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金屬元素分析儀, 錳磷硅分析儀,分析儀器
產品詳細介紹 南京金牛高速分析儀器有限公司專業制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗儀,有色金屬分析儀，多元素分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，電腦碳硫分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產品高、中、低檔齊全。一、碳硫主要技術指標：1、測量范圍：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、測量時間：C、 S約45秒;3、測量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97標準;二、元素分析主要技術指標：1、分析方法：光電比色分析法;2、量程范圍：吸光度值0～1.999A、濃度值0～99.99％;3、測量精度：符合GB223.3－5.88標準;4、可測元素：錳、磷、硅、鎳、鉬、鉻、鈦、銅、鉛、鋅、鐵、鋁、鎂、稀土、鈮、釩等元素的分析;5、電源電壓：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特點：1、氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；2、單片機控制電路，工作過程全自動操作、徹底消除人為誤差、性能穩定可靠；3、進口精密傳感器檢測數據，測量準確，自動打印測量結果。4、啟動一次完成碳硫全部測定。操作簡單、維修方便。四、元素分析主要特點：1、零點、滿度均可自動調整，無需準確調整，直讀吸光度或百分比含量，自動打印結果，包括爐號、日期、濃度百分含量；2、采用單片機控制電路，可儲存15條曲線；3、采用精密觸摸式鍵盤，32鍵音響提示，操作簡單、適用、穩定性好；4、更換不同的冷光源或濾光片，可擴大測量元素的種類和含量范圍；5、采用先進的光電轉換技術，適用于各種金屬材料化驗。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
硅二極管溫度傳感器錦正茂非標定制
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-07-28
季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂層材料
成果簡介：本發明涉及一種季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂層材料。通 過可逆加成-斷裂鏈轉移自由基或大分子引發劑自由基聚合的方法，制備聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羥乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷進行季銨化反應，制得季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。該方法的優點是 反應操作簡便，反應條件溫和，反應過程具有較好的可控性。制備的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。這種多嵌段共聚物可以廣泛應用于抗菌涂層材 料。 成果水平： 國內領先 應用范圍：廣泛應用于織物、室內裝飾、建筑物的內、外墻、頂棚或地面、以及 家具表面。 市場分析及前景：微生物廣泛存在于自然界，通常細菌適宜繁殖生長的自然條件 為溫度 23℃～38℃，相對濕度為 85%～100%，因此在溫濕地區的建筑物內外墻 面，以及家具表面等適合細菌生長的表面，它們繁衍迅速．并由此生出各種酶、 酸和毒素的代謝產物，從而影響物品的外觀與質量，污染環境，危害動植物的生 長和人類的健康，我國南方地區多雨潮濕，很容易滋生細菌，抗菌涂料具有筑裝 飾和防霉作用的雙重效果，具有廣闊的應用前景。目前抗菌涂料的研發處于初始 階段，具有良好的發展前景。 主要技術指標：抗菌性能： 測試方法：瓊脂平板法。 測試結果：在 37℃下，對大腸桿菌、枯草桿菌等進行 24 小時培養，具有顯著的 抗菌效果。 合作方式：技術轉讓，100 萬元。
天津大學
2021-04-11
半導體輔材用多晶硅中碳、氮雜質的分離去除技術
伴隨著我國半導體行業的迅速崛起，硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變為多晶硅電極，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統制備技術下，設備熱場結構單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質循環溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發性雜質（P、 O、N）；利用電子束誘導實現多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質；基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒，并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系；基于上述研究開發出了多晶硅電極的制備工藝，可應用于刻蝕等半導體制造等領域。
本項目預期可以為半導體行業中硅電極生產制造企業提供穩定的技術支持，具有很好的生產示范性，實現高新技術產業化。該技術能夠有效地降低生產過程中的能耗，是一種低成本、環境友好的生產方法，屬于節能、環保的綠色制造技術。該技術的大規模應用和推廣，可大幅增加就業崗位，提高企業的市場競爭力，保護環境。
大連理工大學
2021-05-10
硅晶片線切割用6HSiC微粉材料的研究及產業化
關鍵工序生產的自動化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動控制系統的研發 研制可對粉碎車間雷蒙磨振動下料、粉碎、氣流粗分工況進行實時監測、自動優化控制的自動監控系統。將雷蒙磨因堵塞停機造成的故障次數比現階段減少75%，且提高工效15%以上。 ② 氣流分級自動控制系統的研發 研制氣流分級機用自動控制系統，具備以下功能：可根據分級輪主機負載實時自動調節喂料速度、根據所設定的風壓值自動調整變頻器運行、根據生產工藝要求自動向企業綜合信息平臺實時發送生產工況參數。 ③ 提純工序實時檢測與信息管理系統的研發 開發可對提純缸、脫水機、烘干爐等主要設備工況進行實時監控的智能化監控儀設備。 ④ 水力分級自動控制系統的研發 研發水力分級設備用自動控制系統，可根據工藝曲線要求自動控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達到0.3%；研制出料自動切換裝置，實現出料無人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動測控裝置的研發 研制SiC冶煉爐在線自動測控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動進行恒功率綜合優化控制，爐溫控制精度達到2.5級。成果已在工廠正常運行3年。獲得4項發明專利授權，5項軟件著作權授權 雷蒙磨粉碎自動檢測方法及裝置 專利號：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級效率的精密控制方法 專利號：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監測方法 專利號：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區域溫度動態控制方法 專利號：ZL201210356239.3 一種經濟型燃煤鍋爐能效監測系統及方法 專利號：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發電機組智能測速裝置 專利號：ZL201110058228.2一種手機可遙控的總線型區域供熱計量管理系統 專利號：ZL201010134495.9
東南大學
2021-04-13
硅基微納結構調控太陽光譜提升光伏器件效率的研究
擁有人工微結構科學與技術協同創新中心、固體微結構物理國家重點實驗室、半導體節能器件及材料國家地方聯合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點實驗室等科研平臺，在硅基納米結構材料與性能調控，硅基光子學器件和新型能源器件等基礎研究領域具有很強的影響力。近年來，在硅基太陽能電池片研發及其新型結構材料在電池片上應用等方面開展了全方位的研究，承擔完成了國家重點基礎研究發展計劃課題和國家自然科學基金重點項目等相關課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點電池結構，利用漸變帶隙進一步拓寬電池的響應光譜范圍，發展了包
南京大學
2021-04-14
多晶硅生產冷氫化工藝加熱合成反應關鍵技術裝備
實現多晶硅生產冷氫化工藝過程工程化的關鍵加熱系統裝置；降低成本40%，減少能耗2/3。8000小時以上無故障穩定運行加熱合成反應器關鍵技術。
常州大學
2021-04-14
一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法
本發明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應一段時間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發明通過引入瓜爾豆膠為反應離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧
華中科技大學
2021-04-14
基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發明公開了一種基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性半導 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導電 區和漏導電區，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構中的硅量子點。本發明有效利用硅 量子點-SiCx 織構間的隧穿勢壘，構成了控制柵氧化層-SiCx 織構-Si 量子點-SiC
華中科技大學
2021-04-14
一種有機硅型海洋防污涂料基料及其制備方法和應用
本發明公開的有機硅型海洋防污涂料基料，它的結構如式（1），式中為含有殺菌劑側鏈的有機硅聚氨酯化合物，R為CH2CH3。制備步驟包括：1）氯丙基甲基二甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷反應得到含氯丙基聚硅氧烷；2）將含氯丙基聚硅氧烷、叔胺和含羥基叔胺回流反應，生成含有季銨鹽與羥基的聚硅氧烷；3）將異氰酸酯、二月桂酸二丁基錫和含有季銨鹽與羥基與溶劑混合，加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷進行擴鏈，得到含有交聯基團-Si(OCH2CH3)的預聚體，預聚體在空氣中交聯縮合，即可。本發明的有機硅型基料既有低表面能性能，有很好的疏水性，分子鏈上也有環保型殺菌劑，有很好的殺菌效果，達到很好的海洋防污效果式（1）。
浙江大學
2021-04-13