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產品詳細介紹1.概述JM3840動靜態應變測試分析系統(http://www.yzjmtest.com/comp/1-JM3840.htm)是一款支持靜態和低速動態應變測試的高性能的動靜態應變測試分析系統(或稱準動態應變測試分析系統)，8點/臺，200Hz/點，適合于低速(準動態)的應變測試場合，我們的動靜態應變測試分析系統穩定性好，抗干擾能力強，廣泛應用于橋梁、建筑物、飛機、船舶、車輛、起重機械狀態測試。該動靜態應變測試分析系統不僅能進行動態應變測試，還可以直接配接拾振器進行振動測試，給橋梁檢測帶來很大的方便。2.主要技術指標及性能2.1 量程：0 ～ ±20000με2.2 分辨率：1με2.3 采樣速率：最高400Hz，多檔可設置2.4 幅頻特性：分析帶寬內優于±0.2dB2.5 平衡方式：初讀數平衡2.6 平衡范圍：0 ～±19999με2.7 測點數：8點/臺2.8 應變片阻值：60 ～ 1000Ω2.9 橋路形式：全橋、半橋、1/4橋（公共補償，兩片可選）2.10 采樣方式：同步并行采集2.11 測量誤差：±0.3% FS±2με2.12 系統支持設備數：不低于100臺2.13 供橋電壓：DC2V2.14 供電電源： AC220V/外接DC12～40V/系統DC12～40V3.系統軟件功能全漢化的WINDOWS應用軟件，方便直觀的應變、應力、橋式傳感器、拾振器等測試的參數設置功能。自動平衡、手動采樣、連續采樣]、定時采樣等采樣方式。經典的靜態應變測試和動態測試分析的完美結合，可動態對測點參數及采集參數進行設置，具有豐富的數據表格及圖形顯示方式。可在線或事后進行應變、時域、頻域、和幅域分析。軟件支持Office直接調用的數據格式和開放的二次分析數據接口。揚州晶明科技有限公司揚州晶明測試技術有限公司地址: 江蘇揚州市維揚路25號公司主頁 http://www.yzjmtest.com公司郵箱 tech@yzjmtest.com電話     0514-87850416,87867922,82960507傳真     0514-82960507聯系人   唐先生手機     15952768463個人郵箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 

產品詳細介紹1.概述揚州晶明科技有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/3-JM5930.htm)生產的JM5930動態信號測試分析系統采用USB2.0接口，集信號調理、數據采集、信號分析與輸出于一體的高性能、多功能系統。配接相應的傳感器，可測量力、壓力、加速度、速度、位移、應變、溫度等各種工程量，構成振動沖擊信號測試分析系統、動態應變測試分析系統，可直接替代進口設備，廣泛應用于航空、航天、軍工、高校、研究所、計量院、工礦企業等單位，作為檢測計量系統。    揚州晶明科技有限公司揚州晶明測試技術有限公司地址: 江蘇揚州市維揚路25號公司主頁 http://www.yzjmtest.com公司郵箱 sale@yzjmtest.com電話     0514-87850416,87867922,82960507傳真     0514-82960507聯系人   唐先生手機     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 個人郵箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  2.系統特點2.1 高精度2.2 系統采用模塊化設計，具有較高的可靠性及可維護性2.3 采用多種創新性設計，具有較高的性能2.4 系統具有較強的兼容性和工程適應性2.5 全電子化、程控化設計2.6 系統具有較強的可擴充性3.系統組成3.1 采集器主機3.2 調理單元3.3 系統軟件4.主要性能指標4.1 通道數：16/84.2 AD位數：24 bits4.3 采樣方式：并行同步采樣4.4 采樣速率：最高96KHz/CH，多檔可設置4.5 精度：優于0.3%4.6 數據接口：USB2.04.7 采樣觸發方式：手動觸發、定時觸發、內觸發（信號觸發）、外觸發4.8 采樣長度：取決于設置或硬盤容量4.9 自動識別所配調理單元，并完成相關調理控制功能4.10 采用過采樣技術，大大降低了對前置濾波器的要求，提升了系統的可靠性及精度4.11 在45%采樣率以下平坦度優于0.02dB，55%以上衰減率大于120dB4.12 配套功能完善的采集控制軟件 5、 JM3822應變調理模塊性能參數本公司的應變模塊可以配接絕大多數的信號輸入,如上圖所示5.1 通道數：25.2 信號輸入類型：DC_STRAIN、AC_STRAIN、IEPE、DCV、ACV可選5.3 增益：應變（DC_STRAIN、AC_STRAIN）（V/V）： 100、300、1000、3000、10000、30000可設置IEPE、DCV、ACV增益（V/V）：1、3、10、30、100、300可設置5.4 應變測量范圍： 0～±50000με5.5 應變適用橋路電阻： 50～10000Ω5.6 應變供橋電壓：2V、3V、5V、10V可設置精度：0.2%電流：30mA max電平：輸出對地對稱5.7 自動平衡范圍：應變：約8000μεIEPE、DCV、ACV：約±1Vp5.8 自動平衡時間：<1秒5.9 應變測量共模抑制比:≥80dB(DC～50HZ)5.10 精度應變：±0.5%±2μεIEPE、DCV、ACV：<±0.3%±2mV5.11 線性度：0.05%FS5.12 應變測量噪聲：<1μεRMS RTI（輸入短路、最大增益時）5.13 應變測量穩定度：溫漂：零點：±2μVVTI/ /℃ 靈敏度：±0.02%FS/℃ 時漂：零點：±0.1%FS/ 2h（輸入短路）靈敏度：±0.1%FS/ 2h 5.14 最大帶寬（保證最大帶寬點衰減率不大于-4dB）：DC_STRAIN、DCV：DC～100kHzAC_STRAIN、IEPE、ACV：0.3Hz～100kHz5.15 濾波器截止頻率（-3±1dB，100kHz點-1dB ～ -4dB）： 30、100、300、1k、3k、10k、30k、100k Hz衰減率：約-12dB/oct5.16 輸出：±5Vp/5mA5.17 過載指示：±4.7V±0.2V6、 JM5862電荷調理模塊性能參數6.1 通道數：26.2 信號輸入類型：Q、IEPE、DCV、ACV可選6.3 增益電荷（mV/pC）：0.1、0.3、1、3、10、30、100、300、1000、3000可設置IEPE、DCV、ACV增益（V/V）：1、3、10、30、100、300可設置6.4 IEPE工作電壓：24V工作電流：約4mA6.5 積分、一次積分、二次積分可設置 6.6 精度：不積分：0.5%積分：3%6.7 最大帶寬（保證最大帶寬點衰減率不大于-4dB）：DCV：DC～100kHzQ、IEPE、ACV：0.3Hz～100kHz6.8 濾波器截止頻率（-3±1dB，100kHz點-1dB ～ -4dB）： 30、100、300、1k、3k、10k、30k、100k Hz衰減率：約-12dB/oct6.9 電荷輸入噪聲（輸入端旋接金屬保護帽）：<3μV(最大增益折合至輸入)6.10 輸出電壓：±5Vp/5mA6.11 過載指示：±4.7V±0.2V7、 JM5902轉速模塊性能參數7.1 配接電渦流傳感器7.2 通道數:27.4 頻率范圍：DC～5KHz（±0.5dB）7.5 初始位置調零7.6 精度誤差：＜1%7.7 輸出：±5Vp8、數據采集分析軟件8.1、信號調理、數據采集與信號分析功能一體化，方便使用。8.2、結構化的項目管理功能，直觀明了。8.3、數據預處理：數據編輯和截取、選抽、去零點、數據平滑、趨勢消除、微分積分、數字濾波等。8.4、時域分析：單蹤時域分析（包括時域的特征統計）、利薩如圖分析、自相關分析和互相關分析。8.5、頻域分析：付里葉分析、功率譜分析、功率譜密度分析、頻響函數分析、互譜分析、相干分析、脈沖響應函8數、沖擊響應譜、倒頻譜分析、最大熵分析等。8.6、提供了與office軟件的接口功能：將數據文件轉換成文本文件（.txt文件），Excel表格文件（.xls文件），及與功能強大的分析處理軟件Matlab的數據格式轉換功能。8.7、葉片疲勞分析軟件。9、模態分析軟件9.1、模態試驗測量的數據可以直接用來進行模態分析，也可以將其它類型的數據（轉為標準的UFF格式）導入項目進行模態分析。9.2、包括試驗模態分析（EMA)和運行狀態模態分析(OMA)。9.3、模態測試與分析軟件特點：（1）方便的建模功能：有常見的線、面、圓、長方體、圓柱、球形模型等自動創建功能，并可由它們組合成需要的模型，并支持模型的編輯與修改。（2）多批次測量的數據可以對單批或其中幾批數據進行分析以確認試驗的有效性。（3）支持各種頻譜分析功能，如頻響的幅頻、相頻，實頻、虛頻，奈奎斯特圖、脈沖響應函數，信號的自譜、互譜分析等功能。（4）模態識別：不僅能用于輸入輸出可測情況的傳統試驗模態分析(EMA)，而且還具有環境激勵、僅有響應測量的運行模態分析(OMA)功能。（5）時域ODS和頻域ODS：時域ODS用于觀察機械結構在各時間點上的振動狀態；頻域ODS用于觀測機械結構在各頻率點上的運行狀態振型，還可用于區分同一頻率點在不同模態空間上的強迫振動振型。（6）模態參數列表和振型動畫顯示。（7）可方便地生成報告：識別所得模態參數輸出方便，各種曲線存儲為BMP或JPG文件，振型動畫也可直接輸出成AVI文件，方便生成多媒體試驗報告。揚州晶明科技有限公司揚州晶明測試技術有限公司地址: 江蘇揚州市維揚路25號公司主頁 http://www.yzjmtest.com公司郵箱 sale@yzjmtest.com電話     0514-878504160514-8785041687867922,82960507傳真     0514-82960507 0514-82960507聯系人   唐先生手機     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com個人郵箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導體器件加工領域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應更穩定，通過CdTe和硝酸發生反應生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結附近的載流子濃度，降低肖特基勢壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復雜的CuxTe結構。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩定性和重復性。

一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達100％，結晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強度高和高度擇優取向的特點。

聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩定、生產成本低、易于集成化和無線化等獨特優點，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點漂移、定期維護難和維護費用高等問題，并且能彌補光學瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長和傳感分析復雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測和預警技術，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學技術獎三等獎；獲批國家實用新型專利 1 項。

本發明屬于納米薄膜材料制備技術領域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術和納米膜卷曲技術，先制備單質Fe的納米膜卷曲管結構，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。

本發明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學介質材料制成的電隔離膜；在加電態下，金屬納尖陣陰極上可自由移動的電子被電極間所激勵的電場驅控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數自由電

本發明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質光學介質材料。本發明雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，可對入射光