噴嘴端部之間設(shè)有密封片；噴嘴的側(cè)面開有溶
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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早期胃腺癌原代細(xì)胞單鏈 DNA 適配子及制備方法
胃癌在世界范圍內(nèi)和我國均是最常見的惡性腫瘤之一，根據(jù)世界 衛(wèi)生組織公布的全球統(tǒng)計(jì)報(bào)告[1]，全球新發(fā)胃癌 98,9000 例，發(fā)病率 為 17.6/10 萬人，僅次于肺癌居第二位。早期胃癌是病灶局限于胃黏 膜和黏膜下層，不考慮是否有淋巴結(jié)轉(zhuǎn)移，因無明顯癥狀和局部體征， 常不足以引起患者和醫(yī)師的足夠重視而發(fā)生誤診或漏診。 目前，制備腫瘤細(xì)胞單鏈 DNA 適配子的方法主要涉及到隨機(jī)單 鏈 DNA 文庫和引物的構(gòu)建、聚合酶
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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具有超聲掃描監(jiān)測功能的監(jiān)護(hù)設(shè)備、超聲裝置及相應(yīng)方法
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種具有超聲掃描監(jiān)測功能的監(jiān)護(hù)設(shè)備，其包括監(jiān)護(hù)功能模塊、監(jiān)護(hù)探頭、超聲功能模塊、超聲探頭及顯示設(shè)備，其中，監(jiān)護(hù)功能模塊用于監(jiān)測常規(guī)生理參數(shù)；超聲功能模塊用于對被測者進(jìn)行超聲掃描監(jiān)測并獲得相應(yīng)的超聲圖像及其生理參數(shù)；所述監(jiān)護(hù)探頭耦接于所述監(jiān)護(hù)功能模塊上，所述超聲探頭耦接于所述超聲功能模塊上；所述顯示設(shè)備耦接于所述監(jiān)護(hù)功能模塊及超聲功能模塊，接收所述常規(guī)監(jiān)護(hù)生理參數(shù)以及所述超聲圖像及其生理參數(shù)并顯示。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的方法。實(shí)施本發(fā)明，可以在進(jìn)行常規(guī)監(jiān)護(hù)生理參數(shù)監(jiān)測的同時(shí)，按照預(yù)先設(shè)置的時(shí)間周期和持續(xù)時(shí)間進(jìn)行超聲掃描，獲得超聲圖像及生理參數(shù)并顯示出來，可以更好地滿足臨床的需要。
四川大學(xué)
2016-10-25
一種低軌衛(wèi)星探測半實(shí)物仿真系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種低軌衛(wèi)星探測半實(shí)物仿真系統(tǒng)及方法，屬于衛(wèi)星探測領(lǐng)域。本發(fā)明系統(tǒng)包括：紅外場景生成模塊用于生成目標(biāo)的仿真圖像；星上信息處理機(jī)主要完成對仿真圖像的單幀相面目標(biāo)檢測任務(wù)；單星地面處理機(jī)對星上信息處理機(jī)下發(fā)的仿真圖像和單幀目標(biāo)粗檢測結(jié)果進(jìn)一步處理；地面綜合信息處理機(jī)主要任務(wù)為對接收的各單星地面處理機(jī)的疑似目標(biāo)相面軌跡進(jìn)行融合重建目標(biāo)三維軌跡，對該大系統(tǒng)中所有子系統(tǒng)進(jìn)行運(yùn)行控制、狀態(tài)監(jiān)控以及仿真參數(shù)初始化，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種鋰電池組 SOC 均衡系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種鋰電池組均衡系統(tǒng)及方法。本發(fā)明將鋰電池組的均衡問題分為組內(nèi)均衡和組間均衡兩個(gè)層次，鋰電池分成若干組，分別和雙向 DC-DC 轉(zhuǎn)換器并聯(lián)，其輸出端相互串聯(lián)作為直流母線和發(fā)電系統(tǒng)的輸出端以及負(fù)載并聯(lián)。每組內(nèi)電池通過雙向開關(guān)連接，同時(shí)并聯(lián)旁路開關(guān)，可實(shí)現(xiàn)電池動(dòng)態(tài)接入。根據(jù)各組平均 SOC 分配各組輸出電壓實(shí)現(xiàn)組間均衡。根據(jù)組內(nèi)單體電池 SOC 控制其動(dòng)態(tài)接入可實(shí)現(xiàn)各組內(nèi)均衡。基于本發(fā)明對鋰電池組 SOC 進(jìn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種熒光粉復(fù)合顆粒、其制備方法及應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種熒光粉復(fù)合顆粒、其制備方法及應(yīng)用，該熒光粉復(fù)合顆粒表面包覆有固化的硅膠或者環(huán)氧樹脂，其制備方法包括S1 熒光粉膠的配制；S2 對所述步驟 S1 中獲得熒光粉膠進(jìn)行真空處理；S3 將經(jīng)過所述步驟 S2 的熒光粉膠進(jìn)行固化 40～60min；S4 將經(jīng)所述S3 獲得的熒光粉膠粉碎，以獲得粉末狀熒光粉膠，利用試驗(yàn)篩對所述粉末狀的熒光粉膠進(jìn)行篩選，以獲得粒徑為 20～38μm 的復(fù)合顆粒。本發(fā)明方法簡單有效，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)的可控制備方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進(jìn)行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮?dú)浠旌蠚夥障?
華中科技大學(xué)
2021-04-14