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本發(fā)明公開了一種同時制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對管式爐進行升溫處理使其達到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對金屬鎳片襯底進行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳氫化合物，使得經(jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解以及鎳片溶碳后同時生長石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對管式爐進行降溫處理，并將生長有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質(zhì)層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產(chǎn)品小型化、輕量化、智能化的發(fā)展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發(fā)展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優(yōu)良電荷傳輸特性已被較為充分地發(fā)掘，分子結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現(xiàn)狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉(zhuǎn)向絕緣電介質(zhì)層，通過充分挖掘絕緣介質(zhì)帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現(xiàn)FET半導體層電荷傳輸?shù)恼{(diào)控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規(guī)4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，F(xiàn)PS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩(wěn)定性和疏水性，可實現(xiàn)高度穩(wěn)定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，F(xiàn)PS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環(huán)境中大于一個月的存儲穩(wěn)定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發(fā)表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業(yè)務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網(wǎng)站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發(fā)明公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合方法，包括(1)對第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側(cè)面上的保護層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側(cè)面的保護層，然后與準備階段中的第一柔性薄膜進行層合，得到具有四層結(jié)構(gòu)的柔性膜；(3)對第三柔性薄膜的另一側(cè)面的保護膜進行剝離處理，再將該經(jīng)剝離后的表面與準備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結(jié)構(gòu)的復合膜。本發(fā)明還公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合的設備。本發(fā)明的層合設備及其工藝方法，可以有效地實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的半斷模切和精確對位層合。

本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發(fā)明涉及光致發(fā)光材料技術領域，具體公開了一種配位聚合物閃爍體、柔性閃爍體薄膜及其應用，本發(fā)明所制備得到的配位聚合物閃爍體在360nm的激發(fā)光源下和X射線光源輻照下均發(fā)射綠光，并且對X射線展現(xiàn)處優(yōu)異的線性響應性，并且表現(xiàn)出明顯的熱活化增強發(fā)光，當信噪比為3時，該閃爍體的最低檢測限達到29.6nGy/s，這一數(shù)值較典型醫(yī)學成像系統(tǒng)所需的檢測限(5500nGy/s)低約186倍，同時，本發(fā)明所制備的閃爍體薄膜可對不同物體實現(xiàn)X射線成像效果，本發(fā)明所制備得到的閃爍體薄膜完全可以替代目前商用的閃爍體。

本發(fā)明提供了一種新方法，通過超分子交聯(lián)聚合物網(wǎng)絡在油?水界面上促進金納米顆粒（Au NPs）的自組裝。這種技術有效地生產(chǎn)出大面積的金納米顆粒聚合物膜，適用于表面增強拉曼散射（SERS）傳感應用。與傳統(tǒng)方法制備的金納米顆粒膜相比，這些聚合物網(wǎng)絡交聯(lián)的金納米顆粒膜表現(xiàn)出顯著提高的機械強度，不易破裂，可以附著在水產(chǎn)品表面進行活體檢測。優(yōu)異的SERS性能、低成本以及高靈活性和穩(wěn)定性使其成為實時檢測溶液或食品中有毒殘留物的有前途的候選材料。

本發(fā)明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進行升溫處理使其達到600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳氫化合物，使得經(jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解后生長非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本發(fā)明制備方法對環(huán)境溫度要求不高，制備得到的非晶碳薄膜具有多孔結(jié)構(gòu)和自支撐結(jié)構(gòu)，可以很方便轉(zhuǎn)移至任何襯底。

針對大規(guī)模的復雜網(wǎng)絡系統(tǒng)，在理論上研究網(wǎng)絡節(jié)點之間協(xié)同規(guī)則，研究網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)與系統(tǒng)性能之間的關系，構(gòu)建實現(xiàn)網(wǎng)絡性能指標最優(yōu)化的分布式算法。其應用主要包括大規(guī)模移動通信網(wǎng)絡中信道資源的最優(yōu)分配問題、通信基站的最優(yōu)覆蓋問題等。

雙電源多熱源爐生產(chǎn)SiC新技術歷經(jīng)二十多年的研發(fā)，經(jīng)過了實驗室小試、數(shù)值計算和計算機模擬研究、中試研究和工業(yè)性試驗研究，技術先進、成熟、穩(wěn)定，2002年被鑒定為國際領先水平，2003年獲青海省科技進步三等獎。已在青海、寧夏、新疆等地進行技術推廣，建立生產(chǎn)線3條，創(chuàng)產(chǎn)值3億多元，取得了巨大的社會效益和經(jīng)濟效益