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本發(fā)明公開(kāi)了一種面向中高壓智能配電網(wǎng)的橋臂復(fù)用電力電子變壓器，包括模塊化多電平變流器、輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)隔離型DC，DC變換器和變流器；模塊化多電平變流器輸出的正極連接第一個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的輸入側(cè)逆變橋前一橋臂的中間點(diǎn)，負(fù)極連接最后一個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的輸入電容負(fù)端；相鄰兩個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的連接方式為前一模塊的輸入電容負(fù)端連接后一模塊的逆變橋前一橋臂的中間點(diǎn)；隔離型DC?DC變換器的輸入電容串聯(lián)而成的橋臂作為上一級(jí)模塊化多電平變流器的電容橋臂，前后兩級(jí)共用一個(gè)電容橋臂。本發(fā)明中MMC跟隔離型DC，DC變換器共用一組電容橋臂，降低了系統(tǒng)成本；可以避免在MMC模塊輸出電壓短路的情況下，ISOP輸入電容短路的問(wèn)題。

傳統(tǒng)的植物組織培養(yǎng)的方法是以瓊脂為支持物的半固體或固體培養(yǎng)。固體、半固體培養(yǎng)是一個(gè)勞動(dòng)密集型技術(shù)，需要大量的手工勞動(dòng)，導(dǎo)致生產(chǎn)成本居高不下。液體培養(yǎng)易于操控，適合大規(guī)模的組培生產(chǎn)，但是由于組培苗長(zhǎng)期的浸泡在液體中，無(wú)法進(jìn)行有效的氣體交換，組培苗玻璃化情況嚴(yán)重、抗逆性較差，栽培死亡率高，也增加了生產(chǎn)成本。隨著植物組織培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)日益興盛，傳統(tǒng)的固體、半固體培養(yǎng)及液體培養(yǎng)模式已經(jīng)滿足不了產(chǎn)業(yè)的需求。 新型生物反應(yīng)器采用間歇浸沒(méi)培養(yǎng)模式和自動(dòng)化控制技術(shù)，并以半夏等藥用植物為材料進(jìn)行試驗(yàn)，優(yōu)化該裝置的浸沒(méi)頻率等參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了高通量植物種苗的工廠化擴(kuò)繁。與傳統(tǒng)的培養(yǎng)模式作比較，無(wú)論在培養(yǎng)周期、種苗質(zhì)量上均較優(yōu)。由于通量大，在育種上的應(yīng)用節(jié)省了時(shí)間和人力、物力，效率大大提高，達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用水平。 項(xiàng)目技術(shù)優(yōu)勢(shì) 間歇浸沒(méi)培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合了固體培養(yǎng)（最大化氣體交換）和液體培養(yǎng)（營(yíng)養(yǎng)充分的吸收）的優(yōu)點(diǎn)，在很多種植物幼苗和體細(xì)胞胚體的培養(yǎng)中占有一定的優(yōu)勢(shì)，植物的長(zhǎng)勢(shì)情況和增殖率比傳統(tǒng)的固體培養(yǎng)、半固體培養(yǎng)和液體培養(yǎng)都要好，所獲得的幼苗和體細(xì)胞胚體質(zhì)量高，更能很好的適應(yīng)環(huán)境，移栽成活率較高。間歇浸沒(méi)培養(yǎng)模式采用程序控制，自動(dòng)化程度高，大大的減少了勞動(dòng)力的消耗，生產(chǎn)成本和傳統(tǒng)的模式相比大幅度的降低，在商業(yè)化生產(chǎn)上占有很大的優(yōu)勢(shì)。 ①.減少甚至避免玻璃化實(shí)驗(yàn)證明，增加通風(fēng)和植物材料間歇的接觸液體培養(yǎng)基是降低玻璃化的有效方法，而間歇浸沒(méi)培養(yǎng)系統(tǒng)正好具備這兩個(gè)特征。 ②.組培苗環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)利用傳統(tǒng)的培養(yǎng)方式獲得的組培苗，對(duì)環(huán)境適應(yīng)能力較弱，在煉苗階段由于環(huán)境變化較大，一般成活率較低。但間歇浸沒(méi)系統(tǒng)獲得的植物由于在培養(yǎng)時(shí)就進(jìn)行了外界空氣的鍛煉，因此，絕大多數(shù)能夠成功的適應(yīng)環(huán)境，煉苗成活率較高。 技術(shù)成果 本項(xiàng)目已利用新型生物反應(yīng)器進(jìn)行了半夏、鐵皮石斛、大蒜、百合等經(jīng)濟(jì)植物的擴(kuò)繁。 目前本項(xiàng)目已申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利1項(xiàng)，實(shí)用新型專(zhuān)利2項(xiàng)：

本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底中心位置上設(shè)有淺槽，淺槽中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽底面延至玻璃襯底底面，淺槽上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2，可測(cè)量低壓差的電容C1包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容C2包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔(71)與可測(cè)量低壓差的電容C1對(duì)應(yīng)設(shè)置，可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明采用變間距原理實(shí)現(xiàn)壓力到電容的轉(zhuǎn)換，可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2分別實(shí)現(xiàn)了微壓段和高壓段的高精度測(cè)量，不僅提高了壓力測(cè)量精度，也提升了傳感器的測(cè)量范圍。

本發(fā)明公開(kāi)了一種高速無(wú)位置傳感器開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的控制方法及其系統(tǒng)，針對(duì)勵(lì)磁相相電流的峰值時(shí)刻會(huì)與轉(zhuǎn)子到達(dá)該勵(lì)磁相定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置時(shí)刻之間存在偏移量的實(shí)際情況，對(duì)傳統(tǒng)的相電流梯度法中將勵(lì)磁相相電流峰值時(shí)刻直接作為該勵(lì)磁相定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置時(shí)刻的方法加以修正，以得到該勵(lì)磁相正確的定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置,從而更加準(zhǔn)確地估算出開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)勵(lì)磁相的關(guān)斷時(shí)刻和下一勵(lì)磁相的開(kāi)通時(shí)刻，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)地高速無(wú)位置傳感器開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)控制。

本發(fā)明公開(kāi)了一種特殊Y分支型彎曲結(jié)構(gòu)的1x16光分路器，所述1x16光分路器的整體長(zhǎng)度Z＝35000μm，每?jī)蓚€(gè)相鄰輸出波導(dǎo)的間距Xθ＝127μm，輸入波導(dǎo)和輸出波導(dǎo)的截面均為6μm×6μm的矩形。傳統(tǒng)1x16光分路器存在輸入端口和輸出端口之間的距離長(zhǎng)的問(wèn)題，導(dǎo)致光分路器整體長(zhǎng)度長(zhǎng)，難以達(dá)到目前光電子器件高度集成化的要求。本發(fā)明則解決了傳統(tǒng)1x16光分路器存在的該問(wèn)題，本發(fā)明1x16光分路器體積小、損耗低，符合光電子器件高度集成化的要求。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

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