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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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針對(duì)下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)技術(shù)
該項(xiàng)成果設(shè)計(jì)出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)分離充放電路徑避免柵驅(qū)動(dòng)電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對(duì)柵驅(qū)動(dòng)電路的干擾；同時(shí)利用高端柵極鉗位技術(shù)，在自舉充電路徑中對(duì)BOOT電容進(jìn)行鉗位，防止對(duì)上開關(guān)管的損壞。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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稀土摻雜非磁過(guò)渡金屬對(duì)“鐵磁/非磁”納米自旋泵浦器件的磁性調(diào)控
成果介紹鐵磁（FM）/非磁（NM）結(jié)構(gòu)的雙層膜中發(fā)現(xiàn)的自旋泵浦（spin pumping）效應(yīng)是磁學(xué)和自旋電子學(xué)中的一個(gè)突破性發(fā)展，因此吸引了眾多的研究興趣。它和鐵磁層自旋極化電流相關(guān)，同時(shí)又和非磁層的自旋軌道耦合有直接聯(lián)系。本項(xiàng)目采用具有較高的自旋軌道耦合系數(shù)的稀土金屬調(diào)制非磁層，運(yùn)用鐵磁共振和輸運(yùn)兩種方法，并結(jié)合結(jié)構(gòu)、磁性和同步輻射分析等手段，研究不同稀土摻雜對(duì)鐵磁/非磁過(guò)渡-稀土合金（Py/NM-RE）復(fù)合納米雙層膜的結(jié)構(gòu)和界面的影響，得到自旋泵浦強(qiáng)度、界面混合電導(dǎo)以及非磁層的自旋軌道耦合強(qiáng)度和自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度的調(diào)控規(guī)律。從而探索該復(fù)合納米雙層膜中的界面自旋泵浦效應(yīng)和非磁層自旋軌道耦合對(duì)自旋動(dòng)力阻尼的影響機(jī)制。這些研究結(jié)果將有利于開發(fā)新型復(fù)合磁性材料和新型強(qiáng)自旋-軌道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。
東南大學(xué)
2021-04-11
清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令團(tuán)隊(duì)在柔性聲學(xué)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種基于微結(jié)構(gòu)襯底的MXene聲學(xué)傳感器，用于模仿人耳膜的功能來(lái)實(shí)現(xiàn)聲音的探測(cè)與識(shí)別。
清華大學(xué)
2022-04-01
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一種基于單分子器件平臺(tái)的單分子電學(xué)檢測(cè)新方法和新技術(shù)
利用硅基單分子器件研究了分子馬達(dá)水解的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，發(fā)現(xiàn)了無(wú)標(biāo)記的電學(xué)檢測(cè)方法觀察到的分子馬達(dá)的轉(zhuǎn)動(dòng)速度要比熒光標(biāo)記的方法快一個(gè)數(shù)量級(jí)（ACS Nano 2018, 11, 12789）以苯環(huán)為骨架、芴基為核心的共軛分子，并在末端修飾上氨基，通過(guò)穩(wěn)定的酰胺鍵將帶有羰基官能團(tuán)的功能分子連接在石墨烯電極之間，通過(guò)使用自主搭建的高速電學(xué)測(cè)試平臺(tái)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行了實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。大的共軛結(jié)構(gòu)以及酰胺共價(jià)鍵的強(qiáng)耦合保證了分子具有良好的導(dǎo)電性；在化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的過(guò)程中，分子結(jié)構(gòu)的變化將導(dǎo)致分子軌道發(fā)生改變，從而影響導(dǎo)電通道，影響器件的電導(dǎo)特性。
北京大學(xué)
2021-04-11
一種基于單分子器件平臺(tái)的單分子電學(xué)檢測(cè)新方法和新技術(shù)
研制了國(guó)際首例穩(wěn)定可逆的單分子光開關(guān)器件（ Science , 2016 , 352 , 1443; J. Phys. Chem. Lett. , 2017 , 8 , 2849）；觀察到了低溫下聯(lián)苯基團(tuán)由于σ單鍵的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的精細(xì)立體電子效應(yīng)（ Nano Lett. , 2017 , 17 , 856）；研究了分子間主客體相互作用的動(dòng)力學(xué)過(guò)程（ Sci. Adv ., 2016 , 2 , e1601113），揭示了羰基和羥胺反應(yīng)形成酮肟的分子機(jī)制（ Sci. Adv. , 2018 , 4 , eaar2177），證實(shí)了利用單分子電學(xué)檢測(cè)方法研究單分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的可行性，為實(shí)現(xiàn)單分子化學(xué)反應(yīng)的可視化研究邁出了重要的一步。他們利用硅基單分子器件實(shí)現(xiàn)了具有單堿基對(duì)分辨率的DNA雜交/脫雜交動(dòng)力學(xué)過(guò)程的研究（ Angew. Chem. Int. Ed. , 2016 , 55 , 9036）；在單分子水平上揭示了分子馬達(dá)水解的動(dòng)力學(xué)過(guò)程（ ACS Nano , 2018 , 11 , 12789），展現(xiàn)了單分子器件在單分子生物物理研究方面的可靠性。
北京大學(xué)
2021-04-11
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曲面光學(xué)結(jié)構(gòu)的多電荷耦合器件組 自適應(yīng)成像儀及方法
南京工程學(xué)院
2021-04-13
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一種基于深孔填充的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于深孔填充的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術(shù)，一束離子轟擊靶材，使材料原子發(fā)生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無(wú)法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時(shí)U型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的NAND串可以包
華中科技大學(xué)
2021-04-14
東南大學(xué)孫岳明教授團(tuán)隊(duì)在多重共振材料和發(fā)光器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
近日，東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院孫岳明教授團(tuán)隊(duì)的蔣偉教授報(bào)道了一種簡(jiǎn)單的純紅光多重共振材料設(shè)計(jì)策略，相關(guān)成果以“A Simple Molecular Design Strategy for Pure-Red Multiple Resonance Emitters”為題在化學(xué)領(lǐng)域國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊Angew. Chem. Int. Ed.以Hot Paper形式在線發(fā)表。
東南大學(xué)
2023-03-22
一種適用于5G毫米波通信的高增益漸變縫隙陣列天線
本發(fā)明公開了一種適用于5G毫米波通信的高增益漸變縫隙陣列天線，包括上層金屬、板材、下層金屬，所述上層金屬和下層金屬疊合在一起形成金屬層，所述金屬層刻蝕在板材上，所述金屬層由微帶轉(zhuǎn)SIW結(jié)構(gòu)、一分八T型SIW功分器、二階感性窗和TSA天線單元組成。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊、方便設(shè)計(jì)和安裝，T型SIW功分器輸出端口金屬過(guò)孔的引入，引入了感性加載，調(diào)整功分器輸出相位，使得天線在寬頻范圍內(nèi)增益較高，從而提高了天線的增益帶寬，本發(fā)明提出的高增益漸變縫隙陣列天線適用于5G毫米波通信40.5～43.5GHz頻段。
東南大學(xué)
2021-04-11
兩部門：在5G、千兆光網(wǎng)等領(lǐng)域布局一批新型基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目
工業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的主體，工業(yè)穩(wěn)則經(jīng)濟(jì)穩(wěn)。據(jù)國(guó)家發(fā)展改革委官網(wǎng)消息，國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部近日印發(fā)《關(guān)于振作工業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行推動(dòng)工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實(shí)施方案的通知》（以下簡(jiǎn)稱《通知》），提出挖掘需求潛力，拓展工業(yè)經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)空間。其中要求在5G、千兆光網(wǎng)等領(lǐng)域布局一批新型基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目。
人民網(wǎng)
2021-12-14