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以咔唑?yàn)橹行模谄?，7，9號(hào)為分別進(jìn)行芳基化，制備了新型的二維、三維的螺旋槳狀芳香性兩親物， 并通過折疊芳香性平面的組裝制備了空心球。與傳統(tǒng)的基于一維芳香性分子的超分子多孔材料相比，二、三維π-共軛組裝體在水溶液中提供了疏水性碳環(huán)境，可以吸附回收水中的有機(jī)污染物。研究結(jié)果表明，制備的介孔球?qū)τ袡C(jī)污染物—乙炔雌二醇（Eo）和雙酚A（BPA）的回收率分別為92％和90％。值得注意的是，介孔球可以識(shí)別鹽的濃度。隨著鹽的加入，折疊的芳香性分子被觀察到逐漸變得平坦，誘導(dǎo)強(qiáng)的π-π相互作用，使多孔球體融化并相連一起形成實(shí)心的纖維。這種多孔向無孔材料的轉(zhuǎn)變引發(fā)被吸附的污染物從多孔結(jié)構(gòu)中自發(fā)釋放，而隨后的透析使超分子多孔結(jié)構(gòu)恢復(fù)吸附容量。

本發(fā)明公開了一種提高超積累植物東南景天對(duì)重金屬超積累能力的方法，包括：將離體的東南景天植株切成含有完整腋芽的莖段，浸入無菌秋水仙素溶液中，密封避光，并放入溫度為25℃±1℃的搖床中振蕩；取出處理后的離體帶腋芽莖段經(jīng)無菌水沖洗后接種于分化培養(yǎng)基上，培養(yǎng)至腋芽處長出叢生芽；將叢生芽接種于生根培養(yǎng)基中，生根培養(yǎng)為完整植株；取完整植株的嫩葉在流式細(xì)胞儀上檢測(cè)所獲得株系的倍性，選擇變異植株；取變異植株，切成莖段，在生根培養(yǎng)基中培養(yǎng)獲得無菌苗；變異植株與對(duì)照株在加鎘的培養(yǎng)基中進(jìn)行鎘處理，檢測(cè)其體內(nèi)鎘積累量。本發(fā)明通過誘導(dǎo)東南景天染色體加倍，再經(jīng)過檢測(cè)獲得加倍材料，提高東南景天對(duì)重金屬的超積累能力。

本發(fā)明公開了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，所述金屬開環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料

本發(fā)明公開了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實(shí)現(xiàn)VC對(duì)WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機(jī)產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外，作為各類半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場(chǎng)被美國、日本等國壟斷，使我國半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。浙江大學(xué)流體動(dòng)力與機(jī)電系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟爾團(tuán)隊(duì)所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來在國家863計(jì)劃和國家02專項(xiàng)支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測(cè)試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時(shí)自主研發(fā)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)核心超潔凈流控零部件實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國外技術(shù)的封鎖，為我國半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。

本發(fā)明屬于超材料設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于具 有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法，其包括以下步驟: (1)采用加權(quán)法建立每層的、同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛 度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型;(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個(gè)方向上 的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布;(3)計(jì)算每層設(shè)計(jì)域上的微觀 位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性;(4)基于計(jì)算獲得 的敏度，采用優(yōu)化準(zhǔn)則法更新設(shè)計(jì)變量，進(jìn)而判斷所述目標(biāo)函數(shù)是否 收斂。上述拓?fù)鋬?yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時(shí)考慮微觀結(jié)