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快速響應型液晶光學
器件
本發明成果包括一種快速響應的光開關,采用兩基板同為周期交替且相鄰區域取向方向相互垂直的水平取向液晶盒:液晶盒盒厚為5±2μm,兩個相鄰取向的寬度之比為1:1;包括上下二片ITO 玻璃基片及涂覆的光敏取向劑,并經過線偏振紫外或藍光片對ITO 玻璃基片上光敏取向劑進行曝光,賦予兩基片預設的取向方向;灌入雙頻液晶,制成一個可調節的液晶光柵,實現光開關功能,具有
南京大學
2021-04-14
微納光學
器件
及系統
光刻二維碼技術: 納米光學二維碼產品是將光學防偽技術和手機、互聯網應用有機結合,開發出的新一代產品,并開發出相關的可追溯系統,形成“一站式”的防偽服務。
上海理工大學
2021-04-13
芯片功率
器件
測試實驗平臺
芯片功率器件測試平臺,以工程教育專業認證為引領參與高校專業建設,以信息化引領構建學習者為中心的教育生態,培養集成電路硬件測試人才。為學生提供豐富的教學資源以及貼近現實的產業環境,支撐集成電路相關課程的教學與實訓,且能進行項目開發和師資培訓。
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
2021-12-16
基于
拉伸
流變的高分子材料塑化輸運方法及設備
一種高分子材料塑化加工新方法及設備,利用物料加工過程中體積周期性變化,實現基于拉伸流變的塑化輸運機理,將剪切與拉伸形變作用的主次關系顛倒過來,其對應的加工原理、技術、裝備及理論都完全不同,突破了傳統螺桿加工設備剪切流變支配的技術原理,改變了高分子材料加工裝備以螺桿為標志的發展模式,具有加工能耗低、物料適應性廣、制品性能好等顯著特點,解決了受傳統螺桿加工方法和理論的框架限制而導致高分子材料行業技術升級艱難的問題,可有效緩解塑料加工產業面臨的能源、資源、環境問題,引領高分子材料加工產業轉型升級。
華南理工大學
2021-04-14
制作高性能、低成本電池
器件
的目標而采用簡式構型
器件
新思路
實現制作高性能、低成本電池器件的目標而采用簡式構型器件新思路的系列研究,論文第一作者為程春課題組博士生黃毓嵐。 課題組總結了傳統鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)在降低缺陷密度和優化能級方面的常用方法,以簡化其結構。此外,課題組對不同的無電子傳輸層或者無空穴傳輸層PSCs的發展進行了分類和討論,包括它們的工作原理、實現技術、尚存的挑戰和未來的展望。
南方科技大學
2021-04-14
功率MOS
器件
設計和制備技術
功率DMOS是一類重要的新型功率器件,具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點,因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域,市場需求巨大,目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累,開展了大量前沿性研究和產業化研究,目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項,能夠量產的產品型號近百種。
電子科技大學
2021-04-10
毫米波新基片結構
器件
2016國家自然科學獎二等獎,基片集成類導波結構是近十幾年來微波毫米波學界發展起來的一種新型高性能平面導波結構。基片集成類導波結構具有極低的電磁泄露和互擾,其品質因素和功率容量遠高于傳統平面傳輸線。國內外數百所大學和研究機構都對其開展了大量研究,它也成為微波毫米波領域最受關注的研究分支之一。 項目組作為國際上該領域的主要貢獻者之一,以基片集成類導波結構的工作機理與創新應用為主線,對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究,提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構,發展了相應的設計方法,并發明了一系列新型高性能微波毫米波器件,部分器件已得到實際應用。
東南大學
2021-04-11
全固態太赫茲前端關鍵
器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統應用需求,研究了常溫固態太赫茲連續波發射和接收的總體方案和實現技術,研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型,提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結構,掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優化方法,解決了固態太赫茲關鍵技術的工藝難題,突破太赫茲連續波發射和接收的關鍵技術,打破國外技術封鎖,提高自主創新能力,形成自主知識產權,相關技術水平達到國際先進,為我國太赫茲技術的發展和太赫茲系統的應用奠定技術基礎,提供技術支撐。
電子科技大學
2021-04-10
微電子
器件
高效冷卻技術
小試階段/n通過發展被動式和主動式冷卻技術能實現典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求,具體包括熱壓/風壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術,半導體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術,獲省自然科學一等獎。成果市場前景:有散熱需求,就有應用前景。
武漢大學
2021-01-12
電子
器件
的高效散熱技術
隨著微電子技術的發展,電子器件的熱流密度越來越高,散熱已成為其技術發展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式,開發了高效沸騰換熱微結構面,可極大幅度提高散熱性能,在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下,散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導致性能惡化而無法應用。近期在微重力條件的實驗表明該技術即使在微重力條件下,依然能充分利用熱毛細現象進行強化換熱,顯著提高換熱性能。因此,該技術可應用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學
2021-04-11
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