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本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合電致變色薄膜及其制備方法。該薄膜為聚苯胺與三氧化鎢的復(fù)合薄膜，其中含有5～80％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三氧化鎢，薄膜厚度為50～300nm，表面具有納米棒陣列形貌。該制備方法包括：將表面經(jīng)羥基化處理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直豎立并固定于反應(yīng)容器中，將過(guò)氧化鎢酸溶液與苯胺溶液的混合溶液倒入其中并攪拌；再加入過(guò)硫酸銨溶液，攪拌下進(jìn)行反應(yīng)；反應(yīng)完成后，取出沉積有薄膜的基底并沖洗、干燥而得。本發(fā)明制備方法實(shí)現(xiàn)了聚苯胺/氧化物在分子層次復(fù)合，工藝簡(jiǎn)單，成分可方便控制，成本較低，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。制得的薄膜光譜調(diào)節(jié)范圍大、顏色豐富、響應(yīng)速度快、循環(huán)壽命長(zhǎng)，應(yīng)用范圍廣泛。

本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種雙波段 薄膜光探測(cè)器，包括基底薄片、第一電極層、第一 WSe2 層、石墨烯 層、第一 MoS2 層、第二電極層、介質(zhì)層、第二 WSe2 層、第三電極 層、第二 MoS2 層和第四電極層,第一電極層設(shè)置在基底薄片上;第一 WSe2 層鋪設(shè)在基底薄片和第一電極層上;石墨烯層設(shè)置在第一 WSe2 層上;

本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量?jī)?yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過(guò)程簡(jiǎn)單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

南開(kāi)大學(xué) 1978 年在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4個(gè)五年國(guó)家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持，經(jīng)過(guò) 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽(yáng)電池性能躋身世界先進(jìn)行列。于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國(guó)首套基于自主專(zhuān)利技術(shù)的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其組件制造技術(shù)。成為國(guó)際上為數(shù)不多可開(kāi)展大面積新一代硅基薄膜太陽(yáng) 電池研究的單位。 2011 年，開(kāi)發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國(guó)首條年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽(yáng)電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

南開(kāi)大學(xué) 1978 年在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4 個(gè)五年國(guó)家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持， 經(jīng)過(guò) 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽(yáng)電池性能躋身世界先進(jìn)行列。 于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國(guó)首套基于自主專(zhuān)利技術(shù)的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其 組件制造技術(shù)。成為國(guó)際上為數(shù)不多可開(kāi)展大面積新一代硅基薄膜太 陽(yáng)電池研究的單位。 2011 年，開(kāi)發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國(guó)首條 年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生 產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽(yáng)電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

本發(fā)明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過(guò)DMF、DMSO、環(huán)己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術(shù)：調(diào)整激光能量和基底溫度，通過(guò)激光脈沖數(shù)控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發(fā)明利用脈沖激光沉積技術(shù)制備CsPbBr3薄膜，可實(shí)現(xiàn)均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節(jié)約材料，有利于該材料在太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。

本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽(yáng)電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽(yáng)電池組件規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽(yáng)電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計(jì)。 主要技術(shù)指標(biāo)： 組件效率超過(guò)12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽(yáng)能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶(hù)用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國(guó)家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽(yáng)電池，出口不會(huì)受到限制。 項(xiàng)目目前已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨(dú)自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，本項(xiàng)發(fā)明所屬領(lǐng)域?yàn)樾滦?能源。為了降低碲化鎘太陽(yáng)電池的成本，擴(kuò)大電池的應(yīng)用范圍，柔性 碲化鎘太陽(yáng)電池將是未來(lái)發(fā)展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發(fā) 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過(guò)渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學(xué)性能好的特點(diǎn)。將結(jié)晶石墨進(jìn)行化學(xué)清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎(chǔ)上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護(hù)下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優(yōu)點(diǎn)。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開(kāi)輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱(chēng)表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱(chēng)，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅(qū)動(dòng)精密脹軸， 包括支撐模塊、傳動(dòng)模塊、切換模塊、動(dòng)力模塊和脹軸模塊，其中傳 動(dòng)模塊能夠在僅使用單個(gè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的情況下，將動(dòng)力模塊的動(dòng)力傳遞 到脹軸模塊，并通過(guò)切換模塊使得同一個(gè)動(dòng)力模塊可以分別向脹軸的 兩種運(yùn)動(dòng)提供動(dòng)力；脹軸模塊包括轉(zhuǎn)動(dòng)軸、外軸、芯軸、滑塊端蓋和 膨脹塊等，其中轉(zhuǎn)動(dòng)軸和外軸彼此固定聯(lián)接，芯軸安裝在兩者的內(nèi)部， 并且膨脹塊可以在外軸上的通槽中徑向升降，從而對(duì)料卷執(zhí)行張緊操 作。通過(guò)本發(fā)明，能夠僅采用機(jī)械構(gòu)造即可實(shí)現(xiàn)料卷的張緊功能，同 時(shí)具備張力均