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本發明公開了一種突變型 KCNQ1，即 S140G-KCNQ1。還公開了利用 KCNQ1 來篩選心肌 KCNQ1 鉀離子通道的抑制劑的方法，它包括步驟：（a）將（i）表達 KCNQ1 表達載體和 (ii)KCNE1 表達載體或 KCNE2 表達載體轉入哺乳動物細胞；（b）在轉化的哺乳動物細胞 的培養基中，添加候選物質，并測定添加前后的電生理鉀離子流，其中，如果加入候選 物質后的電生理鉀離子流減小，則表明該物質是心肌 KCNQ1 鉀通道的抑制劑。該方法可 快速篩選治療房顫的候選藥物。

產品詳細介紹至尊8188亞克力防盜儀 產品編號：323 型　號：至尊8188(SSLT-EM-2008A) 品　牌：盛世龍圖 檔　次：高檔 推薦指數：      特點描述： 采用純進口全亞克力材料設計、耐磨性強、晶瑩剔透，報警燈光采用全反射、全迷幻效果設計，先進的液晶顯示人次統計系統，具有精確的報警和超高的檢測率，通過公安部安全與警用電子產品質量檢測中心檢驗，是國內外高檔圖書館、大型書城、書店、圖書館、藥店、音像店、化妝品店、部隊等首選產品，現大量出口國外50多個國家。 具體說明： ◆ 保護寬度： 單通道75-120厘米。 ◆ 靈敏度高：采用DMPD（動態多相位檢測）技術，最短可以探測3厘米的磁條，高保障地檢測目前市面上的全部磁條產品。 ◆ 穩定性好：擁有世界上最先進的DSP技術，完美確保系統的穩定性與可靠性。 ◆ 無誤報：先進的檢測儀自檢能力，有效識別、過濾外界干擾源，實現行家客戶要求的高報警、無誤報的理想效果。 ◆ 抗金屬能力強：自主開發的智能數字化微電腦控制技術和三環同步遞歸濾波技術，空前提高系統的抗金屬干擾的能力，并對抗金屬干擾進行自由調節。 ◆ 保護范圍廣：不僅可以保護圖書、藥品、化妝品、音像制品，還可以保護U盤、MP3、MP4、移動硬盤、筆記本電腦等電子產品。 ◆安全技術檢驗：通過公安部安全與警用電子產品質量檢測中心檢驗。 ◆生產工藝：按照公司通過的ISO9001：2000質量管理體系認證要求，高標準、高質量組織設計、生產與服務。 ◆ 技術針對性強：針對大型書店、圖書館、藥店、音像店、化妝品店等的安裝要求設計。 ◆ 極具視覺沖擊力的設計：外觀設計高雅大方，選用日本進口亞克力材料、透光性強、抗磨性強、不變形；報警燈光采用全反射、全迷幻效果設計； ◆ 先進的進店客流人次統計功能（三種模式）：可通過獨家開發的可視液晶模塊實現總人數歷史統計（無需計算機、默認配置）；可通過連接計算機實現當日和歷史客流流量的統計、分析、報表生成等（需計算機）；通過主機內置模塊實現當天人次統計。 ◆ 符合綠色環保標準：產品功率小于5瓦，使用壽命長、耗電量少，對人體無輻射。設計與制造完全符合美國聯邦通訊委員會（FCC）頒發的有關無線電頻率、信號強度、電磁干擾（EMI）及其它方面的規定。 ◆ 性價比高：國際品質、國內價格  技術指標：  ◆ 綜合報警率 98% ◆ 報警方式: 聲光報警（報警燈采用全反射、全迷幻效果設計） ◆ 探測范圍： 高：5-165cm 寬：75—120cm ◆ 信號處理： 數字式-DMPD（動態多相位檢測）技術、DSP多重濾波技術 ◆ 制作材料：純進口亞克力材料，不變形、不變色、晶瑩透亮、抗磨性強 ◆ 無故障時間≥80000小時 ◆ 外型尺寸：150 cm*48cm*3cm ◆ 天線功率： 3.6W-5W ◆ 工作電壓：AC:220V±20%、50Hz ◆ 安裝形式：底座式、金屬扣槽式、預埋管式、切割扣槽式

本發明公開了一種用于偏癱患者的多自由度拇指康復訓練裝置，包括支撐底座以及固定在支撐底座上的驅動傳感機構Ｉ和驅動傳感機構ＩＩ，驅動傳感機構Ｉ和驅動傳感機構ＩＩ由光電編碼器、直流力矩電機、磁流變液阻尼器和力矩傳感器組成；其中，驅動傳感機構Ｉ的輸出端通過聯軸器Ｉ連接弧形導軌的一端，弧形導軌的另一端依次通過連接桿Ｉ、連接桿ＩＩ、連接桿ＩＩＩ固定在支撐板Ｉ上，連接桿ＩＩＩ通過軸承Ｉ固定在支撐板Ｉ上，支撐板Ｉ固定在支撐底座上；驅動傳感機構ＩＩ的輸出端通過聯軸器ＩＩ連接手機訓練機構的驅動軸，手指訓練機構包括訓練桿、前指套、后指套、驅動連接件和驅動軸，驅動軸通過驅動連接件與訓練桿傳動連接；訓練桿的前端部嵌入弧形導軌中沿著弧形導軌滑動。

碳化硅的工業生產，國內外一直沿用 100 多年前 Acheson 發明的單爐芯技術，該法能耗高、產品品質差、環境污染大、生產不安全、單爐產量小，因而生產效率低，產品市場競爭力差。高品質 SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術領域的應用。 1995 年以來，課題組對以往國內外 SiC 生產爐的結構、生產技術和工藝進行了全面深入的調查、經多年潛心研究，創立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產碳化硅的方法 ” 新技術。該技術獲國家發明專利授權 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優秀發明創新成果金獎。已在國內陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產線 10 余條，占據我國 SiC 產能的 1/4 ，創產值 30 億余元，有力地推動了行業技術進步。

本技術成果涉及一類具有抗腫瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮類化合物。

本發明為一種具有多生長因子次第釋放特性的組織工程支架，屬于藥物劑型改變及制備方法技術領域。本發明中，結合微球緩釋系統和支架的特點，采用復乳法分別制備BMP-2、VEGF和bFGF等生長因子的PLLA/PEG緩釋微球，再利用超臨界二氧化碳發泡技術將微球載入PLGA多孔支架中，構建具有可控次第釋放特性的組織工程支架。本方法藥物活性保持度高，有機溶劑殘留量低，操作簡單。所制備微球粒度分布窄，具有良好的緩釋效果。復合支架孔徑分布在150~300μm，連通性好，孔隙率為76.84%，抗壓強度為5.11MPa，21天累計釋放量為60.6%。本發明制備的支架在組織工程修復體中具有應用前景。

該專利技術在多直流饋入電網動態無功補償裝置和控制方法方面都做了技術創新，研制的動態無功補償裝置響應速度快、控制精準和可靠性高，解決了現有技術中多直流饋入系統中動態無功補償裝置經濟性和可靠性不能兼顧的問題，提出的高壓直流動態無功精準控制方法突破了現有技術中高壓直流不能參加電網動態無功補償的技術瓶頸，滿足了多直流饋入受端電網電壓穩定對動態無功支撐能力的要求。專利技術在南方電網進行實施，實際應用效果表明該技術能高效利用系統中的動態無功資源，顯著提高了南方電網動態無功支持能力和電壓穩定性，為多直流饋入電網的安全穩定運行提供了保障，確保了國家“西電東送”戰略的順利實施，促進了東西部的合作共贏，推動了國民經濟和社會的發展。基于對該專利技術貢獻率的測算，截至2017年12月底，累計新增銷售額超過5億元，累計新增利潤超過4000萬元。在第二十屆中國專利獎評審中獲得銀獎。

本發明包括一種多枝樹形等離激元波導復合納米結構的合成及其光學操控方法，該合成方法包括多個步驟，每個步驟均可精確控制。樹形納米結構的主干和在其上生長的枝狀納米結構的粗細均可精確控制，在樹形納米結構表面疊加有殼或無殼的量子點形成量子點復合樹形納米結構，無殼量子點可用于化學催化、環境監測、生物傳感等應用。光從納米線一端入射，經納米線及枝狀結構，激勵有殼量子點發光，可用于遙感拉曼、新型激光器等應用。通過光學操控可改變入射光的強度和偏振態，控制特定區域的量子點發光，可消除散射中心之間干涉衍射效應產生的串擾效應，從而可用于亞波長的高分辨率探測。

本發明公開了俯仰多視角的懸浮式360度視場空間三維顯示裝置，包括復合式偏折型散射屏、高速投影機、圖像發生器、探測模塊和旋轉傳動機構。高速投影機將三維物體不同俯仰角度水平360度全景視場的組合圖像投影到高速旋轉的復合式偏折型散射屏上。復合式偏折型散射屏可對不同角度入射光的垂直偏折及發散角度和水平發散角度進行控制，使環繞觀看的不同高度的觀察者的雙眼觀察到對應于其視點位置的圖像，實現顯示的三維物體懸浮于復合式偏折型散射屏的上面，且其位置不隨視點的高低變化而改變。俯仰多視角的懸浮式360度視場空間三維顯示可供多人俯仰多角度、水平360度全視場裸眼同時觀看，實現空間遮擋消隱并可探入觸摸交互。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。