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本發(fā)明公開了一種基于阻抗比同桿并架輸電線路橫聯(lián)差動(dòng)保護(hù) 的故障檢測(cè)方法，包括當(dāng)輸電線路發(fā)生故障時(shí)，選出發(fā)生故障的故障 相別；根據(jù)選相結(jié)果對(duì)故障相進(jìn)行電氣量的數(shù)據(jù)測(cè)量，當(dāng)故障相發(fā)生故障，測(cè)量的數(shù)據(jù)包括所有故障相的母線電壓和所有故障相的第一回 線路和第二回線路的電流；根據(jù)測(cè)量的數(shù)據(jù)獲得故障相別中每根導(dǎo)線 的測(cè)量阻抗；根據(jù)測(cè)量阻抗獲取各故障相測(cè)量阻抗的阻抗比橫差值； 當(dāng)阻抗比橫差值大于阻抗比橫差判據(jù)整定值時(shí)判出發(fā)生同桿并架線路 內(nèi)部故障；當(dāng)?shù)谝换鼐€的測(cè)量阻抗值大于第二回線的測(cè)量阻抗值時(shí)， 判

本發(fā)明提供一種吸水裝置，包括多組 n 形管道(1)、水源倉(cāng)(8)和密封水箱(10)，所述的水源倉(cāng) (8)通過水泵管道(4)和位于上游水源中的水泵(5)連通，所述的多組 n 形管道(1)頂部分別通過 帶有注水管閥門(7)的注水管(6)和水源倉(cāng)(8)連通，所述 n 形管道(1)通過帶有負(fù)壓控制閥(12) 的負(fù)壓管道(11)和位于高位的密封水箱

本發(fā)明提供了一種石墨復(fù)合架空地線及其制備方法，包括由第一復(fù)合石墨線構(gòu)成的內(nèi)芯、由第二復(fù) 合石墨線繞內(nèi)芯外側(cè)縱向排列構(gòu)成的次外層和由金屬纖維繞次外層編織獲得的最外層，次外層完全包裹 內(nèi)芯，最外層完全包裹最外層；其中，第一復(fù)合石墨線由復(fù)合石墨帶捻合獲得，第二石墨線由復(fù)合石墨 帶繞金屬纖維捻合獲得，復(fù)合石墨帶包括兩層蠕蟲石墨層和敷設(shè)于兩層石墨層間的骨架纖維、碳纖維， 骨架纖維和碳纖維包覆有粘合劑層。本發(fā)明具有重量輕、低電阻、低感抗、低集膚效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，

本發(fā)明公開了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內(nèi)表面上對(duì)稱附著圖形化的過渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進(jìn) 行除氣除濕處理后對(duì)準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5 對(duì)封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、 預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實(shí)現(xiàn)冶金 互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架

本發(fā)明公開了一種層流冷卻溫度控制方法，具體為：首先，通過建立子目標(biāo)溫度模型，并結(jié)合 GPC-PID 方法，獲得子目標(biāo) PID 控制器參數(shù)，包括比例系數(shù) kP，積分系數(shù) kI 和微分系數(shù) kD，從而完成子目標(biāo) PID 控制器的確定；然后，通過確定的子目標(biāo) PID 控制器對(duì)層流冷卻溫度進(jìn)行控制。本發(fā)明通過建立子目標(biāo)溫度模型將鋼板層流冷卻全過程溫度的控制，轉(zhuǎn)化為多段曲線擬合的形式，分段進(jìn)行控制。基于本發(fā)明對(duì)鋼板層流冷卻溫度

本發(fā)明公開了一種激光焊接裝置及方法，其中，焊接裝置包括 控制單元、激光器和光學(xué)整形單元；激光器的控制端與控制單元的控 制端連接；光學(xué)整形單元置于激光器輸出光束的光路上，其光軸方向 與激光器輸出光束的中心方向重合；光學(xué)整形單元對(duì)激光器輸出光束 進(jìn)行整形，輸出的均勻條形光斑照射在焊接生產(chǎn)線上；本發(fā)明公開的 激光焊接方法基于上述裝置，采用均勻條形光斑照射移動(dòng)的焊接生產(chǎn) 線上的工件，熔化焊料，實(shí)現(xiàn)工件焊接；為實(shí)現(xiàn)電子元器件雙

本發(fā)明公開了一種固體緩蝕劑及其制備方法。所述固體緩蝕劑 包括包衣蠟和固體緩蝕劑顆粒球，包衣蠟均勻包裹在固體緩蝕劑顆粒 球表面，固體緩蝕劑顆粒球與包衣蠟的重量比在 10:1～20:1 之間，固 體緩蝕劑顆粒球含有重量份數(shù) 30 至 45 份的含水的水溶性緩蝕劑、40 至 50 份的固體粘合劑、1 至 5 份的增效劑及 5 至 10 份的發(fā)泡崩解劑。 其制備方法為：按照配方比例量取各組分物質(zhì)，將增效劑溶解于水中， 加入固

 濃香型白酒采用續(xù)糟發(fā)酵工藝， 經(jīng)過多輪次發(fā)酵在糟酪中生成有機(jī)酸、醇類、酘類和酷類等物質(zhì)。長(zhǎng)年發(fā)酵的窖池通過不斷的自然選擇與馴化，形成了一批與產(chǎn)香有關(guān)的獨(dú)

1. 痛點(diǎn)問題 隨著信息化時(shí)代的發(fā)展，生活中的一切都在數(shù)字化，對(duì)信息存儲(chǔ)的要求也越來越高。據(jù)IBM統(tǒng)計(jì)，人類每天創(chuàng)造的數(shù)據(jù)已達(dá)到2.5百億億byte，大約相當(dāng)于5億部高清電影的下載。互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心（IDC）的研究顯示，到2020年數(shù)據(jù)總量（包括結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)和非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)）的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)將達(dá)到42%，2010~2020十年間，世界上數(shù)據(jù)總量從1 ZB增長(zhǎng)到50 ZB，共增長(zhǎng)50倍。 面對(duì)巨大的數(shù)據(jù)量，傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)能力以及材料的消耗與信息存儲(chǔ)需求間將會(huì)面臨嚴(yán)重不平衡狀態(tài)。人類工廠生產(chǎn)的可存儲(chǔ)設(shè)備總存儲(chǔ)容量與數(shù)據(jù)產(chǎn)生總量間差距越來越大，到2020年幾乎達(dá)到兩倍的差距。根據(jù)目前硅基存儲(chǔ)的發(fā)展趨勢(shì)推測(cè)，可用于信息存儲(chǔ)的硅儲(chǔ)量將在2040年被完全耗盡。因此，尋找硅基存儲(chǔ)的替代物，開發(fā)高效穩(wěn)定低成本的新型存儲(chǔ)介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)低成本，高效穩(wěn)定且長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是目前信息時(shí)代社會(huì)發(fā)展亟待解決的關(guān)鍵問題之一。 2. 解決方案 DNA在近年來被認(rèn)為是一種未來具有巨大應(yīng)用前景的數(shù)字存儲(chǔ)介質(zhì)。首先，相比較于傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)，在數(shù)據(jù)保存壽命和存儲(chǔ)密度上都有著極大的優(yōu)勢(shì)。在自然界中，DNA長(zhǎng)久以來作為是承載生物體遺傳信息的主要物質(zhì)，地球發(fā)現(xiàn)的最早古生物藍(lán)細(xì)菌，DNA作為其遺傳物質(zhì)已經(jīng)存在了幾十億年，且在極端條件下仍然可以保存。在存儲(chǔ)密度方面，DNA數(shù)字存儲(chǔ)理論上可以達(dá)到455 EB/克 （4.55 × 1011GB/克），大約 1018  bytes 或107 GB每mm3， 比傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)提高了5-6個(gè)數(shù)量級(jí)。其次，在數(shù)據(jù)維護(hù)與備份成本方面，DNA數(shù)字存儲(chǔ)所需要的占地，資源，能源均遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)。

本成果制備的高抗變色金色銅合金金色度高，不含貴金屬元素，成本較低，同時(shí)加入微量鈷，大大提高合金抗脫鋅腐蝕性能。通過首創(chuàng)的Cu-Fe合金短流程制備裝備及工藝制備出的Cu-Fe合金，經(jīng)過形變強(qiáng)化、細(xì)晶強(qiáng)化以及微米級(jí)/亞微米級(jí)/納米級(jí)Fe相多尺度協(xié)同析出強(qiáng)化等共同作用，使Cu-Fe合金具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)電性能。本成果提出一種合金化無氧銅的制備方法，有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中無氧銅條在進(jìn)行生產(chǎn)功率模塊的熱處理工藝時(shí)，隨著熱的輸入，晶粒會(huì)急劇增大，從而在下一道接合工藝或是與其他零部件接合時(shí)發(fā)生各種故障問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了即使850℃高溫時(shí)，也可以抑制晶體顆粒增大。