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高介孔率、強疏水性新型活性碳材料及其高效吸附回收VOCs技術
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西安交通大學
2021-04-10
一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包
華中科技大學
2021-04-14
一種介孔二氧化硅包覆納米金顆粒的制備方法
本發明公開了一種利用介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，結合納米金球合成的傳統手段-檸檬酸鈉還原法，采用一鍋兩步法發展了一種介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，該方法選擇在碳鏈的陽離子表面活性劑如十六烷基三甲基溴化銨的堿性水溶液體系中對納米金顆粒進行包覆。采用本發明的包覆方法，無需引發劑活化和后續分離純化，具有簡單、高效、高產的特點，并且產物 Au@mSiO2 的大小均一，粒徑大小在 20-120nm 的范圍內連續可調，且在整個范圍內呈現出均一有序的介孔狀結構。
華中科技大學
2021-04-14
利用兩嵌段聚合物 PS-PAA 合成介孔二氧化硅材料
該方法合成的材料具有規則的孔隙結構，高度有序，合成條件溫和簡單，可操行強，重復性好，材料具有較大的比表面積，可用于多種功能化，進行藥物釋放等應用。
上海理工大學
2021-01-12
基于環境孔壓靜力觸探探頭的重金屬污染物濃度的測試方法
本發明提供一種基于環境孔壓靜力觸探探頭的重金屬污染物濃度的測試方法，通過X射線能譜分析裝置和電阻率測試裝置完成重金屬污染成分及濃度的測定。X射線能譜分析裝置包括X射線發射器，X射線探測器以及高性能濾波片。通過X射線探測分析，檢測土壤中重金屬污染成分。電阻率測試裝置由外周的四個環形電極組成，環形電極之間通過絕緣層隔離，中間兩個環形電極為測試電極，上下兩個環形電極為發射電極，發射電極用于向土體發射電流，測試電極用于測量電位差，再結合根據歐姆定律可以計算電極周圍土體的電阻率大小，通過特定重金屬元素的濃度電
東南大學
2021-04-14
推介案例 | 哈爾濱工程大學-大疆創新智能機器人實踐創新基地
為落實教育部推進產教融合、校企合作相關工作部署，促進高校教學改革，推動產教融合型企業建設，中國高等教育學會于2020年8月啟動了2020年度中國高等教育博覽會“校企合作 雙百計劃”典型案例推選工作，經資格審核、通訊推選、路演答辯、走訪考察以及網上公示等環節，共有103項案例認定為2020年度中國高等教育博覽會“校企合作 雙百計劃”典型案例，近期，“中國高等教育博覽會”微信號將陸續推出“雙百計劃”典型案例推介專欄，歡迎關注。
哈爾濱工程大學
2021-09-26
寒武紀大爆發時期動物門類多樣性及其演化關系研究
以埃迪卡拉紀晚期至寒武紀早期的生物群和地層為研究對象，開展動物門類多樣性及其演化關系研究。揭示海洋生態系統內動物門類多樣性在空間上的變化和時間上的演化過程。同時，發現更多門類的最早化石記錄，提高三大亞界內部門類之間譜系演化關系的解析度。
西北大學
2021-02-01
大尺寸寬禁帶半導體氮化鎵單晶襯底產業化技術
在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。
南京大學
2021-05-10
一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法
本發明公開了一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法，該裝置包括裝置主體(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述裝置主體(1)為一根直徑15cm硬質pvc管，長度30cm，管上端3cm處設置隔板(3)，將管分為地上部分(2)和地下部分(4)。本發明具有種子萌發率高、成本低廉、操作簡單的特點，適合推廣應用。
青島農業大學
2021-04-11
一種基于超構透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置
發明(設計)人：李濤, 徐貝貝, 祝世寧。本發明涉及一種基于超構透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置。該裝置包括：光源、超構透鏡陣列、線偏振片和圖像傳感器；所述線偏振片固定于所述光源的后方，且所述線偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超構透鏡陣列固定于所述線偏振片的后方，且所述超構透鏡陣列位于所述線偏振片的出射光路上；待成像物體位于所述線偏振片和所述超構透鏡陣列之間；所述圖像傳感器位于所述超構透鏡陣列的后方；所述超構透鏡陣列中包括周期性排布的多個超構透鏡。本發明可以實現在不犧牲分辨率不增加工作距離的條件下，擴大成像視場。
南京大學
2021-04-10