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深圳博升光電科技有限公司是由美國工程院院士常瑞華創辦的中外合資企業，致力于研究生產用于3D感知領先世界的半導體垂直腔體激光器（VCSEL）光芯片。博升光電的創始團隊來自加州大學伯克利分校、斯坦福大學、清華大學等國際知名高校。其中研發團隊來自硅谷，工程生產團隊來自臺灣，市場運營團隊來自美國及中國，在產品研發、生產、商業運營等方面經驗豐富。博升光電成立后即獲得業界頂級投資公司武岳峰資本、力合創投、嘉御資本、聯想之星等超過1億元人民幣的A輪融資。點擊上方按鈕聯系科轉云平臺進行溝通對接！

本發明公開了一種用于抑制激光器脈沖過沖現象的激勵電源。 該激勵電源包括控制模塊，開關電源模塊及諧振模塊。控制模塊輸出 頻率變化的驅動脈沖信號，經過開關電源模塊處理后輸出交流方波信 號，交流方波信號經諧振模塊調幅后變為在每個周期內先為低電平后 為高電平的周期性的激勵信號。該激勵電源輸出的激勵信號能夠在抑 制過沖現象的同時使激光脈沖的上升沿更加陡峭，滿足激光加工對激 光脈沖輸出波形的要求，對于提高激光脈沖加工的質量和效率

本發明公開了一種有源電子式互感器的供能激光器在線壽命直 接監測方法，包括如下步驟：(1)判斷激光器工作狀態；(2)獲取激光器 工作狀態下的工作電流值；(3)異常點處理；(4)低通濾波處理；(5)建立 關聯模型；(6)評估激光器老化壽命。本發明通過實時采集獲取被監測 供能激光器所在的合并單元的供電電源的電流值，并結合合并單元供 電電源電流與供能激光器工作電流之間的關聯模型，以實現對供能激 光器正常老化壽命的直接在線監測，填補了電子式電流互感器正常老 化壽命在線監測技術領域的空白，具有可靠性高，且對環境

本發明提供了一種基于PDMS聚合物的柔性量子點隨機激光器，包括兩層PDMS薄膜層以及兩層PDMS薄膜層之間夾置的滲透層，PDMS薄膜層中的交聯劑濃度大于4%，滲透層中的交聯劑濃度為2%?4%，滲透層為內應力分布不均勻的PDMS薄膜層，滲透層上設有至少一組由中心點向各方向發散的若干條線性凹槽或至少一組由中心點逐漸擴散的若干個環形凹槽，凹槽供量子點滲透。本發明量子點在隨機激光出射過程中充當增益介質的作用，利用滲透層的內應力分布不均，通過光彈性效應形成局域化折射率不一致，增強多重散射作用，達到了降低出射隨機激光閾值的目的。本發明中量子點填充在濃度較低的滲透層內，相比玻璃基板表面的量子點薄膜，具有長時間運作的特點。同時由于PDMS是柔性材料，具有可彎曲的特點，可以實現柔性隨機激光器制備。

本發明提供了一種基于表面等離子體的量子點隨機激光器，包括順序層疊的第一玻璃基板、間隔層和第二玻璃基板，所述第一玻璃基板在與間隔層貼合的表面上設有微米級凹槽供量子點沉積，所述間隔層中含有固定在第二玻璃基板上的金屬納米粒子，控制金屬納米粒子與量子點之間的距離。本發明金屬納米粒子的表面等離子體共振效應增強泵浦光的激發效率和隨機激光的輻射效率，同時間隔層有效避免了量子點與金屬納米粒子接觸而產生的熒光猝滅現象，并且由于間隔層材料透明高分子聚合物，可以使金屬納米粒子的共振吸收譜發生紅移，實現表面等離子體共振帶和激勵光譜與出射光譜的耦合，從而得到低閾值、高強度的穩定隨機激光出射。

基于有機-無機納米復合材料制備了一種柔性 的太赫茲完美吸收器，吸收頻寬 0.1-20 THz，平均吸收率超過 95%，工作頻寬達 到世界領先水平。適用于太赫茲隱身、太赫茲黑體等設備的制備。

本項目屬光、機、電、材一體化技術領域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結構簡單、能將電能直接轉換為激光能、功率轉換效率高、便于直接調制、省電等優點，因此應用領域日益擴大。半導體激光技術已成為一種具有巨大吸引力的新興技術并在工業中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術中最具發展潛力的領域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術進行了研究，整個封裝技術涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術，小型化、全金屬化無膠封裝技術，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統的元件數和相關損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩定性。項目組通過采用這些技術，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術。 經國家光學儀器質量監督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關企業開展產學研合作，經過近五年的技術研發和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術研究成果已成功應用于相關產品的批量生產，為企業創造了較好的經濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業技術進步和產業結構優化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現自動化技術。因此，小型化泵浦激光器封裝技術的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術基礎好的環境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術的研究，實現了封裝技術的源頭性創新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術產業的重要技術支撐。

單頻窄線寬激光的產生，主要依靠諧振腔的腔長。諧振腔腔長越長，所產生激光線寬越窄。但是由于半導體激光器的腔長天然短，很難產生量級上的變化，因此采用半導體發光的窄線寬激光器多采用外腔的方式實現。最通用的方式是用一段長光纖作為反饋腔，在光纖中用無源光柵作為反射鏡。這樣做優點是生產較容易，易于實現窄線寬。但是光纖的抗干擾設計難，無法實現大功率輸出。研發小尺寸、高可靠、低成本的窄線寬激光器是激光器發展的重要方向之一。本項目研發的微型化、高可靠、高功率、低成本的半導體外腔窄線寬激光器，其微型化指標將滿足絕大多數光電系統和光電模塊的集成化需求，抗干擾，抗震動，溫度適應性滿足工業化產品的高要求，低成本性滿足消費級光電模塊應用，高功率輸出滿足汽車電子，工業制造等高功率需求。本項目將研發完整的量產工藝，滿足單條產線月產50k個激光器的量產需求，從而將窄線寬激光器第一次普及到基礎工業領域。 本項目的微型化半導體外腔窄線寬激光器，線寬可控制在2-100kHz，最大輸出功率500mW，可產生線性調頻信號，波長可定制即可。

 1、主要功能和應用領域 針對太赫茲高分辨雷達和通信系統應用需求，研究了常溫固態太赫茲連續波發射和接收的總體方案和實現技術，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結構，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優化方法，解決了固態太赫茲關鍵技術的工藝難題，突破太赫茲連續波發射和接收的關鍵技術，打破國外技術封鎖，提高自主創新能力，形成自主知識產權，相關技術水平達到國際先進，為我國太赫茲技術的發展和太赫茲系統的應用奠定技術基礎，提供技術支撐。 2、特色和先進性 1）國內首次報道了400GHz以上頻段的太赫茲源，輸出功率大于5mW 2）首次開展了太赫茲高功率多管芯二極管的三維電磁模型研究； 3）國內首次報道了220GHz、380GHz和664GHz分諧波混頻器，變頻損耗指標由于10dB； 4）國內首次開展了基于光電結合的太赫茲高速無線通信系統實驗，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫茲核心模塊已應用于太赫茲成像和通信系統中。 3、技術指標 太赫茲倍頻器指標對比 頻段 國外研究機構 電子科技大學 美國VDI FARRAN 仿真 實測 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 無 12dBm 4dBm 太赫茲分諧波混頻器指標對比

成果簡介： 1、主要功能和應用領域 針對太赫茲高分辨雷達和通信系統應用需求，研究了常溫固態太赫茲連續波發射和接收的總體方案和實現技術，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結構，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優化方法，解決了固態太赫茲關鍵技術的工藝難題，突破太赫茲連續波發射和接收的關鍵技術，打破國外技術封鎖，提高自主創新能力，形成自主知識產權，相關技術水平達到國際先進，為我國太赫茲技術的發展和太赫茲系統的應用奠定技術基礎，提供技術支撐。 2、特色和先進性 1）國內首次報道了400GHz以上頻段的太赫茲源，輸出功率大于5mW 2）首次開展了太赫茲高功率多管芯二極管的三維電磁模型研究； 3）國內首次報道了220GHz、380GHz和664GHz分諧波混頻器，變頻損耗指標由于10dB； 4）國內首次開展了基于光電結合的太赫茲高速無線通信系統實驗，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫茲核心模塊已應用于太赫茲成像和通信系統中。 3、技術指標 太赫茲倍頻器指標對比 頻段 國外研究機構 電子科技大學 美國VDI FARRAN 仿真 實測 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 無 12dBm 4dBm 太赫茲分諧波混頻器指標對比