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這項研究首先建立了全球現(xiàn)代禾本科物種與氣候?qū)?yīng)關(guān)系數(shù)據(jù)集~1200萬條，發(fā)現(xiàn)~10°C等溫線是北美、東亞地區(qū)早熟禾亞科和黍亞科/虎尾草亞科分布的分界線，~400?mm等降水量線是北美、南非地區(qū)黍亞科和虎尾草亞科的分界線；同時發(fā)現(xiàn)各個大陸禾本科物種分布特征、氣候適應(yīng)區(qū)間有所不同，可能原因是區(qū)域氣候，地形和本地物種等非生物和生物因素造成的。

該研究揭示了我國主要麥區(qū)內(nèi)單個發(fā)病麥穗上鐮刀菌種群的多樣性，并進一步分析發(fā)病麥穗上鐮刀菌的多樣性與毒素積累之間的關(guān)系。

太平洋水經(jīng)過白令海峽進入北冰洋，同時帶來淡水和營養(yǎng)物質(zhì)，對于北冰洋的溫鹽結(jié)構(gòu)和生態(tài)系統(tǒng)有重要意義。

近日，東南大學(xué)物理學(xué)院王金蘭教授課題組與其合作者，德國不萊梅大學(xué)Thomas Frauenheim教授課題組及美國南加州大學(xué)Oleg V. Prezhdo教授在鈣鈦礦激發(fā)態(tài)動力學(xué)方面取得重要進展。

近日，西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子陶瓷與器件教育部重點實驗室任巍教授和牛剛教授團隊利用機械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結(jié)構(gòu)和納米級溝道長度的光電晶體管，實現(xiàn)了較高探測率(＞1013Jones)和響應(yīng)率(＞103A/W)。

凋亡囊泡可以維持體內(nèi)間充質(zhì)干細胞（Mesenchymal stem cell, MSC）及骨組織穩(wěn)態(tài)；并首次以骨質(zhì)疏松為例提出干細胞來源凋亡囊泡作為新的生物治療手段用于治療疾病。

構(gòu)建仿生嗅覺系統(tǒng)、通過分析呼出氣體的成分來識別早期的肺部纖維化病變。依據(jù)的理論基礎(chǔ)是人體新陳代謝的部分產(chǎn)物在肺泡通過氣體交換出現(xiàn)在呼出氣體中，所以呼出氣體中的成分可反映機體代謝和病理狀況。

成果簡介：氨式法 HCN 固定床反應(yīng)器是當(dāng)前應(yīng)用較多的由天然氣生成 HCN 的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在 1600℃高溫下反應(yīng)合成 HCN。該反應(yīng)器 對反應(yīng)溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國際上先進的 氨式法反應(yīng)器的收率一般都在 78~82％，而國內(nèi)該種反應(yīng)器在 2000年之前的 收率基本都只有 45％左右，操作穩(wěn)定性差，存在一定的安全隱患。低收率造&nbs

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時序，可以對納米線生長動態(tài)過程進行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現(xiàn)對超長納米線的精準形貌/直徑編碼?；诖思夹g(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規(guī)?；瘧?yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。